公开(公告)号：CN113257914B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202010447490.5

申请日：2020-05-25

Applicant: 台积电(中国)有限公司 ,  台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李连杰 ,  卢彦彬 ,  韩峰 ,  张帅

IPC: H10D30/60 ,  H10D30/01 ,  H10D62/10

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括衬底、栅极结构、漂移区域、源极区域、漏极区域和掺杂区域。栅极结构位于衬底上方。漂移区域在衬底中并位于栅极结构下方。源极区域和漏极区域位于栅极结构的相反侧。漏极区域在漂移区域中，源极区域在漂移区域外。掺杂区域在漂移区域中，并位于漏极区域与栅极结构之间。掺杂区域与漏极区域的底表面间隔开。

公开(公告)号：CN114188414A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202011216548.1

申请日：2020-11-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  台积电(中国)有限公司

Inventor： 李连杰 ,  韩峰 ,  卢彦彬 ,  陈水良 ,  鲁建华

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及具有增强的安全操作区域的LDMOS及其制造方法。一种集成电路，包括：n型漂移区域；栅极结构，该栅极结构直接在n型漂移区域的第一部分上；漏极结构，该漏极结构形成在n型漂移区域的第二部分中，栅极结构和漏极结构隔开漂移区域长度；抗蚀剂保护氧化物(RPO)，该抗蚀剂保护氧化物形成在n型漂移区域中在栅极结构与漏极结构之间的部分之上；场板接触件，该场板接触件提供到抗蚀剂保护氧化物的直接电连接。

公开(公告)号：CN113257914A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202010447490.5

申请日：2020-05-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  台积电(中国)有限公司

Inventor： 李连杰 ,  卢彦彬 ,  韩峰 ,  张帅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括衬底、栅极结构、漂移区域、源极区域、漏极区域和掺杂区域。栅极结构位于衬底上方。漂移区域在衬底中并位于栅极结构下方。源极区域和漏极区域位于栅极结构的相反侧。漏极区域在漂移区域中，源极区域在漂移区域外。掺杂区域在漂移区域中，并位于漏极区域与栅极结构之间。掺杂区域与漏极区域的底表面间隔开。