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公开(公告)号：CN109285781B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201811151499.0
申请日：2018-09-29
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
摘要： 本发明涉及显示设备技术领域，公开了一种薄膜晶体管的制备方法，该薄膜晶体管的制备方法包括：在基板上形成第一透明导电层和第一金属层；对第一金属层以及第一透明导电层进行第一次刻蚀，对第一透明导电层进行刻蚀形成第一透明电极和第二透明电极；对第一金属层进行第二次刻蚀以露出第二透明电极；对第二透明电极进行氧离子注入处理以使其表面注入氧离子；在第一金属层和第二透明电极背离基板的一侧沉积第一绝缘层后进行退火处理。该薄膜晶体管的制备方法采用四次掩膜工艺和氧离子注入及退火处理工艺，有效降低了第二透明电极电阻和应力，消除了晶格缺陷，从而有效提高了透过率。
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公开(公告)号：CN111176011A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010102040.2
申请日：2020-02-19
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/1333 , G02F1/1362
摘要： 本发明是关于一种阵列基板制作方法、阵列基板及液晶显示装置，涉及显示技术领域。主要采用的技术方案为：第一氧化铟锡膜层的制作方法包括：层叠制作氧化铟锡膜层和金属保护层；于金属保护层背离氧化铟锡膜层一侧制作光刻胶层，采用半灰阶光罩工艺曝光，使光刻胶层形成第一光刻胶区和第二光刻胶区，所述第一光刻胶区对应红色像素区域和绿色像素区域，所述第二光刻胶区对应蓝色像素区域，所述第一光刻胶区的厚度小于所述第二光刻胶区的厚度；第一次刻蚀；灰化处理；第二次刻蚀；将所述第二光刻胶区剥离；将所述氧化铟锡膜层和所述金属保护层退火处理；第三次刻蚀；最终得到第一氧化铟锡膜层。采用本方法制作的阵列基板，可以降低蓝光对眼睛的伤害。
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公开(公告)号：CN111258125B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202010105103.X
申请日：2020-02-20
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1339 , H01L27/12
摘要： 本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可以避免有机绝缘层产生的气体，导致显示面板显示故障；还可以避免水汽、氧气进入到显示面板的显示区，影响显示面板的显示效果。一种显示面板具有显示区；显示面板包括相互对合的阵列基板和对盒基板、以及设置于阵列基板与对盒基板之间的封框胶；阵列基板包括平坦层；沿阵列基板指向对盒基板的方向，平坦层包括依次层叠设置的第一无机绝缘层、有机绝缘层、第二无机绝缘层，阵列基板还包括设置于有机绝缘层与第二无机绝缘层之间的交联图案；交联图案位于封框胶背离显示区一侧。
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公开(公告)号：CN110047738B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201910332924.4
申请日：2019-04-24
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/34 , H01L29/786 , G02F1/1333 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 本发明提供一种掩膜版、薄膜晶体管和阵列基板及制作方法、显示装置，薄膜晶体管的制作方法包括：形成栅极、栅极绝缘层、有源层和绝缘保护层，在绝缘保护层上形成光阻，采用掩膜版形成光阻图案，光阻图案包括：光阻全保留区域，第一光阻部分保留区域，第二光阻部分保留区域和光阻去除区域，第二光阻部分保留区域的厚度小于第一光阻部分保留区域的厚度；对光阻图案和绝缘保护层进行刻蚀，使光阻全保留区域和第一光阻部分保留区域的厚度被减薄，第二光阻部分保留区域的光阻完全被消除，绝缘保护层的未被光阻覆盖的部分形成开孔；形成源漏金属层；剥离剩余光阻及位于剩余光阻上的源漏金属层，形成源极和漏极。本发明可以实现栅极和源/漏极的自对准。
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公开(公告)号：CN111258125A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010105103.X
申请日：2020-02-20
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1339 , H01L27/12
摘要： 本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可以避免有机绝缘层产生的气体，导致显示面板显示故障；还可以避免水汽、氧气进入到显示面板的显示区，影响显示面板的显示效果。一种显示面板具有显示区；显示面板包括相互对合的阵列基板和对盒基板、以及设置于阵列基板与对盒基板之间的封框胶；阵列基板包括平坦层；沿阵列基板指向对盒基板的方向，平坦层包括依次层叠设置的第一无机绝缘层、有机绝缘层、第二无机绝缘层，阵列基板还包括设置于有机绝缘层与第二无机绝缘层之间的交联图案；交联图案位于封框胶背离显示区一侧。
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公开(公告)号：CN116210080A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180002779.9
