半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111199967A

    公开(公告)日:2020-05-26

    申请号:CN201911057017.X

    申请日:2019-10-31

    IPC分类号: H01L27/02 G06F30/392

    摘要: 一种半导体装置包含至少一个修饰单元块,修饰单元块包含修饰支座区域,其中修饰支座区域具有第一带状主动区域,第一带状主动区域沿平行于垂直支座边缘的第一轴线布置,以相邻设置于其他单元块(包含非标准、标准以及修饰单元块)并形成垂直支座。提供于修饰支座区域中的结构改善了位于修饰单元块与相邻的单元块之间的结构与装置密度匹配,进而减少位于垂直支座单元块之间的对空白区域的需求,并减小装置总面积及提升单元密度。