公开(公告)号：CN114059032A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111370877.6

申请日：2021-11-18

Applicant: 吉林大学

Inventor： 田宏伟 ,  刘鸿旭 ,  杨俊 ,  于陕升

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及相变材料技术领域，尤其涉及一种二氧化钒薄膜的制备方法。本发明提供的制备方法包括在真空反应室中，采用射频磁控溅射法，在基底表面溅射二氧化钒后，升高基底温度进行原位退火，得到二氧化钒薄膜；基底和二氧化钒薄膜之间不设置缓冲层；射频磁控溅射的条件为：基底的温度为250～300℃；氩气通入反应室的流速为0.8sccm；氧气通入反应室的流速为40sccm；反应室的气压为0.8Pa；溅射时间为15～20min；溅射功率为95W；原位退火的温度为460～520℃，保温时间为200s；升温至原位退火的温度的时间≤7s。所述制备方法可以在不进行缓冲层设置的前提下，同样得到光学性能良好的二氧化钒薄膜。

公开(公告)号：CN114059032B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202111370877.6

申请日：2021-11-18

Applicant: 吉林大学

Inventor： 田宏伟 ,  刘鸿旭 ,  杨俊 ,  于陕升

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及相变材料技术领域，尤其涉及一种二氧化钒薄膜的制备方法。本发明提供的制备方法包括在真空反应室中，采用射频磁控溅射法，在基底表面溅射二氧化钒后，升高基底温度进行原位退火，得到二氧化钒薄膜；基底和二氧化钒薄膜之间不设置缓冲层；射频磁控溅射的条件为：基底的温度为250～300℃；氩气通入反应室的流速为0.8sccm；氧气通入反应室的流速为40sccm；反应室的气压为0.8Pa；溅射时间为15～20min；溅射功率为95W；原位退火的温度为460～520℃，保温时间为200s；升温至原位退火的温度的时间≤7s。所述制备方法可以在不进行缓冲层设置的前提下，同样得到光学性能良好的二氧化钒薄膜。