一种传感器中电容结构的制备方法、传感器

    公开(公告)号:CN109300880A

    公开(公告)日:2019-02-01

    申请号:CN201811126866.1

    申请日:2018-09-26

    IPC分类号: H01L23/64

    摘要: 本发明的实施例提供一种传感器中电容结构的制备方法、传感器,涉及传感器技术领域,可不采用光刻刻蚀工艺形成传感器中的电容结构。一种传感器中电容结构的制备方法,包括:在基底上通过打印或印刷工艺形成图案化的底部电极;通过涂覆工艺形成图案化的牺牲层;沿第一方向,所述牺牲层跨越所述底部电极,且在所述牺牲层与所述底部电极重叠的区域,二者接触;通过涂覆工艺形成图案化的顶部电极;沿所述第一方向,所述顶部电极跨越所述牺牲层,且在所述顶部电极与所述牺牲层重叠的区域,二者部分接触;将形成有所述底部电极、所述牺牲层和所述顶部电极的基底置于溶液中,去除所述牺牲层。