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公开(公告)号：CN116469799A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310359953.6
申请日：2023-04-06
申请人： 合肥工业大学
摘要： 本发明属于半导体和电子器件的微纳加工的技术领域，具体涉及一种针对气相金属辅助化学刻蚀的微波辅助装置。包括微波发生装置和立方体形的刻蚀腔室，微波发生装置的下端通过波导和刻蚀腔室的上端连通；刻蚀腔室内设有方形的晶圆托盘和用于水平支撑晶圆托盘的支撑机构；晶圆托盘的中部开设有圆槽，圆槽内配合设有硅晶圆，硅晶圆的中部沉积有金属催化剂薄膜；刻蚀腔室的上端分别安装有压强传感器、浓度传感器和浓度传感器，刻蚀腔室的底部一侧设有进气阀，另一侧设有抽气阀和排气阀；因此本发明能够有效提高刻蚀速率，并根据其微波增强的均匀性和选择性，减小刻蚀结构的孔隙率，提高侧壁垂直度，对于提高金属辅助化学刻蚀速率具有重大意义。
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公开(公告)号：CN115360496B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211055208.4
申请日：2022-08-30
申请人： 合肥工业大学
摘要： 本发明涉及基于金属辅助化学刻蚀的太赫兹高度差腔体器件的制备方法，属于微纳米器件技术领域。操作步骤：（1）在硅衬底片上金属辅助化学刻蚀出第一矩形槽、四个十字对准标记槽和第二矩形槽图案；（2）在硅衬底片上金属辅助化学刻蚀出二个以上矩形腔体和四个十字对准凹槽；（3）ICP制作出深度相同的三个以上腔体结构；（4）去除二氧化硅层，得到深度相同、隔壁高度不同的三个以上矩形谐振腔；（5）在矩形谐振腔表面均匀溅射金层，通过键合金层将新硅晶圆片键合在硅衬底片上，得到具有高度差异太赫兹空气腔体的结构件。用于制作滤波器的公差为5～30nm、垂直度为89°～90°、侧壁粗糙度小于10nm，使滤波器中心频带在太赫兹频段减少偏移。
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公开(公告)号：CN115360496A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211055208.4
申请日：2022-08-30
申请人： 合肥工业大学
摘要： 本发明涉及基于金属辅助化学刻蚀的太赫兹高度差腔体器件的制备方法，属于微纳米器件技术领域。操作步骤：（1）在硅衬底片上金属辅助化学刻蚀出第一矩形槽、四个十字对准标记槽和第二矩形槽图案；（2）在硅衬底片上金属辅助化学刻蚀出二个以上矩形腔体和四个十字对准凹槽；（3）ICP制作出深度相同的三个以上腔体结构；（4）去除二氧化硅层，得到深度相同、隔壁高度不同的三个以上矩形谐振腔；（5）在矩形谐振腔表面均匀溅射金层，通过键合金层将新硅晶圆片键合在硅衬底片上，得到具有高度差异太赫兹空气腔体的结构件。用于制作滤波器的公差为5～30nm、垂直度为89°～90°、侧壁粗糙度小于10nm，使滤波器中心频带在太赫兹频段减少偏移。
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公开(公告)号：CN113629374B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110887374.X
申请日：2021-08-03
申请人： 合肥工业大学
摘要： 本发明公开了一种基于金属辅助化学刻蚀的毫米波芯片腔体器件的制备方法，属于纳米器件技术领域。采用SOI晶片，制备操作步骤：（1）采用电感耦合等离子体刻蚀方法，在顶层硅层上制作图案轮廓；并溅射金；（2）双面曝光对准，在底层硅上制作对准标记凹槽；（3）利用电子束光刻技术在底层硅层上光刻出网格栅状图案，并镀金属层；采用金属辅助化学刻蚀方法在网格栅状图案上刻蚀，在底层硅层上形成一个大面积的腔体结构；（4）在大面积的腔体结构内溅射金属层，得到毫米波芯片腔体件。毫米波芯片腔体件的底层硅层上的腔体结构用于毫米波矩形波导、腔体滤波器无源器件的制作，顶层硅层用于有源器件的制作。本发明制作出的腔体内壁光滑、垂直度高。
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公开(公告)号：CN113629374A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110887374.X
申请日：2021-08-03
申请人： 合肥工业大学
摘要： 本发明公开了一种基于金属辅助化学刻蚀的毫米波芯片腔体器件的制备方法，属于纳米器件技术领域。采用SOI晶片，制备操作步骤：（1）采用电感耦合等离子体刻蚀方法，在顶层硅层上制作图案轮廓；并溅射金；（2）双面曝光对准，在底层硅上制作对准标记凹槽；（3）利用电子束光刻技术在底层硅层上光刻出网格栅状图案，并镀金属层；采用金属辅助化学刻蚀方法在网格栅状图案上刻蚀，在底层硅层上形成一个大面积的腔体结构；（4）在大面积的腔体结构内溅射金属层，得到毫米波芯片腔体件。毫米波芯片腔体件的底层硅层上的腔体结构用于毫米波矩形波导、腔体滤波器无源器件的制作，顶层硅层用于有源器件的制作。本发明制作出的腔体内壁光滑、垂直度高。
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