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公开(公告)号：CN103713471B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201210378201.6
申请日：2012-10-08
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种关键尺寸测试的校正装置和方法，可以在Mask上设置至少一组Mark，利用所述Mask进行刻蚀工艺后在基板上形成的图形获知DICD的实际值，据此校正CD测试结果。本发明装置和方法，简化了DICD测试值的校准工作，并能够保证校准精度。
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公开(公告)号：CN103022031B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210475875.8
申请日：2012-11-21
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/786 , H01L21/77
摘要： 本发明提供了一种阵列基板及制作方法、显示装置，通过在GOA区域中，刻蚀掉的薄膜晶体管连接区域的栅极绝缘层、有源半导体层，而使薄膜晶体管连接区域中的透明导电层直接与薄膜晶体管的栅极引线、欧姆接触层、源漏极引出线以及基板直接接触，从而可减少的薄膜晶体管连接区域的透明导电层发生开裂的情况，而在GOA区域中薄膜晶体管所在区域，通过在欧姆接触层与有源半导体层之间增设绝缘阻挡层，从而避免薄膜晶体管发生沟道断开的现象。
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公开(公告)号：CN103022031A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210475875.8
申请日：2012-11-21
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/786 , H01L21/77
摘要： 本发明提供了一种阵列基板及制作方法、显示装置，通过在GOA区域中，刻蚀掉的薄膜晶体管连接区域的栅极绝缘层、有源半导体层，而使薄膜晶体管连接区域中的透明导电层直接与薄膜晶体管的栅极引线、欧姆接触层、源漏极引出线以及基板直接接触，从而可减少的薄膜晶体管连接区域的透明导电层发生开裂的情况，而在GOA区域中薄膜晶体管所在区域，通过在欧姆接触层与有源半导体层之间增设绝缘阻挡层，从而避免薄膜晶体管发生沟道断开的现象。
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公开(公告)号：CN103713471A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210378201.6
申请日：2012-10-08
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种关键尺寸测试的校正装置和方法，可以在Mask上设置至少一组Mark，利用所述Mask进行刻蚀工艺后在基板上形成的图形获知DICD的实际值，据此校正CD测试结果。本发明装置和方法，简化了DICD测试值的校准工作，并能够保证校准精度。
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公开(公告)号：CN102653860A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201110117442.0
申请日：2011-05-06
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
发明人： 刘同军
IPC分类号： C23C20/08
CPC分类号： C23C18/1216 , B05D3/02 , B05D5/12 , C23C18/1233 , C23C18/1245 , C23C18/1254 , C23C18/1279 , C23C18/1295 , H01B1/08
摘要： 本发明公开了一种透明导电薄膜及其制备方法，涉及液晶显示器制造领域，解决了现有技术制备透明导电薄膜时，原料和设备的成本高，且无法用于液晶显示器件像素电极的制备的问题。本发明实施例以草酸亚锡为原料，并用醋酸和氨水作为络合剂，形成了pH＝6.5～7.5的中性络合体系，还采用了三氟乙酸作为掺杂剂，形成了F离子的稳定掺杂，且掺杂效率高。由于采用了价格便宜的草酸亚锡为原料，并且只需要用涂布和热处理的方法就能在基板上形成需要的透明导电薄膜，因此降低了制备透明导电薄膜的原料和设备成本，且由中性络合体系形成的中性溶胶体系可使得该制备方法能用于液晶显示器件像素电极的制备，而不会侵蚀阵列基板的金属线。
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