公开(公告)号：CN102757015A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210248287.0

申请日：2010-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁凯智 ,  吴华书 ,  彭利群 ,  黃琮诚 ,  刘醇明 ,  沈育民 ,  张华伦

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/056 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0728

Abstract: 本发明提供了一种集成互补金属氧化物半导体-微型机电系统器件的制造方法，包括提供具有正面和背面的衬底。在所述衬底上形成有CMOS器件。MEMS器件也形成在所述衬底上。形成MEMS器件包括在所述衬底的正面上形成MEMS机械结构。然后释放所述MEMS机械结构。保护层形成在所述衬底的正面。保护层设置在释放的MEMS机械结构上(例如保护MEMS结构)。在将保护层设置到所述MEMS机械结构上的同时处理所述衬底的背面。

公开(公告)号：CN102757015B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201210248287.0

申请日：2010-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁凯智 ,  吴华书 ,  彭利群 ,  黃琮诚 ,  刘醇明 ,  沈育民 ,  张华伦

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/056 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0728

Abstract: 本发明提供了一种集成互补金属氧化物半导体-微型机电系统器件的制造方法，包括提供具有正面和背面的衬底。在所述衬底上形成有CMOS器件。MEMS器件也形成在所述衬底上。形成MEMS器件包括在所述衬底的正面上形成MEMS机械结构。然后释放所述MEMS机械结构。保护层形成在所述衬底的正面。保护层设置在释放的MEMS机械结构上(例如保护MEMS结构)。在将保护层设置到所述MEMS机械结构上的同时处理所述衬底的背面。