申请日：2021-09-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要： 一种阵列基板及制备方法、显示面板及制备方法、显示装置；阵列基板的制备方法包括：依次形成第一电极材料层(81)、导电增强材料层(82)和保护材料层(83)，保护材料层(83)的抗氧化性强于导电增强材料层(82)的抗氧化性；在保护材料层(83)的远离第一电极材料层(81)的一侧形成掩模图案(92)，掩模图案(92)包括第一部分(921)和第二部分(922)，第一部分(921)的厚度大于第二部分(922)的厚度；对掩模图案(92)进行灰化，以去除第二部分(922)使第二部分(922)覆盖的保护材料层(83)裸露；对第一电极材料层(81)进行图案化处理形成第一电极(811)；对保护材料层(83)以及导电增强材料层(82)进行图案化处理对应形成保护层(831)和导电增强层(821)。避免第一电极(811)的断开的不良。
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公开(公告)号：CN115483226A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110602382.5
申请日：2021-05-31
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1345
摘要： 本发明的实施例公开一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板。该方法包括：在衬底上形成TFT晶体管，包括栅极、栅极绝缘层、有源区、源极和漏极；形成第一无机膜层，覆盖所述显示区；在第一无机膜层上形成第一有机膜区，露出漏极对应的第一无机膜层；形成第二无机膜层，包覆第一有机膜区；在靠近漏极的第二无机膜层上形成公共电极；形成第三无机膜层，覆盖显示区；形成开孔，以露出漏极；在靠近漏极的第三无机膜层上形成像素电极，像素电极与漏极电连接。本发明通过在有机膜层上形成一层高密度的无机膜层作为保护层，从而使得在后续步骤制作公共电极时，使用剥离液剥离光刻胶时，剥离液与有机膜区无法接触，从而有机膜区也就不会出现溶胀。
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公开(公告)号：CN110047738A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910332924.4
申请日：2019-04-24
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/34 , H01L29/786 , G02F1/1333 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 本发明提供一种掩膜版、薄膜晶体管和阵列基板及制作方法、显示装置，薄膜晶体管的制作方法包括：形成栅极、栅极绝缘层、有源层和绝缘保护层，在绝缘保护层上形成光阻，采用掩膜版形成光阻图案，光阻图案包括：光阻全保留区域，第一光阻部分保留区域，第二光阻部分保留区域和光阻去除区域，第二光阻部分保留区域的厚度小于第一光阻部分保留区域的厚度；对光阻图案和绝缘保护层进行刻蚀，使光阻全保留区域和第一光阻部分保留区域的厚度被减薄，第二光阻部分保留区域的光阻完全被消除，绝缘保护层的未被光阻覆盖的部分形成开孔；形成源漏金属层；剥离剩余光阻及位于剩余光阻上的源漏金属层，形成源极和漏极。本发明可以实现栅极和源/漏极的自对准。
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公开(公告)号：CN109378317A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811186814.3
申请日：2018-10-12
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/84
摘要： 本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置。阵列基板包括在基底上叠设的第一电极、第一绝缘层、有源层和第二电极，所述有源层分别与所述第一电极和第二电极连接，所述第一绝缘层设置有侧壁，所述有源层中设置在所述侧壁上的沟道部作为导电沟道。本发明通过在第一绝缘层构造的侧壁上形成导电沟道，突破了现有技术极限，有效减小了沟道长度，甚至有可能将沟道长度减小一个数量级，进而最大限度地减小了沟道电阻，提升了开态电流，降低了功耗，大幅度提升了产品性能。
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公开(公告)号：CN118542090A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202280005224.4
申请日：2022-12-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要： 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置；该阵列基板(100)具有显示区(AA)和设于显示区(AA)至少一侧的过渡区(DUM)，该阵列基板(100)包括第一衬底基板(1)、绝缘层组(3)、第一电极层(4)以及导电增强层(5)；绝缘层组(3)设于第一衬底基板(1)的一侧，绝缘层组(3)上设置有凹陷部(33)，凹陷部(33)位于过渡区(DUM)；第一电极层(4)设于绝缘层组(3)背离第一衬底基板(1)的一侧；导电增强层(5)设于第一电极层(4)背离第一衬底基板(1)的一侧，导电增强层(5)在第一衬底基板(1)上的正投影位于第一电极层(4)在第一衬底基板(1)上的正投影内。该阵列基板(100)显示区(AA)各处的透光率基本一致。
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