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发明公开
集成电路器件和制造方法以及制造半导体器件的方法审中-实审

公开(公告)号：CN116344442A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310093393.4

申请日：2023-02-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭士玮 , 萧志民 , 赖建文 , 曾健庭 , 邓宇伦

IPC: H01L21/768 , H01L23/538

Abstract: 本申请的实施例提供了一种集成电路器件和制造方法以及制造半导体器件的方法，制造集成电路(IC)器件的方法包括以下操作：在半导体衬底上形成第一金属图案(Mx)，使用区域选择性沉积(ASD)在第一金属图案上形成包括形成在第一金属图案的相反边缘或端子部分附近的第一和第二通孔的第一通孔图案(Vx)，以及在第一通孔图案上形成第二金属图案(Mx+1)，其中基本上没有图案重叠以形成零封装，并且其中一对相邻通孔之间的距离对应于IC器件设计期间应用的一组设计规则所允许的最小端到端金属图案间隔。

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