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公开(公告)号：CN104508190B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201380039432.7
申请日：2013-05-24
申请人： 索尔伏打电流公司
CPC分类号： C30B25/14 , C23C16/301 , C23C16/45504 , C23C16/45519 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B11/12 , C30B23/007 , C30B25/005 , C30B25/025 , C30B29/06 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/42 , C30B29/60 , C30B29/62 , Y10T117/102
摘要： 一种气相纳米线生长装置，其包括反应室(200)、第一输入端和第二输入端(202B,202A)。第一输入端同心位于第二输入端内，并且第一输入端和第二输入端经布置，使得从第二输入端输送的第二流体在从第一输入端输送的第一流体和反应室壁之间提供包覆。可用催化剂颗粒气溶胶生长纳米线。
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公开(公告)号：CN101522959B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200780037926.6
申请日：2007-10-26
申请人： 长青太阳能股份有限公司
发明人： 莱奥·万格拉比克 , 布赖恩·阿奇利 , 罗伯特·E·雅诺赫 , 安德鲁·P·安塞尔莫 , 斯科特·赖特斯玛
CPC分类号： C30B15/005 , C30B15/34 , C30B33/00 , Y10T117/102
摘要： 一种用于生长带状晶体的熔炉，具有：通道，所述通道用于在给定方向以给定速率生长带状晶体；以及分离机构，所述分离机构用于从生长的带状晶体中分离一部分。当从所述生长的带状晶体分离所述部分的同时，所述分离机构的至少部分大约在所述给定方向并且大约以所述给定速率移动。
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公开(公告)号：CN101544372A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910127763.1
申请日：2009-03-25
申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC分类号： C01B33/035 , C30B28/14 , C30B29/06
CPC分类号： C01B33/035 , C23C16/4418 , Y10T117/10 , Y10T117/102
摘要： 本发明提供一种多晶硅制造装置，其不需增加电极数即可保持较多的硅芯棒。将沿上下方向延伸的硅芯棒(4)分别立设于配设在反应炉底板部(2)的多个电极上，向反应炉内供给原料气体，并从电极对硅芯棒通电来使硅芯棒发热，利用原料气体使该硅芯棒的表面析出多晶硅，其中，多个电极中的至少一部分是保持两根硅芯棒的两根用电极(5B)，并且该两根用电极具有以插入状态设于形成在底板部(2)上的贯通孔(25)内的电极座(26)、和隔开相互间隔地设于该电极座的上端部的一对芯棒保持部(27)，电极座的内部形成有供冷却介质流通的冷却流路(40)，与冷却流路(40)连通的冷却配管与贯通底板部(2)的电极座(26)的下端部连接。
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公开(公告)号：CN1890409A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200480035628.X
申请日：2004-04-21
申请人： 京半导体股份有限公司
发明人： 中田仗祐
IPC分类号： C30B30/00
CPC分类号： C30B35/00 , C30B11/00 , C30B11/003 , C30B11/008 , C30B29/60 , Y10T117/10 , Y10T117/102
摘要： 一种落下管式粒状结晶制造装置(1)，一边利用离心力使无机材料的粒状液滴从旋转坩埚的喷嘴喷出并使其在落下管内自由落下，一边将与落下管内壁面的接触作成凝固激发而使其急速凝固，制作大致球状的结晶体。坩埚(12)配设在落下管(4)的上端部并收容无机材料的融液，可围绕铅垂轴心旋转，在该坩埚(12)的外周部形成有相对于铅垂轴心放射状形成的小径的多个喷嘴(23)。坩埚(12)由旋转驱动装置(13)旋转驱动，坩埚(12)和收容于该坩埚(12)内的无机材料由加热装置(15)加热，通过气流形成装置(5)，在落下管(4)的内部形成冷却用气流。
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公开(公告)号：CN1124370C
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN97194954.9
申请日：1997-03-24
申请人： 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫
发明人： 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫
CPC分类号： H01J9/025 , C30B11/12 , C30B25/005 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , Y10T117/102
摘要： 本发明涉及在单晶衬底上生长定向晶须列阵的方法，该方法将待结晶材料从与晶须相同组分的固态源体气相迁移到覆盖着作为晶须生长成核/催化中心的液相颗粒的衬底上。源体的平面表面面对并且平行于衬底，以产生矢量-均匀的温度场，其梯度垂直于衬底和源。采用特殊设计的高频加热装置，其被安排在相对与高频电感器的特殊的位置上，来实现矢量-均匀温度场。激光器和/或灯热源既可以单独也可以组合用作高频热源。装置中，材料源被加热，衬底由材料源加热。在另一种情况下，衬底被加热，材料源由衬底加热。
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公开(公告)号：CN102719880A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210176999.6
