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公开(公告)号：CN102956706A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210251909.5
申请日：2012-07-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/41775 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/1033 , H01L29/1045 , H01L29/78 , H01L29/7823 , H01L29/7835
Abstract: 一种半导体器件包括：有源区域，具有沟道区域和至少一个翼区域，该至少一个翼区域与位于栅极介电层下方的沟道区域相邻。至少一个翼区域可以为在沟道区域两侧的两个对称翼区域。
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公开(公告)号：CN102956706B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210251909.5
申请日：2012-07-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/41775 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/1033 , H01L29/1045 , H01L29/78 , H01L29/7823 , H01L29/7835
Abstract: 一种半导体器件包括：有源区域，具有沟道区域和至少一个翼区域，该至少一个翼区域与位于栅极介电层下方的沟道区域相邻。至少一个翼区域可以为在沟道区域两侧的两个对称翼区域。
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公开(公告)号：CN103840001A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310051885.3
申请日：2013-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66681 , H01L29/0619 , H01L29/41758 , H01L29/7823 , H01L29/7833 , H01L29/0684 , H01L29/0847 , H01L29/6659
Abstract: 一种集成电路包括：具有第一掺杂类型的高压阱，嵌入高压阱中的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区具有第二掺杂类型并且通过高压阱中的沟道间隔开；在第一掺杂区和第二掺杂区中形成的源极/漏极区，每个源极/漏极区都具有第二掺杂类型并且比第一掺杂区和第二掺杂区更重度地掺杂；与每个源极/漏极区都间隔开的第一隔离区；和围绕每个源极/漏极区形成环的电阻保护氧化物。本发明公开了具有额外漏极OD增加的高压漏极延伸MOSFET。
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公开(公告)号：CN1721319A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510077540.0
申请日：2005-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G02B26/0833
Abstract: 本发明是有关于一种制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法。一种用于制造微机电系统，例如反射式隐藏镜面的制造方法，包括下列步骤：形成I型镜面结构；形成间隙壁层于I型镜面结构上；以及图案化间隙壁层，以沿着I型镜面结构的一侧形成至少一间隙壁。一微机电系统，至少包含：一基材；一I型镜面结构形成于该基材上；以及沿着该I型镜面结构的一侧设有至少一间隙壁。本发明提供了一种用于制造反射式隐藏镜面及其它微机电系统元件的坚固耐用的间隙壁制程，并且避免了镜桥的产生。
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公开(公告)号：CN1700054A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510053699.9
申请日：2005-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B26/00
CPC classification number: G02B26/0841
Abstract: 一种微镜及微镜制造方法。包括：一种微镜，包括一基板、一反射层以及一保护层。反射层成形于该基板上，并且包括有纯铝。保护层成形于反射层上，并且包括有氮化钛。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103579005B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210430036.4
申请日：2012-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66492 , H01L21/761 , H01L29/1083 , H01L29/66575 , H01L29/7833
Abstract: 采用高电压反注入的功率晶体管。本文提出场效应晶体管器件(可选的是横向功率晶体管)及其形成方法，所述方法包括：提供衬底；形成掺杂的隐埋层；在位于隐埋层上的衬底中形成主阱。可以在主阱中形成漂移漏极，在主阱中以及在漂移漏极和隐埋层之间对反注入区域进行注入。主阱可以包括第一注入区域和第二注入区域，其中第二注入区域的深度小于第一注入区域的深度。可以在第一注入区域和第二注入区域之间的深度处进行反注入。主阱和反注入区域可以包括具有相同导电类型的掺杂物，或都包括p+型掺杂物。可以在漂移漏极的一部分的上方形成栅极。
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公开(公告)号：CN101752365A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910138200.2
申请日：2009-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/49 , H01L21/822 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7833 , H01L29/4236 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/665 , H01L29/66621 , H01L29/66659 , H01L29/7835
Abstract: 一种集成电路结构，包括：一高压阱区(high-voltage well，HVW)于一半导体基底中；一第一双重扩散(double diffusion，DD)区于该高压阱区中；以及一第二双重扩散区于该高压阱区中。该第一双重扩散区与该第二双重扩散区通过该高压阱区的一中间部分互相分离。一凹口自该半导体基底的顶部表面延伸进入该高压阱区的该中间部分与该第二双重扩散区。一栅极介电层延伸进入该凹口且覆盖该凹口的底部。一栅极于该栅极介电层上。一第一源/漏极区于该第一双重扩散区中。一第二源/漏极区于该第二双重扩散区中。本发明可减少高压金属氧化物半导体元件所占据的芯片面积与减少漏电流；且不需额外的掩模与工艺步骤。
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公开(公告)号：CN100420621C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200510093268.5
申请日：2005-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: C23F4/00 , B81B2201/04 , G02B26/0833
Abstract: 本发明揭示一种镜面制程，其是使用钨保护层来防止因金属突穿造成镜面结构的桥接，并改善镜面结构的曲率，其步骤包含：在一基底上的第一牺牲层之上，图形化一镜面结构；毯覆性地沉积一钨保护层，以覆盖上述镜面结构的侧壁及上表面；形成第二牺牲层于上述钨保护层上；以及使用含二氟化氙的一蚀刻剂施以一释出的步骤，以同时移除上述第二牺牲层、上述钨保护层、与上述第一牺牲层。
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公开(公告)号：CN100334478C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200510053699.9
申请日：2005-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B26/00
CPC classification number: G02B26/0841
Abstract: 一种微镜及微镜制造方法。包括：一种微镜，包括一基板、一反射层以及一保护层。反射层成形于该基板上，并且包括有纯铝。保护层成形于反射层上，并且包括有氮化钛。
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公开(公告)号：CN1778663A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510115008.3
申请日：2005-11-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00253 , B81C2201/0178 , B81C2201/053
Abstract: 本发明提供一种防金属与硅层间侧向交互扩散的方法和结构及微机电结构，该方法包括下列步骤：首先，提供一包括多个金属图案的基板。接着，形成氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氮化钛或氧化铝于金属图案的间隙壁以防止金属图案和后续填入的硅层间侧向交互扩散。
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