公开(公告)号：CN114899106A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210522074.6

申请日：2022-05-13

Applicant: 吉林大学

Inventor： 董鑫 ,  党新明 ,  焦腾 ,  陈威 ,  张源涛

IPC: H01L21/365 ,  H01L29/24 ,  H01L29/861

Abstract: 一种高厚度、高质量Ga2O3薄膜材料及其制备方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。依次由经过NH3等离子体钝化处理的β‑Ga2O3单晶衬底、低温Ga2O3缓冲层、缓慢生长的Ga2O3薄层、Ga2O3生长层、快速生长的高温Ga2O3薄膜层组成，所有生长过程均在MOCVD设备内完成。本发明解决了高厚度、高质量Ga2O3薄膜材料的外延问题，克服了目前Ga2O3异质与同质外延晶体质量差的问题，获得的Ga2O3薄膜晶体质量相较于衬底提高了三分之一以上，其双晶摇摆曲线半峰宽仅有68.4arcsec。本发明能够有效提高Ga2O3厚膜的晶体质量，进而提高Ga2O3基器件的工作性能。

公开(公告)号：CN114899106B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202210522074.6

申请日：2022-05-13

Applicant: 吉林大学

Inventor： 董鑫 ,  党新明 ,  焦腾 ,  陈威 ,  张源涛

IPC: H01L21/365 ,  H10D62/80 ,  H10D8/01

Abstract: 一种高厚度、高质量Ga2O3薄膜材料及其制备方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。依次由经过NH3等离子体钝化处理的β‑Ga2O3单晶衬底、低温Ga2O3缓冲层、缓慢生长的Ga2O3薄层、Ga2O3生长层、快速生长的高温Ga2O3薄膜层组成，所有生长过程均在MOCVD设备内完成。本发明解决了高厚度、高质量Ga2O3薄膜材料的外延问题，克服了目前Ga2O3异质与同质外延晶体质量差的问题，获得的Ga2O3薄膜晶体质量相较于衬底提高了三分之一以上，其双晶摇摆曲线半峰宽仅有68.4arcsec。本发明能够有效提高Ga2O3厚膜的晶体质量，进而提高Ga2O3基器件的工作性能。

公开(公告)号：CN117410378A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311384367.3

申请日：2023-10-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 董鑫 ,  党新明 ,  焦腾 ,  于含 ,  张源涛 ,  张宝林

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/06

Abstract: 一种基于砷化镓/氧化镓PN异质结紫外光电探测器及制备方，属于半导体光电探测器技术领域。由Au电极、p‑GaAs衬底、UID‑Ga掺杂2O3)低温缓冲层‑Ga2O3薄膜、、nn+((轻重掺杂)‑Ga2O3欧姆接触层、Ti/Au透明电极组成，薄膜外延全部由MOCVD工艺完成。本发明能够实现光暗电流比大、低噪声、高响应的砷化镓/氧化镓PN异质结紫外光电探测器的制备，可以在光照强度为300μW/cm2时，实现3×104的光暗电流比和0.6A/W的响应度。本发明克服了目前水平结构Ga2O3紫外探测器缺少P型、光暗电流比低、工艺复杂的问题，能够有效提高Ga2O3紫外探测器的光暗电流比，促进其实际应用。