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公开(公告)号：CN115481904A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211157908.4
申请日：2022-09-22
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明属于湿地废水处理技术领域，用于解决现有废水处理处理厂难以对每个处理日的废水处理效果进行准确监控，且不能根据往期历史处理数据来对后续单日废水处理量进行科学规划的问题，具体是一种基于智能人工湿地的废水处理效率管理系统，包括废水处理管控平台，废水处理管控平台通信连接监控检验模块、效率分析模块和统筹规划模块；本发明是通过监控检验模块对废水处理厂废水处理效果进行准确监控，效率分析模块根据往期历史处理数据对后续单日废水处理量进行科学规划，废水处理效果和处理效率得以有效兼顾，统筹规划模块进行统筹分析以在需要时加强统筹废水处理厂之间的合作。
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公开(公告)号：CN108271025B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201810060934.2
申请日：2018-01-22
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H04N19/176 , H04N19/119 , H04N19/593 , H04N19/436 , H04N13/161
Abstract: 本发明公开了一种基于边界梯度的3D视频编解码中深度建模模式的编码电路及其编码方法，包括输入数据处理模块、粗搜索模块和精搜索模块；输入数据处理模块为外部参考数据向模块内输入的通道，并对梯度数据进行处理；粗搜索模块用于对深度图进行初次预测；精搜索模块用于对粗搜索得到的预测结果进行再次精预测。本发明能够减少编码时间，降低电路的计算量，并且降低电路的功耗，从而提升整个视频编码电路的性能。
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公开(公告)号：CN109896895A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910264127.7
申请日：2019-04-03
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种温控缓释氮肥的制备方法，将尿素颗粒作为主要材料，使用蜡质或油脂作为温控层包衣材料，使用生物可降解的高分子材料作为缓释层包衣材料，通过两个功能包衣层的不同配比达到不同的温控释效果，再通过流化床进行包衣操作，操作简便，适于工业化生产，该温控型缓释氮肥在低温下不释放，可随土壤温度升高在指定温度下开始释放，在土壤中缓释时间从10d-90d可控，满足不同植物在生长期的氮源供应，该温控型缓释氮肥生产过程简单，可大幅度降低氮肥施用量及施用次数，节省人工成本且对环境友好能大幅度减少肥料流失从而减少富营养化现象。
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公开(公告)号：CN108271025A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810060934.2
申请日：2018-01-22
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H04N19/176 , H04N19/119 , H04N19/593 , H04N19/436 , H04N13/161
Abstract: 本发明公开了一种基于边界梯度的3D视频编解码中深度建模模式的编码电路及其编码方法，包括输入数据处理模块、粗搜索模块和精搜索模块；输入数据处理模块为外部参考数据向模块内输入的通道，并对梯度数据进行处理；粗搜索模块用于对深度图进行初次预测；精搜索模块用于对粗搜索得到的预测结果进行再次精预测。本发明能够减少编码时间，降低电路的计算量，并且降低电路的功耗，从而提升整个视频编码电路的性能。
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公开(公告)号：CN103824937B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201410066746.2
申请日：2014-02-26
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高速纳米两端非易失性存储器及其制备方法，其特征是：存储器是在绝缘衬底上分布有p型掺杂一维纳米材料、石墨烯电极和金属电极，石墨烯电极和金属电极通过p型掺杂一维纳米材料连通；p型掺杂一维纳米材料为p型掺杂ZnS一维纳米材料或p型掺杂ZnSe一维纳米材料；金属电极为Cu电极或Ag电极。本发明的高速纳米两端非易失性存储器制备方法简单、易于控制、成品率高、便于应用于大规模的集成，且本发明所制备的存储器具有编程电压低、读/写速度快和保持时间长等优异特性，将在开发低功耗、高速、高集成度存储器中具有潜在的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104269461B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410500670.X
申请日：2014-09-26
Applicant: 合肥工业大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 针对现有技术制备In2S3缓冲层时的不足，本发明提供一种新的n型In2S3缓冲层的成膜方法和应用。本发明的成膜方法，由制备In2S3饼块、制备In2S3靶材块、制备In2S3薄膜、退火并获得电阻率不大于为5×10-3 Ω·cm的n型硫化铟的缓冲层。由本发明产物获得的太阳能电池其开路电压为0.29 V、短路电流为7.7 nA。有益的技术效果：本发明的成膜方法和产物具有薄膜均匀一致性好、导电性良好、化学组成稳定、无环境污染等的优点。
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公开(公告)号：CN103366972B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310290351.6
申请日：2013-07-10
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01G11/86
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种多壁碳纳米管/聚苯胺纳米纤维复合材料超级电容器电极的制备方法，其特征是按如下步骤进行：首先利用聚苯乙烯磺酸分散多壁碳纳米管，然后制备聚苯胺纳米纤维，最后制备多壁碳纳米管/聚苯胺纳米纤维复合材料超级电容器电极。本发明以碳纳米管/聚苯胺纳米纤维复合材料制备超级电容器的电极，制备方法简单，适用于工业化生产，且本发明所制备的超级电容器电极的导电性高、等效电阻低、充放电循环稳定性高。
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公开(公告)号：CN104269461A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410500670.X
申请日：2014-09-26
Applicant: 合肥工业大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , C23C14/0623 , C23C14/28
Abstract: 针对现有技术制备In2S3缓冲层时的不足，本发明提供一种新的n型In2S3缓冲层的成膜方法和应用。本发明的成膜方法，由制备In2S3饼块、制备In2S3靶材块、制备In2S3薄膜、退火并获得电阻率不大于为5×10-3Ω·cm的n型硫化铟的缓冲层。由本发明产物获得的太阳能电池其开路电压为0.29V、短路电流为7.7nA。有益的技术效果：本发明的成膜方法和产物具有薄膜均匀一致性好、导电性良好、化学组成稳定、无环境污染等的优点。
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公开(公告)号：CN104183665A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410427657.6
申请日：2012-07-13
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/0224 , H01L31/18 , B82Y15/00
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/035227 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于p-型ZnSe纳米线/n-型Si异质结的光电探测器的制备方法，其特征是首先通过热蒸发的方法在三温区管式炉中合成制备p-型ZnSe纳米线，对n-型重掺杂Si片进行预处理，再用镊子将制备所得的p-型ZnSe纳米线呈片状揭下，揭下的片状p-型ZnSe纳米线平铺于备用重掺杂Si片上；所述片状p-型ZnSe纳米线不大于备用重掺杂Si片的面积；最后在片状p-型ZnSe纳米线的四周平辅绝缘层，再在片状p-型ZnSe纳米线上铺石墨烯电极，以使在感光层与石墨烯电极之间为欧姆接触，并且在n-型掺杂Si片与石墨烯电极之间为绝缘。本发明能有效增强纳米光电探测器的电信号，提高其开关比，增大光电探测器感光层面积。
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公开(公告)号：CN102751374B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201210243428.X
申请日：2012-07-13
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/0224 , H01L31/18 , B82Y15/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于p-型ZnSe纳米线/n-型Si异质结的光电探测器，其特征是光电探测器的结构层自下而上依次为：n-型掺杂Si片、感光层和石墨烯电极，感光层为p-型ZnSe纳米线，感光层与石墨烯电极之间为欧姆接触，在感光层的外围、位于n-型掺杂Si片与石墨烯电极之间设置有绝缘层，以绝缘层在n-型掺杂Si片与石墨烯电极之间进行绝缘。本发明能有效增强纳米光电探测器的电信号，提高其开关比，增大光电探测器感光层面积。
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