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公开(公告)号：CN103539062B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201210536917.4
申请日：2012-12-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00285 , B81B7/0038 , B81B7/02 , B81C2203/0172
Abstract: 本发明公开了MEMS器件、封装MEMS器件及其制造方法。在一个实施例中，微机电系统(MEMS)器件包括第一MEMS功能结构和第二MEMS功能结构。第二MEMS功能结构的内部区域的压力与第一MEMS功能结构的内部压力不同。
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公开(公告)号：CN103964376A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310148440.7
申请日：2013-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2203/0307 , B81B2207/012 , B81C1/00039 , B81C1/00261 , B81C2203/035
Abstract: 本发明公开了示例性双层微机电系统(MEMS)器件以及其制造方法。一种示例性方法包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，SOI衬底包括通过绝缘层隔开的第一硅层与第二硅层；对第一硅层进行处理以形成MEMS器件的第一结构层；将第一结构层接合至衬底；以及对第二硅层进行处理以形成MEMS器件的第二结构层。
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公开(公告)号：CN103193193A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210556596.4
申请日：2012-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00515 , B81B7/0006 , B81B7/0077 , B81B2201/0235 , B81B2203/0315 , B81B2207/07 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C1/00293 , B81C1/00301 , B81C2201/0132 , B81C2201/014 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/0145 , B81C2203/035 , H01L2224/11
Abstract: 微机电系统(MEMS)器件及其形成方法。该MEMS器件可以包括位于第一衬底上方的MEMS结构。该MEMS结构包括可移动元件。在第一衬底上方沉积第一导电材料并在第二衬底中蚀刻沟槽。用第二导电材料填充沟槽并在第二导电材料和第二衬底上方沉积第三导电材料。接合第一衬底和第二衬底并减薄第二衬底的背面，所述减薄暴露沟槽中的第二导电材料。
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公开(公告)号：CN103848390A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310067441.9
申请日：2013-03-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0078 , B81B3/0021 , B81B2203/01 , B81B2203/0118 , B81B2207/09 , B81C1/00182 , H01L29/84
Abstract: 本发明公开了具有自适应性衬底间接合的MEMS结构。公开了一种包含多个结合的衬底的MEMS结构和形成该MEMS结构的方法。示例性MEMS结构包括具有底面的第一衬底和具有与第一衬底的底面基本上平行的顶面的第二衬底。第一衬底的底面通过锚固件与第二衬底的顶面连接，从而使得锚固件未延伸穿过第一衬底的底面或第二衬底的顶面。该MEMS结构可以包括接触第一衬底的底面并且被塑造成至少部分地包围锚固件的接合层。
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公开(公告)号：CN102757015A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210248287.0
申请日：2010-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B2201/0257 , B81C2201/056 , B81C2203/0714 , B81C2203/0728
Abstract: 本发明提供了一种集成互补金属氧化物半导体-微型机电系统器件的制造方法，包括提供具有正面和背面的衬底。在所述衬底上形成有CMOS器件。MEMS器件也形成在所述衬底上。形成MEMS器件包括在所述衬底的正面上形成MEMS机械结构。然后释放所述MEMS机械结构。保护层形成在所述衬底的正面。保护层设置在释放的MEMS机械结构上(例如保护MEMS结构)。在将保护层设置到所述MEMS机械结构上的同时处理所述衬底的背面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102745638A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210057626.7
申请日：2012-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/84 , B81B2203/0307 , B81C1/00039 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了微机电系统(MEMS)器件和用于制造这种器件的方法。在实施例中，MEMS器件包括：衬底，位于衬底上方的介电层，位于介电层上方的蚀刻停止层，以及和位于介电层上方的两个定位塞，该两个定位塞均与设置在介电层上方的蚀刻停止层或顶部金属层相接触。该器件进一步包括设置在空腔上方的MEMS结构层，该空腔通过释放牺牲层而在两个定位塞之间和位于蚀刻停止层上方的位置上形成。本发明还提供了一种微机电器件蚀刻停止。
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公开(公告)号：CN103848390B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310067441.9
申请日：2013-03-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0078 , B81B3/0021 , B81B2203/01 , B81B2203/0118 , B81B2207/09 , B81C1/00182 , H01L29/84
Abstract: 本发明公开了具有自适应性衬底间接合的MEMS结构。公开了一种包含多个结合的衬底的MEMS结构和形成该MEMS结构的方法。示例性MEMS结构包括具有底面的第一衬底和具有与第一衬底的底面基本上平行的顶面的第二衬底。第一衬底的底面通过锚固件与第二衬底的顶面连接，从而使得锚固件未延伸穿过第一衬底的底面或第二衬底的顶面。该MEMS结构可以包括接触第一衬底的底面并且被塑造成至少部分地包围锚固件的接合层。
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公开(公告)号：CN103193193B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210556596.4
申请日：2012-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00515 , B81B7/0006 , B81B7/0077 , B81B2201/0235 , B81B2203/0315 , B81B2207/07 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C1/00293 , B81C1/00301 , B81C2201/0132 , B81C2201/014 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/0145 , B81C2203/035 , H01L2224/11
Abstract: 微机电系统(MEMS)器件及其形成方法。该MEMS器件可以包括位于第一衬底上方的MEMS结构。该MEMS结构包括可移动元件。在第一衬底上方沉积第一导电材料并在第二衬底中蚀刻沟槽。用第二导电材料填充沟槽并在第二导电材料和第二衬底上方沉积第三导电材料。接合第一衬底和第二衬底并减薄第二衬底的背面，所述减薄暴露沟槽中的第二导电材料。
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公开(公告)号：CN102757015B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201210248287.0
申请日：2010-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B2201/0257 , B81C2201/056 , B81C2203/0714 , B81C2203/0728
Abstract: 本发明提供了一种集成互补金属氧化物半导体-微型机电系统器件的制造方法，包括提供具有正面和背面的衬底。在所述衬底上形成有CMOS器件。MEMS器件也形成在所述衬底上。形成MEMS器件包括在所述衬底的正面上形成MEMS机械结构。然后释放所述MEMS机械结构。保护层形成在所述衬底的正面。保护层设置在释放的MEMS机械结构上(例如保护MEMS结构)。在将保护层设置到所述MEMS机械结构上的同时处理所述衬底的背面。
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公开(公告)号：CN103964376B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310148440.7
申请日：2013-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2203/0307 , B81B2207/012 , B81C1/00039 , B81C1/00261 , B81C2203/035
Abstract: 本发明公开了示例性双层微机电系统(MEMS)器件以及其制造方法。一种示例性方法包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，SOI衬底包括通过绝缘层隔开的第一硅层与第二硅层；对第一硅层进行处理以形成MEMS器件的第一结构层；将第一结构层接合至衬底；以及对第二硅层进行处理以形成MEMS器件的第二结构层。
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