-
公开(公告)号：CN110314441A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201810297612.X
申请日：2018-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种过滤装置及过滤在半导体制造中使用的流体的方法，该过滤装置包括一壳体、一过滤元件、及一温度控制单元。壳体具有一入口及一出口，其中入口允许一流体流入壳体，而出口允许流体流出壳体。过滤元件设置于入口与出口之间，用以经由一吸附方式过滤流过过滤元件的流体中的杂质。温度控制单元配置用以控制过滤元件的温度，以改变过滤元件的吸收率。
-
公开(公告)号：CN113359391B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202110391350.5
申请日：2021-04-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法。具体地，在光致抗蚀剂层中形成图案的方法包括在基材上方形成光致抗蚀剂层，将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射，形成潜在图案。通过施加显影剂来使潜在图案显影以形成图案。光致抗蚀剂层包含光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含如下聚合物。#imgabs0#
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113359391A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110391350.5
申请日：2021-04-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法。具体地，在光致抗蚀剂层中形成图案的方法包括在基材上方形成光致抗蚀剂层，将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射，形成潜在图案。通过施加显影剂来使潜在图案显影以形成图案。光致抗蚀剂层包含光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含如下聚合物。
-
-
公开(公告)号：CN119493335A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202410994685.X
申请日：2024-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请涉及用于极紫外光刻法的含硫醇光致抗蚀剂组合物。所述光致抗蚀剂组合物可用于制造半导体器件，制造半导体器件的方法包括在基板上方由光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂层。将所述光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至经选择性曝光的光致抗蚀剂层以形成图案化的光致抗蚀剂来使所述潜在图案显影。所述光致抗蚀剂组合物包含光活性化合物、包含芳基基团和酸不稳定基团的含硫醇聚合物。所述硫醇基团可以经由氧化二硫键形成和/或硫醇‑烯/炔“点击”反应来使所述聚合物交联。
-
公开(公告)号：CN113238457A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110106359.7
申请日：2021-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本文提供光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法。具体地，本文提供一种在光致抗蚀剂层中形成图案的方法包括在基板上形成光致抗蚀剂层；以及使光致抗蚀剂层选择性地曝露于光化辐射以形成潜在图案。通过将显影剂施加至经选择性曝露的光致抗蚀剂层以形成图案，来使潜在图案显影。光致抗蚀剂层包含光致抗蚀剂组合物，光致抗蚀剂组合物包含光活性化合物和聚合物。聚合物具有附接到聚合物的碘或碘代基中的一者或多者，并且聚合物包括一种或多种具有交联剂基团的单体单元，并且具有交联剂基团的单体单元为以下中的一者或多者：或者，光致抗蚀剂组合物包含光活性化合物、含有碘或碘代基的聚合物以及具有两个至六个交联基团的交联剂。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.026 seconds)
