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公开(公告)号：CN107263959A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710551428.9
申请日：2010-05-28
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
Inventor： 赤濑文彰
CPC classification number: C23C28/00 , B32B15/08 , C23C22/24 , C25D9/08 , C25D11/38 , Y10T428/12438 , Y10T428/31678 , C23C28/04
Abstract: 本发明涉及半导体封装基板用铜箔及半导体封装用基板。本发明涉及一种半导体封装基板用铜箔，其包含：在作为与树脂胶粘的胶粘面的铜箔的粗糙化面上形成的铬酸盐处理层或者包含锌或氧化锌以及铬氧化物的覆盖层、以及硅烷偶联剂层。所述半导体封装基板用铜箔，其特征在于，所述铬酸盐被膜层的Cr量为25-150μg/dm2，Zn量为150μg/dm2以下。所述半导体封装基板用铜箔，其特征在于，作为硅烷偶联剂层，在硅烷偶联剂层中包含四烷氧基硅烷和至少一种以上的具备与树脂具有反应性的官能团的烷氧基硅烷。本发明的课题在于确立一种铜箔的电解处理技术，其在将铜箔与树脂基材层叠并使用硫酸系蚀刻液对电路进行软蚀刻时，可以有效防止电路侵蚀现象。
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公开(公告)号：CN102362559B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201080013439.8
申请日：2010-03-12
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
Inventor： 赤濑文彰
CPC classification number: H05K3/384 , C25D3/38 , C25D5/16 , C25D7/12 , H05K2201/0355 , H05K2203/0307 , H05K2203/0723
Abstract: 本发明提供一种印刷布线板用铜箔，其特征在于，在铜箔的至少一个面上具有粗糙化处理层，所述粗糙化处理层包含直径为0.1～2.0μm且纵横比为1.5以上的针状的微细的铜粗糙粒子；以及一种印刷布线板用铜箔的制造方法，其特征在于，使用含有选自硫酸烷基酯盐、钨离子、砷离子的至少一种以上物质且包含硫酸/硫酸铜的电解浴，在铜箔的至少一个面上形成粗糙化处理层，所述粗糙化处理层包含直径为0.1～2.0μm且纵横比为1.5以上的针状的微细的铜粗糙粒子。本发明的课题在于开发在不使铜箔的其它各特性劣化的情况下可以避免上述的电路侵蚀现象的半导体封装基板用铜箔。本发明的课题特别在于提供可以改善铜箔的粗糙化处理层，并且可以提高铜箔与树脂的胶粘强度的印刷布线板用铜箔及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102459703A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080024403.X
申请日：2010-05-28
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
Inventor： 赤濑文彰
CPC classification number: C23C28/00 , B32B15/08 , C23C22/24 , C25D9/08 , C25D11/38 , Y10T428/12438 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及一种半导体封装基板用铜箔，其包含：在作为与树脂胶粘的胶粘面的铜箔的粗糙化面上形成的铬酸盐处理层或者包含锌或氧化锌以及铬氧化物的覆盖层、以及硅烷偶联剂层。所述半导体封装基板用铜箔，其特征在于，所述铬酸盐被膜层的Cr量为25-150μg/dm2，Zn量为150μg/dm2以下。所述半导体封装基板用铜箔，其特征在于，作为硅烷偶联剂层，在硅烷偶联剂层中包含四烷氧基硅烷和至少一种以上的具备与树脂具有反应性的官能团的烷氧基硅烷。本发明的课题在于确立一种铜箔的电解处理技术，其在将铜箔与树脂基材层叠并使用硫酸系蚀刻液对电路进行软蚀刻时，可以有效防止电路侵蚀现象。
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公开(公告)号：CN102362559A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201080013439.8
申请日：2010-03-12
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
Inventor： 赤濑文彰
CPC classification number: H05K3/384 , C25D3/38 , C25D5/16 , C25D7/12 , H05K2201/0355 , H05K2203/0307 , H05K2203/0723
Abstract: 本发明提供一种印刷布线板用铜箔，其特征在于，在铜箔的至少一个面上具有粗糙化处理层，所述粗糙化处理层包含直径为0.1～2.0μm且纵横比为1.5以上的针状的微细的铜粗糙粒子；以及一种印刷布线板用铜箔的制造方法，其特征在于，使用含有选自硫酸烷基酯盐、钨离子、砷离子的至少一种以上物质且包含硫酸/硫酸铜的电解浴，在铜箔的至少一个面上形成粗糙化处理层，所述粗糙化处理层包含直径为0.1～2.0μm且纵横比为1.5以上的针状的微细的铜粗糙粒子。本发明的课题在于开发在不使铜箔的其它各特性劣化的情况下可以避免上述的电路侵蚀现象的半导体封装基板用铜箔。本发明的课题特别在于提供可以改善铜箔的粗糙化处理层，并且可以提高铜箔与树脂的胶粘强度的印刷布线板用铜箔及其制造方法。
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