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公开(公告)号:CN118326360A
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202410463958.8
申请日:2024-04-17
申请人: 合肥工业大学智能制造技术研究院 , 合肥工业大学
摘要: 本发明公开了一种增大氧化速率的方法,是在通过辉光放电产生氧等离子体对样品表面进行氧化时,在样品表面施加磁场,通过磁场增大辉光放电气体电离率,提升氧等离子体浓度,从而增大样品表面氧化速率。本发明的方法可以显著提升材料的氧化速率,并且可以制备常规氧化方法难以制备的过氧化物及形成核壳结构,效率高,氧化过程稳定可控。
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公开(公告)号:CN115101254A
公开(公告)日:2022-09-23
申请号:CN202210751875.X
申请日:2022-06-28
申请人: 合肥工业大学智能制造技术研究院 , 合肥工业大学
摘要: 本发明公开了一种提高介质/Cu/Ag/介质多层透明导电膜可见光区光电性能和透过率均匀性的方法,是在基底上依次沉积底层介质薄膜和Cu薄膜后,先在空气中放置一段时间,然后再依次沉积Ag薄膜和顶层介质薄膜。在空气中放置可以改变Cu的化学状态,进而增强了对Ag薄膜岛状生长的抑制效果,从而同时提高了多层透明导电膜可见光区光电性能和透过率均匀性。
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公开(公告)号:CN104766894A
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201510164428.4
申请日:2015-04-08
申请人: 合肥工业大学
IPC分类号: H01L31/0224 , H01B5/14
CPC分类号: H01L31/0224 , H01B5/14
摘要: 本发明公开了一种提高介质/金属/介质电极光电性能的方法,其特征是:在制备介质/金属/介质电极时,当依次完成底层介质薄膜和中间层金属薄膜的沉积后,先用氩等离子体辐照所述金属薄膜,然后再沉积上层介质薄膜。本发明通过氩等离子体辐照提高了介质/金属/介质电极的光电性能,使电极在导电性基本不变的情况下,光透过率得到明显提高;本发明的方法简单、易于实现。
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公开(公告)号:CN114752905A
公开(公告)日:2022-07-15
申请号:CN202210399672.9
申请日:2022-04-15
申请人: 合肥工业大学
摘要: 本发明公开了一种提高铜纳米颗粒表面等离激元共振稳定性的方法,是对铜纳米颗粒进行氧等离子体辐照,从而提高铜纳米颗粒的表面等离激元共振稳定性。本发明采取氧等离子体快速氧化技术,从铜纳米颗粒表面生长出壳层,阻止外部空气进入内部,从而维持铜纳米颗粒的表面等离激元共振稳定性,效果显著、效率高、操作简单。
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