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公开(公告)号：CN118550130A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410810217.2
申请日：2024-06-21
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： G02F1/137 , G02F1/1333 , G02F1/13
摘要： 本发明提供了一种热致多色显示液晶手写板，包括依次设置于壳体内的调温板、第二基板、第二导电层、液晶层、第一导电层和第一基板；所述液晶层按重量份数计，包括胆甾相液晶40‑60份和聚合物单体15‑50份，还包括间隔粒子和光引发剂，所述间隔粒子的质量为胆甾相液晶质量的1％‑3％，所述光引发剂的质量为聚合物单体质量的5‰‑3％；所述胆甾相液晶包括向列相液晶、含有强极性基团的液晶手性剂或非手性物质、高HTP值的液晶手性剂，且三者的质量比为(60‑90)：(10‑40)：(0.1‑5)；所述聚合物单体包括单官丙烯酸酯类单体、双官丙烯酸酯类单体、交联多官能团硫醇类单体，且三者的质量比为(3‑6)：(3‑6)：(1‑3)。本发明既实现了变色温度的调节，也实现了变色波长的调节。
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公开(公告)号：CN108493347B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201810391450.6
申请日：2018-04-27
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： H01L51/42
摘要： 本发明公开了一种高光暗电流比和高光响应度的有机光电探测器，包括顺次连接的：源漏电极、有源层、界面修饰层、绝缘层和栅极：其中，源漏电极的厚度为30纳米；有源层的厚度为60纳米到80纳米；界面修饰层的厚度6纳米到10纳米；绝缘层的厚度为300纳米；栅极的厚度为500微米。本发明通过将不同比例受体单元的给体‑受体多元无规共聚物半导体与极性分子进行共混后制备薄膜作为有机光电探测器的有源层，通过给体‑受体多元无规共聚物半导体中的受体单元的比例来调控有机光电探测器的光响应，实现高光暗电流比（P>106）和高光响应度(R=77A W‑1)。
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公开(公告)号：CN109796710B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201811568186.5
申请日：2018-12-21
申请人： 合肥工业大学
摘要： 本发明公开了一种氧化石墨烯稀土配合物复合紫外增强薄膜的制备方法，此方法将一类吸收波段在240‑400nm的稀土配合物荧光材料和PVA聚合物混在乙醇水溶液中，制备了高效紫外增强薄膜，并制备了相应的膜增强CCD。基于此，利用此种方法制备的紫外增强薄膜在光电探测尤其是紫外探测方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106532200B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201611164009.1
申请日：2016-12-16
申请人： 合肥工业大学
摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯电极的反射式液晶移相单元，包括有上、下两层介质基板，上、下两层介质基板的间隙中注入有液晶层，上层介质基板下表面设有若干通过连接线依次串联的金属贴片，形成一层金属微带结构；所述下层介质基板上表面全覆盖一层石墨烯层，形成石墨烯电极，下层介质基板下表面全覆盖一层金属层，形成金属接地电极。本发明采用电控的方式在宽频带内取得连续的相移特性，其有小型化，易于加工等特点。
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公开(公告)号：CN108598631B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201810353534.0
申请日：2018-04-19
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： H01P1/18
摘要： 本发明公开了一种基于图案化石墨烯电极的反射式双层液晶移相单元，包括有上、中、下三层介质基板，上、中两层介质基板的间隙中注入有液晶层一，上层介质基板下表面设有若干通过连接线依次串联的金属贴片，形成一层金属微带结构；在所述下层介质基板上表面全覆盖一层金属层，形成金属接地电极；中间层介质基板、金属接地层的间隙中注入有液晶层二，并在中层介质基板上表面设有与金属微带结构相同但厚度不同的石墨烯贴片层，作为石墨烯电极。本发明的移相单元可以分别实现两层液晶材料介电常数的电调节，从而增大了移相单元的工作带宽；同时，通过改变石墨烯电极的偏压，可以改变石墨烯的化学势能从而进一步增加了移相单元的工作带宽。
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公开(公告)号：CN106154603B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201610615534.4
申请日：2016-07-29
申请人： 合肥工业大学
摘要： 本发明公开了一种液晶移相单元及其构成的相控天线，其特征是由相互平行的上层介质基板和下层介质基板形成夹层，夹层中封闭有向列型液晶形成液晶层，在上层介质基板和下层介质基板的表面形成有金属微带结构，利用金属微带结构施加偏置电压，并在液晶层中形成偏置电场，使液晶层中液晶分子的排列方向发生改变，从而改变液晶层介电常数，改变反射波的相位；在由液晶移相单元形成的阵列中，通过在每个单元上施加不同的电压获得需要的相位分布，从而获得相应的波束指向或者实现波前赋形。本发明采用电控的方式改变移相特性，能工作在100‑1000GHz频段，其易于加工、小型化、低成本。
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公开(公告)号：CN107394318B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201710573041.3
申请日：2017-07-14
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： H01P1/18
摘要： 本发明公开了一种用于反射式可调移相器的液晶移相单元，包括有上、下两层介质基板，上、下两层介质基板的间隙中注入有液晶层，上层介质基板下侧设有金属微带贴片电极，下层介质基板上侧设有金属全反射接地电极，液晶层的上、下表面分别设有聚酰亚胺膜涂层；金属微带贴片电极包括有两个相同的偶极子贴片、一条偏置电压加载线、辅助电极，两个偶极子贴片平行布置，偏置电压加载线正交连接两个偶极子贴片构成贴片单元，辅助电极是一个四边形金属框，四边形金属框围绕整个贴片单元并与偏置电压加载线相连。本发明的辅助电极主体结构简单，降低了饱和偏置电压，可以用在微波、毫米波和太赫兹频段内的液晶反射式移相器及相控天线领域。
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公开(公告)号：CN107286291B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201710596291.9
申请日：2017-07-20
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： C08F222/20 , C08F222/24 , C08F2/48 , C09K11/06 , C09B57/00 , C09K19/20
摘要： 本发明公开了一种高偏振荧光薄膜的制备方法，将荧光二色性染料和一种可聚合的具有高度有序的近晶B相的液晶材料混合，得到二色性混合物，将二色性混合物在5µm反平行摩擦的液晶盒于近晶B相实现分子有序取向，进而在45℃下进行聚合制备成膜，实现高线偏振度。基于此，此类使分子取向制备高偏振薄膜的技术在光学和液晶显示领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106025452A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610416069.1
申请日：2016-06-08
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： H01P1/18
CPC分类号： H01P1/18
摘要： 本发明公开了一种移相单元及其构成的太赫兹反射式液晶移相器，移相单元包括介质基板、电极结构和液晶层，介质基板包括相对固定且相互平行的两块介质基片，电极结构包括两片微带贴片电极和一片金属反射电极，两片微带贴片电极分别设置在两块介质基片的相对面上，两片微带贴片电极呈镜像对称布置，金属反射电极设置在其中一块介质基片的另一面上，每片微带贴片电极的两侧边分别连接一根金属连接线，两块介质基片之间间隙中设有液晶层；太赫兹反射式液晶移相器包括数个移相单元，且每个移相单元添加不同的直流偏置电压。本发明提高了移相单元的性能，大大提高了移相范围，同时结构简单，制作工艺易实现，所需偏置电压较小，制作成本较低。
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