一种SiC MOSFET结温监测电路和方法

    公开(公告)号:CN117741388B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410181872.6

    申请日:2024-02-19

    IPC分类号: G01R31/26 H03K5/24

    摘要: 本发明揭示了一种SiC MOSFET结温监测电路和方法,所述SiC MOSFET结温监测电路包括RC缓冲电路和信号调理电路;RC缓冲电路用于连接待测功率器件Q1的漏极和源极;RC缓冲电路用于捕获待测功率器件Q1开通时漏‑源电压的变化起始时刻,输出一电压信号,并将电压信号的幅值缩小至信号调理电路的安全阈值内;信号调理电路与RC缓冲电路的输出端相连;信号调理电路和待测功率器件Q1的栅极相连;信号调理电路用于对来自RC缓冲电路的电压信号进行运算处理,并与来自待测功率器件Q1的PWM信号进行逻辑比较,转换出表征待测功率器件Q1结温所需的温度敏感电参数。本发明能够提高温敏电参数的敏感度,且不需要在正常开关周期内添加额外的测试脉冲,实现器件结温的实时在线监测。

    一种SiC MOSFET结温监测电路和方法

    公开(公告)号:CN117741388A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202410181872.6

    申请日:2024-02-19

    IPC分类号: G01R31/26 H03K5/24

    摘要: 本发明揭示了一种SiC MOSFET结温监测电路和方法,所述SiC MOSFET结温监测电路包括RC缓冲电路和信号调理电路;RC缓冲电路用于连接待测功率器件Q1的漏极和源极;RC缓冲电路用于捕获待测功率器件Q1开通时漏‑源电压的变化起始时刻,输出一电压信号,并将电压信号的幅值缩小至信号调理电路的安全阈值内;信号调理电路与RC缓冲电路的输出端相连;信号调理电路和待测功率器件Q1的栅极相连;信号调理电路用于对来自RC缓冲电路的电压信号进行运算处理,并与来自待测功率器件Q1的PWM信号进行逻辑比较,转换出表征待测功率器件Q1结温所需的温度敏感电参数。本发明能够提高温敏电参数的敏感度,且不需要在正常开关周期内添加额外的测试脉冲,实现器件结温的实时在线监测。