公开(公告)号：CN115497915A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210086111.3

申请日：2022-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵永清 ,  蒋伟韩 ,  钟鹏元 ,  康金玮 ,  林政仁

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明实施例提供一种集成电路结构包括半导体衬底、钝化层、第一保护层及第二保护层。钝化层设置于半导体衬底之上。第一保护层设置于钝化层之上。第二保护层设置于第一保护层之上，其中第一保护层的边界框限于第二保护层内。

公开(公告)号：CN111081683B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201910779620.2

申请日：2019-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾俊凯 ,  林政仁 ,  赵永清 ,  郑明达 ,  李明机

IPC: H01L23/64

Abstract: 根据本申请的实施例，提供了形成集成电路结构的方法，包括形成第一磁性层，在第一磁性层上方形成第一导线，以及在第一磁性层上涂覆光敏涂层。光敏涂层包括位于第一导线正上方的第一部分，以及从第一导线偏移的第二部分。第一部分连接至第二部分。该方法还包括对光敏涂层的第一部分实施第一曝光，对光敏涂层的第一部分和第二部分实施第二曝光，显影光敏涂层，以及在光敏涂层上方形成第二磁性层。本申请的实施例还提供了其他形成集成电路结构的方法以及集成电路结构。

公开(公告)号：CN111081683A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201910779620.2

申请日：2019-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾俊凯 ,  林政仁 ,  赵永清 ,  郑明达 ,  李明机

IPC: H01L23/64

Abstract: 根据本申请的实施例，提供了形成集成电路结构的方法，包括形成第一磁性层，在第一磁性层上方形成第一导线，以及在第一磁性层上涂覆光敏涂层。光敏涂层包括位于第一导线正上方的第一部分，以及从第一导线偏移的第二部分。第一部分连接至第二部分。该方法还包括对光敏涂层的第一部分实施第一曝光，对光敏涂层的第一部分和第二部分实施第二曝光，显影光敏涂层，以及在光敏涂层上方形成第二磁性层。本申请的实施例还提供了其他形成集成电路结构的方法以及集成电路结构。

公开(公告)号：CN110970311B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN201910925482.4

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑明达 ,  赵永清 ,  曾俊凯 ,  林政仁 ,  康金玮 ,  陈玉芬 ,  李明机

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/488

Abstract: 形成集成电路结构的方法包括在金属焊盘上方形成图案化的钝化层，其中，金属焊盘的顶面通过图案化的钝化层中的第一开口露出，并且在图案化的钝化层上方施加聚合物层。聚合物层基本上不含N‑甲基‑2‑吡咯烷酮(NMP)，并且包括作为溶剂的脂族酰胺。该方法还包括对聚合物层执行曝光工艺，对聚合物层执行显影工艺以在聚合物层中形成第二开口，其中，金属焊盘的顶面暴露于第二开口，烘烤聚合物，并且形成具有延伸到第二开口中的通孔部分的导电区域。本发明的实施例还涉及集成电路结构。

公开(公告)号：CN110970311A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910925482.4

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑明达 ,  赵永清 ,  曾俊凯 ,  林政仁 ,  康金玮 ,  陈玉芬 ,  李明机

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/488

Abstract: 形成集成电路结构的方法包括在金属焊盘上方形成图案化的钝化层，其中，金属焊盘的顶面通过图案化的钝化层中的第一开口露出，并且在图案化的钝化层上方施加聚合物层。聚合物层基本上不含N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)，并且包括作为溶剂的脂族酰胺。该方法还包括对聚合物层执行曝光工艺，对聚合物层执行显影工艺以在聚合物层中形成第二开口，其中，金属焊盘的顶面暴露于第二开口，烘烤聚合物，并且形成具有延伸到第二开口中的通孔部分的导电区域。本发明的实施例还涉及集成电路结构。