一种双非贵金属催化剂材料的制备方法及相应的材料

    公开(公告)号:CN117954642A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202410117500.7

    申请日:2024-01-29

    IPC分类号: H01M4/90 H01M4/88

    摘要: 本发明涉及燃料电池催化剂材料技术领域,涉及一种双非贵金属催化剂材料的制备方法及相应的材料,包括:采用六水合硝酸锌、2‑甲基咪唑、甲醇、二甲基甲酰胺、二价Cu盐和二价Mn盐,通过搅拌反应和高温烧结处理制备多面体催化剂前驱体;采用多面体催化剂前驱体、二价Cu盐、二价Mn盐、甲醇和二甲基甲酰胺,通过搅拌反应和高温烧结处理制备二次掺杂多面体催化剂前驱体;对碳纳米管进行活化处理,按配比将二次掺杂多面体催化剂前驱体、活化处理后的碳纳米管加入负载溶剂中进行超声复合负载,对超声复合负载后的溶液进行离心洗涤和干燥处理,获得双非贵金属催化剂材料。本发明可以在降低制备成本的同时提高催化剂的催化活性、导电性、稳定性和使用寿命。

    一种核壳结构YSZ@NiSm燃料电池阳极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN116979068A

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202311104139.6

    申请日:2023-08-30

    IPC分类号: H01M4/86 H01M4/88 H01M4/90

    摘要: 本发明属于复合材料技术领域,提供了一种核壳结构YSZ@NiSm燃料电池阳极材料的制备方法,首先通过溶液配制形成NiSm‑有机络合物,然后将络合物在YSZ表面包覆析出,最后对所得包覆物进行煅烧与还原,即获得目标产物。本发明可以制备表面包覆均匀的、具有核壳结构的YSZ@NiSm粉体,制备过程简单,由此制得的阳极材料具有更高的功率密度和良好的电化学性能,有良好的应用前景。

    一种微型角锥电感器的制备方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116487371A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202310227774.7

    申请日:2023-03-10

    IPC分类号: H01L23/64 H10N97/00

    摘要: 本发明涉及一种微型角锥电感器的制备方法,属于纳米电子器件技术领域。制备操作步骤:(1)在硅衬底上依次沉积牺牲层和应力层;(2)采用感应耦合等离子体刻蚀方法经第一次光刻确定操作台;(3)采用电子束蒸发镀膜方法经第二次光刻后沉积金属层,采用原子层层积方法沉积保护层;(4)第三次光刻确定刻蚀窗口,刻蚀牺牲层触发薄膜自卷曲,得到标准自卷曲电感;(5)对标准自卷曲电感退火处理,产生应力差,得到角锥电感。本发明的微型角锥电感器有着大的自谐振频率和品质因数,在宽频带内有着良好的使用效果,在具有较小尺寸的同时,电感器的结构参数可调。

    一种具有高品质因数的自卷曲电感的制备方法

    公开(公告)号:CN115881417A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202211561908.0

    申请日:2022-12-07

    发明人: 黄文 汪颖 张子涵

    IPC分类号: H01F41/02

    摘要: 本发明公开一种具有高品质因数的自卷曲电感的制备方法,属于电子器件技术领域。制备操作步骤:(1)在衬底上沉积牺牲层,第一次光刻确定操作台面;(2)利用原子层沉积方法沉积氧化保护层;(3)沉积金属应变层,得到U型金属图案;(4)通过干法刻蚀或湿法刻蚀,刻蚀牺牲层,利用金属应变层的金属薄膜应力,触发卷曲得到金属结构的自卷曲电感;(5)对金属结构的自卷曲电感镀金或镀铜处理,得到一种具有高品质因数的自卷曲电感。本发明的自卷曲电感,其应变层由金属薄膜构成能够减小趋肤效应,提升品质因数。而且卷曲后的电感经镀金或镀铜处理后,能够增加金属薄膜的厚度,使品质因数提高到非金属应变层结构电感的2~30倍。

    基于金属辅助化学刻蚀的太赫兹高度差腔体器件的制备方法

    公开(公告)号:CN115360496A

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN202211055208.4

    申请日:2022-08-30

    IPC分类号: H01P11/00 H01P1/208 B81C1/00

    摘要: 本发明涉及基于金属辅助化学刻蚀的太赫兹高度差腔体器件的制备方法,属于微纳米器件技术领域。操作步骤:(1)在硅衬底片上金属辅助化学刻蚀出第一矩形槽、四个十字对准标记槽和第二矩形槽图案;(2)在硅衬底片上金属辅助化学刻蚀出二个以上矩形腔体和四个十字对准凹槽;(3)ICP制作出深度相同的三个以上腔体结构;(4)去除二氧化硅层,得到深度相同、隔壁高度不同的三个以上矩形谐振腔;(5)在矩形谐振腔表面均匀溅射金层,通过键合金层将新硅晶圆片键合在硅衬底片上,得到具有高度差异太赫兹空气腔体的结构件。用于制作滤波器的公差为5~30nm、垂直度为89°~90°、侧壁粗糙度小于10nm,使滤波器中心频带在太赫兹频段减少偏移。

