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公开(公告)号：CN110875312A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910814741.6
申请日：2019-08-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L27/02 , H01L21/8238
摘要： 一种集成电路包括第一类型一晶体管、第二类型一晶体管、第三类型一晶体管、及第四类型一晶体管。第一类型一晶体管及第三类型一晶体管是在类型一主动区域的第一部分中。集成电路包括在类型二主动区域的第一部分中的第一类型二晶体管。第一类型一晶体管具有栅极，此栅极设置为具有第一电源的第一电源电压。第一类型二晶体管具有栅极，此栅极设置为具有第一电源的第二电源电压。第三类型一晶体管具有栅极，此栅极设置为具有第二电源的第一电源电压。第三类型一晶体管具有与第一类型一晶体管的主动区域导电地连接的第一主动区域。
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公开(公告)号：CN110276088A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910197438.6
申请日：2019-03-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本揭露涉及用以产生包含布线配置的布局图的方法。一种方法(在具有多个掩模的多图案化使用情境中产生布线配置的布局图，所述布局图存储在非暂时性计算机可读媒体上)包含：相对于所述掩模中的给定的一个掩模，在金属化层中的给定导电图案的对应部分上方的第一候选位置处放置给定切割图案；确定所述第一候选位置是否导致违反设计规则的非圆形群或循环群中的至少一个；且如果存在违规，则临时防止在所述金属化层中在所述第一候选位置处放置所述给定切割图案直到进行校正为止，以避免违反所述设计规则。
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公开(公告)号：CN116314198A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210901053.5
申请日：2022-07-28
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/118
摘要： 本申请的实施例提供了半导体器件、集成电路及其制造方法。集成电路包括第一单元和第二单元。第一单元包括在第一方向上延伸的第一多个有源区域和在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第一多个栅极，第一单元具有由第一多个栅极中的间断限定的第一单元边缘。第二单元包括在第一方向上延伸的第二多个有源区域和在第二方向上延伸的第二多个栅极，第二单元具有由第二多个栅极中的间断限定的第二单元边缘。第二多个有源区域中的每个大于第一多个有源区域中的每个，并且第一单元与第二单元相邻，使得第一单元边缘与第二单元边缘对齐。
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公开(公告)号：CN115312460A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210393695.9
申请日：2022-04-14
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/02 , H01L27/092
摘要： 本揭示文件提供一种制造集成电路的方法以及一种储存媒体。该方法包含产生两个第一型主动区以及两个第二型主动区，并产生与两个第一型主动区以及两个第二型主动区相交的栅极条。该方法进一步包含以p型晶体管多晶硅延展效应与n型晶体管多晶硅延展效应之间的一差异的一判断结果为基准，规划与该栅极条相交的一或多个多晶硅切割层的图案。
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公开(公告)号：CN114784000A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110776630.8
申请日：2021-07-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , G06F30/398
摘要： 一种半导体元件、制造与其设计方法，半导体元件包含基材及位于基材的第一侧上的第一主动区。此半导体元件还包含围绕第一主动区的第一部分的第一栅极结构。此半导体元件还包含位于基材的第二侧上的第二主动区，其中第二侧相对于第一侧。此半导体元件还包含围绕第二主动区的第一部分的第二栅极结构。此半导体元件还包含延伸穿过基材的栅极介层窗，其中栅极介层窗直接连接第一栅极结构，且栅极介层窗直接连接第二栅极结构。
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公开(公告)号：CN109585439A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810366740.5
申请日：2018-04-23
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本发明实施例阐述一种标准单元中金属切口的优化方法。所述方法包括：将标准单元放置在布局区域中；以及沿所述标准单元的金属内连线在远离所述标准单元的边界的位置插入金属切口。所述方法还包括：基于所述金属切口，在所述位置将所述金属内连线的金属部分从所述金属内连线的其余部分断开。
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公开(公告)号：CN113809077B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202110909267.2
申请日：2021-08-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238
摘要： 公开了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括：有源区；第一、第二和第三金属到漏极/源极(MD)接触结构，在第一方向上延伸并对应地与有源区重叠；通孔到通孔轨，在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并与第一、第二和第三MD接触结构重叠；第一导电部，与通孔到通孔轨重叠，处于第一金属化层中，并相对于第二方向与第一、第二和第三MD接触结构中的每个重叠；以及第一通孔到MD(VD)结构，在第一MD接触结构与第一导电部之间，第一VD结构将第一导电部、通孔到通孔轨与第一MD接触结构电耦合，其中，第二或第三MD接触结构中的至少一个与通孔到通孔轨电去耦。
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公开(公告)号：CN111199130B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201911063416.7
申请日：2019-10-31
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G06F30/392 , H01L27/02 , H01L23/528
摘要： (产生布局图的)方法包括生成表示半导体器件中的电路的至少一部分的单元，单元至少部分地根据M_2nd层级的第二轨道(M_2nd轨道)和第M_1st层级的第一轨道(M_1st轨道)布置。生成单元包括：基于布局图中为单元选择的位置来选择M_2nd轨道中的一个；生成表示电路的输出引脚的第一M_2nd引脚图案；基本沿着所选择的M_2nd轨道布置第一引脚图案的长轴；生成表示电路的相应输入引脚的第二至第五M_1st引脚图形；基本沿着相应的M_1st轨道中的一个布置第二至第五引脚图案的长轴。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法和系统。
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公开(公告)号：CN116741778A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310548593.4
申请日：2023-05-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L29/06 , H01L21/8238
摘要： 本发明的实施例提供了一种器件，包括衬底，以及衬底中的第一阱区，第二阱区和伪区，其中伪区是位于第一阱区和第二阱区之间的非功能区。第一阱区被配置为接收第一电压，第二阱区被配置为接收不同于第一电压的第二电压。该器件还包括有源区，该有源区延伸穿过第一阱区的至少部分和伪区的至少部分，以及位于伪区且在第一栅极结构和第二栅极结构之间的至少一个隔离结构，第一栅极结构在该至少一个隔离结构的一侧的伪区中的有源区上方延伸，第二栅极结构在该至少一个隔离结构的另一侧。本发明的实施例还提供了一种制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN116344545A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310089074.6
申请日：2023-02-01
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/8234
摘要： 集成电路的金属化结构。在一个实施例中，集成电路包括设置在单元的有源区上方的金属‑至‑扩散(MD)层、设置在单元的有源区上方的栅极、以及包括设置在MD层和栅极上方的M0轨道的第一金属化层。集成电路还包括第二金属化层，该第二金属化层包括设置在第一金属化层上方的M1轨道。M1轨道包括各自与单元的边缘具有第一预定距离的第一M1轨道以及各自与单元的边缘具有第二预定距离的第二M1轨道，其中第一M1轨道比第二M1轨道长。本申请的实施例还公开了集成电路及形成单元布局结构的方法。
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