公开(公告)号：CN104460227A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410776113.0

申请日：2014-12-15

申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 张磊 ,  罗祝义 ,  孟祥明 ,  尹镇镐 ,  郭建强 ,  廖洪林

IPC分类号： G03F1/76 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/2022 ,  G03F7/0007 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2008 ,  G03F7/203 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40 ,  G03F1/76 ,  H01L21/0274

摘要： 本发明实施例提供一种薄膜图案化的方法，涉及显示技术领域，能够解决制作线宽较小的薄膜层图案时，由于掩膜版开口区域较小，使得曝光不足，而引起的成膜缺陷。所述方法包括在基板的表面依次形成薄膜层和光刻胶；通过掩膜版对光刻胶进行第一次曝光，形成第一半固化区，第一半固化区光刻胶的曝光的能量小于光刻胶的感光阈值；通过掩膜版对光刻胶进行第二次曝光，在第一半固化区上形成固化区；其中，固化区的宽度小于第一半固化区的宽度，固化区光刻胶的曝光的能量大于等于光刻胶的感光阈值；将光刻胶进行显影；对未被光刻胶覆盖的薄膜层刻蚀；将固化区的光刻胶剥离。

公开(公告)号：CN104460227B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201410776113.0

申请日：2014-12-15

申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 张磊 ,  罗祝义 ,  孟祥明 ,  尹镇镐 ,  郭建强 ,  廖洪林

IPC分类号： G03F1/76 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/2022 ,  G03F7/0007 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2008 ,  G03F7/203 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40

摘要： 本发明实施例提供一种薄膜图案化的方法，涉及显示技术领域，能够解决制作线宽较小的薄膜层图案时，由于掩膜版开口区域较小，使得曝光不足，而引起的成膜缺陷。所述方法包括在基板的表面依次形成薄膜层和光刻胶；通过掩膜版对光刻胶进行第一次曝光，形成第一半固化区，第一半固化区光刻胶的曝光的能量小于光刻胶的感光阈值；通过掩膜版对光刻胶进行第二次曝光，在第一半固化区上形成固化区；其中，固化区的宽度小于第一半固化区的宽度，固化区光刻胶的曝光的能量大于等于光刻胶的感光阈值；将光刻胶进行显影；对未被光刻胶覆盖的薄膜层刻蚀；将固化区的光刻胶剥离。