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公开(公告)号：CN103135364A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310055981.5
申请日：2013-02-21
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70616 , G03F7/70525 , G03F7/70608
摘要： 本发明提供一种光刻工艺参数确定方法及装置，属于液晶显示领域。其中，该光刻工艺参数确定方法包括：在一张基板上形成多个不同膜厚的光刻胶区域；在预设的曝光模式下对所述基板上的光刻胶进行曝光显影，并测量每一光刻胶区域显影图案对应的光刻指标参数；确定所述光刻指标参数为最优时所对应的光刻胶膜厚和曝光模式。本发明的技术方案能够在仅使用一片基板的条件下，获取光刻指标参数最优时所对应的光刻工艺参数，大大减少了光刻胶和基板的使用，节约了测试时间。
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公开(公告)号：CN103713471A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210378201.6
申请日：2012-10-08
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种关键尺寸测试的校正装置和方法，可以在Mask上设置至少一组Mark，利用所述Mask进行刻蚀工艺后在基板上形成的图形获知DICD的实际值，据此校正CD测试结果。本发明装置和方法，简化了DICD测试值的校准工作，并能够保证校准精度。
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公开(公告)号：CN102998856A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210469712.9
申请日：2012-11-19
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1337 , G02F1/1333
CPC分类号： G02F1/13439 , G02F1/136204 , G02F2001/133337 , G02F2001/134372
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以分散液晶分子表面的直流残留，从而消除因直流残留引起的图像残像的现象。本发明提供的阵列基板包括：基板、基板上的像素电极、像素电极上方与像素电极相绝缘的公共电极，公共电极上的取向膜，还包括：与至少一个像素电极电性相连的至少一个用于分散液晶分子表面残留电荷的分流电极，所述分流电极位于所述取向膜不与液晶分子相接触的一侧。
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公开(公告)号：CN102998856B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210469712.9
申请日：2012-11-19
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1337 , G02F1/1333
CPC分类号： G02F1/13439 , G02F1/136204 , G02F2001/133337 , G02F2001/134372
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以分散液晶分子表面的直流残留，从而消除因直流残留引起的图像残像的现象。本发明提供的阵列基板包括：基板、基板上的像素电极、像素电极上方与像素电极相绝缘的公共电极，公共电极上的取向膜，还包括：与至少一个像素电极电性相连的至少一个用于分散液晶分子表面残留电荷的分流电极，所述分流电极位于所述取向膜不与液晶分子相接触的一侧。
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公开(公告)号：CN103713471B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201210378201.6
申请日：2012-10-08
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种关键尺寸测试的校正装置和方法，可以在Mask上设置至少一组Mark，利用所述Mask进行刻蚀工艺后在基板上形成的图形获知DICD的实际值，据此校正CD测试结果。本发明装置和方法，简化了DICD测试值的校准工作，并能够保证校准精度。
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公开(公告)号：CN103489894B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310468481.4
申请日：2013-10-09
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/56 , H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/3262 , H01L27/1214 , H01L27/3248 , H01L29/78675 , H01L29/7869 , H01L51/0541 , H01L2251/5353
摘要： 本发明提供一种有源矩阵有机电致发光显示器件、显示装置及其制作方法，所述有源矩阵有机电致发光显示器件包括衬底基板和形成于所述衬底基板上的多个像素单元，所述像素单元包括驱动区域和发光区域，所述驱动区域布置有至少两个薄膜晶体管；所述发光区域布置有通过所述薄膜晶体管驱动的有机电致发光结构；所述薄膜晶体管为顶栅极结构，包括：形成于所述衬底基板上的有源层；形成于所述有源层的远离所述衬底基板一侧的源、漏极；形成于所述源、漏极的远离所述有源层一侧，并覆盖整个所述驱动区域和所述发光区域的钝化层；形成于所述钝化层的远离所述源、漏极一侧的栅极。本发明有源矩阵有机电致发光显示器件提高薄膜晶体管导电性能，减少工艺制程。
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公开(公告)号：CN103489894A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310468481.4
申请日：2013-10-09
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/56 , H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/3262 , H01L27/1214 , H01L27/3248 , H01L29/78675 , H01L29/7869 , H01L51/0541 , H01L2251/5353
摘要： 本发明提供一种有源矩阵有机电致发光显示器件、显示装置及其制作方法，所述有源矩阵有机电致发光显示器件包括衬底基板和形成于所述衬底基板上的多个像素单元，所述像素单元包括驱动区域和发光区域，所述驱动区域布置有至少两个薄膜晶体管；所述发光区域布置有通过所述薄膜晶体管驱动的有机电致发光结构；所述薄膜晶体管为顶栅极结构，包括：形成于所述衬底基板上的有源层；形成于所述有源层的远离所述衬底基板一侧的源、漏极；形成于所述源、漏极的远离所述有源层一侧，并覆盖整个所述驱动区域和所述发光区域的钝化层；形成于所述钝化层的远离所述源、漏极一侧的栅极。本发明有源矩阵有机电致发光显示器件提高薄膜晶体管导电性能，减少工艺制程。
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公开(公告)号：CN202886793U
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201220612731.8
申请日：2012-11-19
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1343 , H01L27/12
摘要： 本实用新型公开了一种阵列基板、显示装置，用以分散液晶分子表面的直流残留，从而消除因直流残留引起的图像残像的现象。本实用新型提供的阵列基板包括：基板、基板上的像素电极、像素电极上方与像素电极相绝缘的公共电极，公共电极上的取向膜，还包括：与至少一个像素电极电性相连的至少一个用于分散液晶分子表面残留电荷的分流电极，所述分流电极位于所述取向膜不与液晶分子相接触的一侧。
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公开(公告)号：CN202453649U
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201220088615.0
申请日：2012-03-09
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及显示装置光刻制造工艺技术领域，特别是涉及一种低压干燥预烘装置，包括，上腔室，对应的设置于上腔室下方的下腔室，下腔室上设置有基台，上腔室固定在外固定装置上，上腔室面向下腔室的壁面上均匀设置有若干个真空管，下腔室的下方设置有升降梯。本装置通过均匀分布的真空管对面板进行PR胶溶剂的均匀抽取，能够避免由于溶剂含量的不均导致的差异效应，能够改善显影关键尺寸，提高显示品质；同时由于在下腔室上设置了带有温度传感器和加热控制器的热盘，实现了对面板的均匀预烘，避免了波纹现象的出现；由于真空管设置在固定的上腔室上，避免了来回的升降运动造成的真空管装置磨损。
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公开(公告)号：CN203085140U
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201320086089.9
申请日：2013-02-26
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09G3/36
摘要： 本实用新型公开了一种栅线集成驱动电路、阵列基板及显示装置，在栅线集成驱动电路的第一级移位寄存器的信号输入端与帧开启信号输出端之间设置了静电缓解单元，静电缓解单元为帧开启信号输出端由于静电感应而积聚的静电电荷提供了静电释放路径，提高了栅线集成驱动电路的静电释放能力，防止因过大的静电电流而烧毁帧开启信号线与第一级移位寄存器的连接处，避免帧开启信号无法加载到第一级移位寄存器上，使得栅线集成驱动电路不能正常工作，进而影响整个显示面板不能正常显示的问题。
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