申请日：2007-09-26
申请人： AMG艾迪卡斯特太阳能公司
发明人： 罗杰·F·克拉克
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/007 , C30B15/06 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/102 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068 , Y10T117/1092
摘要： 提供了用于生产进料材料的连续带状物的方法和设备。该设备包括：用于熔化进料材料的熔体腔室，其具有出口；安置为从熔体腔室的出口接纳熔化的进料材料的生长托盘；和位于熔体腔室的出口下游的除热装置，该除热装置与生长托盘中的熔化的进料材料隔开但是与该熔化的进料材料热连通，除热装置包括可调节装置，该可调节装置适于调节从生长托盘中的熔化的进料材料中辐射的热量。所述方法包括：在熔体腔室中熔化进料材料；使熔化的进料材料从熔体腔室流入生长托盘中并且允许其在生长托盘中形成水平的浅熔体池；通过从熔体池向上经过烟囱状物的热辐射而允许从熔体池的热损失；安置与熔体池接触的模板；以及从熔体池拉离模板由此生产带状物。
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公开(公告)号：CN101522960A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780036545.6
申请日：2007-09-26
申请人： BP北美公司
发明人： 罗杰·F·克拉克
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/007 , C30B15/06 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/102 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068 , Y10T117/1092
摘要： 一种用于从液体进料材料例如硅的熔体池连续地生产晶体带状物的设备和方法。使硅熔化并且流入生长托盘中以提供液体硅的熔体池。通过允许热从熔体池向上流经烟囱状物而被动地除热。在经过烟囱状物发生热损失时，同时对生长托盘加热以保持硅处于它的液相。当经过烟囱状物损失热时，模板被设置成与熔体池接触，从而硅开始“凝固”(即固化)并且附着到模板上。然后从熔体池提拉模板，由此生产晶体硅的连续带状物。
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公开(公告)号：CN101356305A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200680050429.5
申请日：2006-12-06
申请人： 阿波朗.索拉尔公司 , 西伯斯塔公司 , EFD感应股份有限公司
IPC分类号： C30B11/00
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/002 , Y10T117/10 , Y10T117/102 , Y10T117/1024 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
摘要： 通过热源(3)和冷却系统在结晶坩埚(1)中建立热梯度。所述冷却系统包括交换器(17)和可调节的附加热源(18)。优选地，所述冷却系统由感应线圈(10)(通过在该感应线圈(10)内循环的冷却剂冷却)和置于所述坩埚(1)和所述感应线圈(10)之间的导电感应感受器(11)构成。所述生产方法包括从顶部对坩埚(1)加热和通过交换器(17)和通过调节可调节的附加热源(18)控制来自坩埚(1)的热量向下排出。
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公开(公告)号：CN100406378C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200510078600.0
申请日：2001-05-09
申请人： 德山株式会社
IPC分类号： C01B33/02
CPC分类号： B01J19/24 , B01J10/005 , B01J2219/0009 , B01J2219/00094 , B01J2219/00159 , C01B33/03 , Y10S117/902 , Y10T117/1016 , Y10T117/102 , Y10T428/2982
摘要： 多晶硅的制造装置，具有在筒状容器中进行硅的析出·熔融、氯硅烷类的供给管被插到筒状容器内的硅熔融区，在筒状容器与氯硅烷类的供给管的间隙中供给密封气体。
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公开(公告)号：CN101074488A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710079489.6
申请日：2007-04-11
申请人： 史考特公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B11/003 , C30B35/002 , H01L31/04 , H01L31/1804 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T117/10 , Y10T117/102 , Y10T117/108 , Y10T117/1088 , Y10T117/1092
摘要： 本发明涉及一种使用垂直梯度凝固法制造单晶或多晶材料、尤其是用于光伏应用的硅的装置和方法。根据本发明实现少量的损耗，这是因为坩埚的横截面为多边形、尤其是长方形或正方形。在坩埚圆周四周安置扁平或平面的加热元件、尤其是夹套加热器，其产生不均匀的温度分布。这与坩埚中心所形成的温度梯度相对应。所述扁平加热元件的热输出从坩埚顶端到底端降低。所述扁平加热元件包含多个平行的加热辐板，所述辐板在垂直或水平蜿蜒路径上延伸。通过改变导体横截面来设定来自所述辐板的热输出。为避免坩埚角落区域中的局部过热，在所述辐板的蜿蜒路径的倒转区处设置横截面的收缩。所述扁平加热元件可由多个互连的个别区段形成。
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