公开(公告)号：CN114975351A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210135898.8

申请日：2022-02-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张骏伟 ,  黄宣铭 ,  林建宏 ,  谢明宏 ,  张敏妮 ,  王明义

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538

摘要： 本发明实施例涉及一种半导体结构及制造半导体结构的方法。所述半导体结构包含封装结构。所述封装结构包含：钝化层，其形成在互连结构上方；导电结构，其形成在所述钝化层上且延伸穿过所述钝化层以电接触所述互连结构；电介质结构，其形成在所述钝化层上方且包围所述导电结构以暴露所述导电结构的顶面的至少一部分；及金属保护结构，其形成在从所述电介质结构暴露的所述导电结构的所述顶面上。所述金属保护结构的顶面与所述电介质结构的顶面对准或低于所述电介质结构的顶面。

公开(公告)号：CN107768367A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201610956886.6

申请日：2016-11-03

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王仲盛 ,  张骏伟 ,  施教仁 ,  刘胜峯

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L29/1037 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0886

摘要： 一种半导体组件包括具有衬底主要表面的衬底、位于衬底主要表面上且具有与衬底主要表面相隔一距离的第二主要表面的介电材料、以及自衬底主要表面延伸穿过介电材料的多个鳍，其中多个鳍包括第一鳍子集以及第二鳍子集，与第二鳍子集相比，第一鳍子集位于较靠近多个鳍的中心，且第一鳍子集的每一鳍在操作半导体组件期间所产生热量少于第二鳍子集的每一鳍在操作半导体组件期间所产生的热量。

公开(公告)号：CN110858265A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910773341.5

申请日：2019-08-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 盂曾贤 ,  张骏伟 ,  刘思麟 ,  昆杜·阿密特 ,  刘胜峯

IPC分类号： G06F30/367 ,  G06F30/392 ,  G06F30/398 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08 ,  G06F115/06

摘要： 一种评估热敏结构的方法。揭露了一种电迁移(EM：electromigration)验证方法，该电迁移验证方法分析集成电路设计布局以识别热敏结构、自我加热效应、发热结构和散热结构。该EM验证方法包括通过以下方式来对热敏结构的评估温度进行调节：计算温度敏感结构内的自我加热效应，以及作为与位于限定的热耦合范围内的周围发热结构和/或散热元件的热耦合的函数的额外加热和/或冷却。

公开(公告)号：CN103579340A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210468202.X

申请日：2012-11-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈能国 ,  万幸仁 ,  林奕安 ,  张骏伟 ,  孙诗平

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： 本发明涉及一种场效应晶体管的栅电极。场效应晶体管的示例性结构包括衬底；栅电极，位于具有第一顶面和侧壁的衬底的上方；源极/漏极(S/D)区，至少部分设置在栅电极一侧的衬底中；间隔件，位于分布在栅电极和S/D区之间的侧壁上；以及接触蚀刻停止层(CESL)，紧邻间隔件且进一步包括在S/D区上方延伸的部分，其中，该部分的第二顶面与第一顶面基本共面。

公开(公告)号：CN103579340B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210468202.X

申请日：2012-11-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈能国 ,  万幸仁 ,  林奕安 ,  张骏伟 ,  孙诗平

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： 本发明涉及一种场效应晶体管的栅电极。场效应晶体管的示例性结构包括衬底；栅电极，位于具有第一顶面和侧壁的衬底的上方；源极/漏极(S/D)区，至少部分设置在栅电极一侧的衬底中；间隔件，位于分布在栅电极和S/D区之间的侧壁上；以及接触蚀刻停止层(CESL)，紧邻间隔件且进一步包括在S/D区上方延伸的部分，其中，该部分的第二顶面与第一顶面基本共面。

公开(公告)号：CN221041122U

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202321366756.9

申请日：2023-05-31

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林建宏 ,  卢胤龙 ,  何军 ,  邓安舜 ,  张骏伟

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

摘要： 本实用新型实施例涉及一种半导体结构，其特征在于其包括：晶体管结构；互连结构，其耦合到所述晶体管结构，所述互连结构包括石墨烯复合金属线；层间电介质层，其位于所述石墨烯复合金属线上；及石墨烯复合通路，其位于所述层间电介质层中，耦合到所述石墨烯复合金属线。