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实用新型
半导体结构有权

公开(公告)号：CN221041122U

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202321366756.9

申请日：2023-05-31

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林建宏 , 卢胤龙 , 何军 , 邓安舜 , 张骏伟

IPC分类号： H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768

摘要： 本实用新型实施例涉及一种半导体结构，其特征在于其包括：晶体管结构；互连结构，其耦合到所述晶体管结构，所述互连结构包括石墨烯复合金属线；层间电介质层，其位于所述石墨烯复合金属线上；及石墨烯复合通路，其位于所述层间电介质层中，耦合到所述石墨烯复合金属线。