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公开(公告)号：CN105242816B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201510456222.9
申请日：2015-07-28
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： G06F3/045
摘要： 本发明公开了一种基于电阻屏的多点触摸系统，用多层ITO交叉行列结构形式制作多点触摸屏，使其形成三个方向及以上的交叉电极层，排列成交叉矩阵形式。利用多层ITO形成交叉矩阵形式，使得每一个触摸点被多次扫描到。通常在其中一个电极层上以一定频率依次在各列中施加负脉冲电压，同时在其它各电极层上由一个上拉电阻施加高电平，然后从多个方向同时对其进行扫描，在将扫描的脉冲信号同时进行处理。本发明可以有效地去除伪触摸点，实现电阻屏的多点同时触摸。
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公开(公告)号：CN105842302B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201610229122.7
申请日：2016-04-12
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明公开了一种溶液法制备多孔有机半导体薄膜的方法及其应用，其特征在于：将高分子量的有机半导体与低分子量的低聚物溶解在有机溶剂中，获得共混溶液；通过溶液旋涂法将共混溶液旋涂在基底上形成共混薄膜，然后使用合适溶剂将共混薄膜中低分子量的低聚物溶解除去后，即获得多孔有机半导体薄膜。本发明通过溶液法制备多孔薄膜，方法简单、重复性好，对设备和工艺条件的要求较低，适用于大部分高分子半导体多孔薄膜的制备。本发明所得多孔有机半导体薄膜可用在气相传感器中，通过提供一种有效的气体分散通道，可显著提高有机半导体材料对相应气体分析物的检测效果。
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公开(公告)号：CN108493347B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201810391450.6
申请日：2018-04-27
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： H01L51/42
摘要： 本发明公开了一种高光暗电流比和高光响应度的有机光电探测器，包括顺次连接的：源漏电极、有源层、界面修饰层、绝缘层和栅极：其中，源漏电极的厚度为30纳米；有源层的厚度为60纳米到80纳米；界面修饰层的厚度6纳米到10纳米；绝缘层的厚度为300纳米；栅极的厚度为500微米。本发明通过将不同比例受体单元的给体‑受体多元无规共聚物半导体与极性分子进行共混后制备薄膜作为有机光电探测器的有源层，通过给体‑受体多元无规共聚物半导体中的受体单元的比例来调控有机光电探测器的光响应，实现高光暗电流比（P>106）和高光响应度(R=77A W‑1)。
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公开(公告)号：CN105842302A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610229122.7
申请日：2016-04-12
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： G01N27/12
CPC分类号： G01N27/126
摘要： 本发明公开了一种溶液法制备多孔有机半导体薄膜的方法及其应用，其特征在于：将高分子量的有机半导体与低分子量的低聚物溶解在有机溶剂中，获得共混溶液；通过溶液旋涂法将共混溶液旋涂在基底上形成共混薄膜，然后使用合适溶剂将共混薄膜中低分子量的低聚物溶解除去后，即获得多孔有机半导体薄膜。本发明通过溶液法制备多孔薄膜，方法简单、重复性好，对设备和工艺条件的要求较低，适用于大部分高分子半导体多孔薄膜的制备。本发明所得多孔有机半导体薄膜可用在气相传感器中，通过提供一种有效的气体分散通道，可显著提高有机半导体材料对相应气体分析物的检测效果。
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公开(公告)号：CN108493347A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810391450.6
申请日：2018-04-27
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： H01L51/42
摘要： 本发明公开了一种高光暗电流比和高光响应度的有机光电探测器，包括顺次连接的：源漏电极、有源层、界面修饰层、绝缘层和栅极：其中，源漏电极的厚度为30纳米；有源层的厚度为60纳米到80纳米；界面修饰层的厚度6纳米到10纳米；绝缘层的厚度为300纳米；栅极的厚度为500微米。本发明通过将不同比例受体单元的给体-受体多元无规共聚物半导体与极性分子进行共混后制备薄膜作为有机光电探测器的有源层，通过给体-受体多元无规共聚物半导体中的受体单元的比例来调控有机光电探测器的光响应，实现高光暗电流比（P>106）和高光响应度(R=77A W-1)。
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公开(公告)号：CN105468220A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510998985.6
申请日：2015-12-25
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： G06F3/045
CPC分类号： G06F3/045
摘要： 本发明公开了一种基于有源阵列的多点电阻触摸屏，包括两层上下层叠设置的透明介质，其中上层透明介质作为触摸层，下层透明介质作为检测层，触摸层底面设有整体式的导电膜，检测层顶面设有有源薄膜晶体管阵列，有源薄膜晶体管阵列的栅极与源极两个方向上电极交叉成矩阵形式，每个薄膜晶体管的漏极连接有一个矩形的导电膜。触摸层底面的导电膜连接到高电平信号，有源薄膜晶体管的栅极以一定的频率依次施加正脉冲电压，而源极加上低电平信号；从源极电极方向对其进行扫描，将扫描信号进行处理，最终确定多个触摸点的精确位置。本发明可以实现在多点触摸中对每个点的精确定位，从而可以实现多点的电阻触摸屏。
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公开(公告)号：CN105242816A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510456222.9
申请日：2015-07-28
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： G06F3/045
摘要： 本发明公开了一种基于电阻屏的多点触摸系统，用多层ITO交叉行列结构形式制作多点触摸屏，使其形成三个方向及以上的交叉电极层，排列成交叉矩阵形式。利用多层ITO形成交叉矩阵形式，使得每一个触摸点被多次扫描到。通常在其中一个电极层上以一定频率依次在各列中施加负脉冲电压，同时在其它各电极层上由一个上拉电阻施加高电平，然后从多个方向同时对其进行扫描，在将扫描的脉冲信号同时进行处理。本发明可以有效地去除伪触摸点，实现电阻屏的多点同时触摸。
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公开(公告)号：CN105183266A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510598340.3
申请日：2015-09-18
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： G06F3/045
摘要： 本发明公开了一种多点电阻触摸屏的结构，由两层内表面上设有导电膜的透明介质层叠组成，层间距离通过均匀设置透明绝缘间隔子控制。其中一层透明介质为检测层，检测层上的导电膜为至少两个方向的电极交叉形成的交叉阵列结构构成，每个方向中的多条电极相互平行排列，不同方向上的电极在空间上形成交叉阵列结构，在电极的交叉处设有绝缘层，采用搭线桥方式避免不同方向电极间短路连接。另一层透明介质为触摸层，其上的导电膜为整层结构。本发明将多方向电极制作在单层导电膜上，可以提高电阻触摸屏的灵敏度、延长器件的寿命还可以实现多点同时触摸。
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