公开(公告)号：CN108493347B

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN201810391450.6

申请日：2018-04-27

申请人： 合肥工业大学

发明人： 邱龙臻 ,  刘镇 ,  田丰收 ,  薛战 ,  王晓鸿 ,  陆红波 ,  张国兵

IPC分类号： H01L51/42

摘要： 本发明公开了一种高光暗电流比和高光响应度的有机光电探测器，包括顺次连接的：源漏电极、有源层、界面修饰层、绝缘层和栅极：其中，源漏电极的厚度为30纳米；有源层的厚度为60纳米到80纳米；界面修饰层的厚度6纳米到10纳米；绝缘层的厚度为300纳米；栅极的厚度为500微米。本发明通过将不同比例受体单元的给体‑受体多元无规共聚物半导体与极性分子进行共混后制备薄膜作为有机光电探测器的有源层，通过给体‑受体多元无规共聚物半导体中的受体单元的比例来调控有机光电探测器的光响应，实现高光暗电流比（P>106）和高光响应度(R=77A W‑1)。

公开(公告)号：CN108493347A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810391450.6

申请日：2018-04-27

申请人： 合肥工业大学

发明人： 邱龙臻 ,  刘镇 ,  田丰收 ,  薛战 ,  王晓鸿 ,  陆红波 ,  张国兵

IPC分类号： H01L51/42

摘要： 本发明公开了一种高光暗电流比和高光响应度的有机光电探测器，包括顺次连接的：源漏电极、有源层、界面修饰层、绝缘层和栅极：其中，源漏电极的厚度为30纳米；有源层的厚度为60纳米到80纳米；界面修饰层的厚度6纳米到10纳米；绝缘层的厚度为300纳米；栅极的厚度为500微米。本发明通过将不同比例受体单元的给体-受体多元无规共聚物半导体与极性分子进行共混后制备薄膜作为有机光电探测器的有源层，通过给体-受体多元无规共聚物半导体中的受体单元的比例来调控有机光电探测器的光响应，实现高光暗电流比（P>106）和高光响应度(R=77A W-1)。