专利检索 ap:("台湾积体电路制造股份有限公司") AND inv:"詹予欣" 第 1 页

1.

发明公开
半导体装置的形成方法无效

公开(公告)号：CN115064483A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210500025.2

申请日：2022-05-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 詹予欣 , 吴采伶 , 陈昶文 , 黄柏翔 , 陈育裕 , 黄冠维 , 李志鸿 , 邱显杰 , 张庭魁

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 在一示例面向，本公开是关于一种半导体装置的形成方法。此方法包括接收在半导体基板上方具有导电部件的工作件，在导电部件上方形成牺牲材料层，去除牺牲材料层的第一部分以形成导线沟槽，并且露出在导线沟槽之一中的导电部件的顶表面；在导线沟槽中形成导线部件，去除牺牲材料层的第二部分以形成导线部件之间的间隙，以及在间隙中形成介电部件，介电部件包围气隙。