    一种具有双室结构的烘干装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115325788A

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202210996731.0

    申请日:2022-08-19

    摘要: 本发明属于烘干设备技术领域,提供一种具有双室结构的烘干装置,本发明具有双室结构的烘干装置,包括:箱体、加热模块、真空模块以及气氛控制模块,其中,箱体设置第一腔室和第二腔室,第一腔室和第二腔室通过设置有阀门连通孔的内隔离门隔开,第二腔室的外侧设置外隔离门;加热模块设置在第一腔室内,真空模块与气氛控制模块分别与第二腔室连通。根据本发明示例性实施例的具有双室结构的烘干装置,通过加热模块、真空模块、气氛控制模块以及双室结构的综合结构设计,可以为不同的试样材料匹配不同的烘干模式;尤其适用于易氧化、微观形貌结构易破坏材料的烘干处理。

    一种自卷曲交指结构的静电微执行器

    公开(公告)号:CN113460953A

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202110849458.4

    申请日:2021-07-27

    IPC分类号: B81B7/02 B81B7/00

    摘要: 本发明公开一种自卷曲交指结构的静电微执行器,属于自动控制和微纳技术领域。包括在硅衬底片上自卷曲形成多圈管状的自卷曲微管;自卷曲微管自外向内依次包括第一保护层、应力层、导电层及第二保护层;应力层用于使本体卷曲,导电层为良导体材料制成的交指结构。卷曲之后在两端馈线通不同电压,形成电势差。交指结构的尺寸以及每圈交指的数目都对变形效果产生影响。该静电微执行器最大变形情况下可实现维度转换,从平面结构到立体结构再到平面结构,相比于静电悬臂梁等微执行器,在形变位移上具有明显优势。自卷曲技术实现了小电极间距,极大程度的利用了静电力。

    一种基于相变材料的可重定义微波器件

    公开(公告)号:CN110401031B

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN201910649415.4

    申请日:2019-07-18

    摘要: 本发明涉及一种基于相变材料的可重定义微波器件。包括介质基板,在介质基板的顶面中部设有辐射贴片、传输线、通断传输线和两块匹配单元;介质基板的底面为金属接地板;通断传输线和匹配单元的材料均为二氧化钒;利用匹配单元的低电导率和通断传输线的低电导率组合实现微波贴片天线的功能;利用通断传输线相变前低电导率、匹配单元相变后高电导率的性能组合形成微波能量衰减传输,实现微波衰减器的功能;利用通断传输线相变后高电导率、匹配单元相变后高电导率的性能与金属贴片一起构成选频电路,组合形成微波信号滤波传输,实现微波滤波器的功能。本发明降低了微波器件的成本,解决了因微波器件小型化造成的器件堆叠问题,提高了电磁兼容性能。

    双频段稀疏毫米波阵列成像方法及系统

    公开(公告)号:CN118519144A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202410679541.5

    申请日:2024-05-29

    IPC分类号: G01S13/89 G01S7/41

    摘要: 本发明公开了一种双频段稀疏毫米波阵列成像方法,包括:采集目标反射回来的来自双频段稀疏毫米波阵列系统发射的不同频段信号的回波;根据压缩感知和传统成像模型,处理回波数据获得一个粗略的初值,同时构造维度分解中距离像观测矩阵;搭建迭代模型,利用距离像观测矩阵进行迭代距离信息;相干处理距离信息后获取目标表征曲面投影信息,构造维度分解中表征曲面观测矩阵;向表征曲面投影信息中加入自适应比例因子用作重构曲面过程中的粗略初值。再次利用表征曲面观测矩阵执行迭代重构三维曲面信息,最终重构出三维图像。本发明解决了非连续频带拼接和空间稀疏采样带来的重构图像模糊及距离像伪影。可以极大地降低成本,提高效率。

    一种基于二氧化钒相变薄膜的可重定义平面微波器件

    公开(公告)号:CN116995421A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202310985082.9

    申请日:2023-08-07

    摘要: 本发明涉及一种基于二氧化钒相变薄膜的可重定义平面微波器件,属于微波器件技术领域。包括依次连接的相变贴片阵列、介质基板和金属接地板。相变贴片阵列包括若干均匀排列的相变薄膜块,相邻相变薄膜块之间设有导电海绵;相变贴片阵列一端连接着传输线和输入端口,另一端连接着重构传输线和重构端口。相变薄膜块、传输线和重构传输线的材料均为二氧化钒。当以不同的组合加热传输线、重构传输线和若干相变薄膜块至68~72℃时,二氧化钒发生相变,由非金属态转变为金属态,此时器件表面结构分为相变区域和非相变区域,相变区域等效替代微带金属,分别形成两种甲字形平面微带贴片天线、两种微波平面蛇形电感和平面微带电容的可重定义平面微波器件。