公开(公告)号：CN100420621C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200510093268.5

申请日：2005-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王薇雅 ,  郑仲原 ,  吴子扬 ,  洪嘉隆 ,  陈斐筠

IPC: B81C1/00

CPC classification number: C23F4/00 ,  B81B2201/04 ,  G02B26/0833

Abstract: 本发明揭示一种镜面制程，其是使用钨保护层来防止因金属突穿造成镜面结构的桥接，并改善镜面结构的曲率，其步骤包含：在一基底上的第一牺牲层之上，图形化一镜面结构；毯覆性地沉积一钨保护层，以覆盖上述镜面结构的侧壁及上表面；形成第二牺牲层于上述钨保护层上；以及使用含二氟化氙的一蚀刻剂施以一释出的步骤，以同时移除上述第二牺牲层、上述钨保护层、与上述第一牺牲层。

公开(公告)号：CN1740088A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510093268.5

申请日：2005-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王薇雅 ,  郑仲原 ,  吴子扬 ,  洪嘉隆 ,  陈斐筠

IPC: B81C1/00

CPC classification number: C23F4/00 ,  B81B2201/04 ,  G02B26/0833

Abstract: 本发明揭示一种镜面制程，其是使用钨保护层来防止因金属突穿造成镜面结构的桥接，并改善镜面结构的曲率，其步骤包含：在一基底上的第一牺牲层之上，图形化一镜面结构；毯覆性地沉积一钨保护层，以覆盖上述镜面结构的侧壁及上表面；形成第二牺牲层于上述钨保护层上；以及使用含二氟化氙的一蚀刻剂施以一释出的步骤，以同时移除上述第二牺牲层、上述钨保护层、与上述第一牺牲层。