-
公开(公告)号：CN113809068A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110274808.9
申请日：2021-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/06
Abstract: 一种制造一半导体装置的方法包括与以下操作有关的步骤：将一晶体管的源极及漏极阱形成于一半导体基板中；将该晶体管的一栅极电极形成于该半导体基板上；将一隔离结构形成于该半导体基板中，该隔离结构邻近于该晶体管；以及将一第一层间介电质(inter‑layer dielectric；ILD)材料沉积在该晶体管及该隔离结构上。该方法亦包括以下步骤：将一电容膜堆叠沉积在该第一ILD材料上，将该电容膜堆叠中的图案形成在该隔离结构上，及藉由蚀刻该电容膜堆叠的一导电材料形成一电容板。蚀刻该导电材料包括以相对于该电容膜堆叠中的其他材料的至少16的一选择比执行一液体蚀刻制程。
Search Results
1
records
(took 0.022 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
