一种高致密ZrB2基超高温陶瓷的高压制备方法

    公开(公告)号:CN114230348A

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202210052964.5

    申请日:2022-01-18

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 一种高致密ZrB2基超高温陶瓷的高压制备方法,属于超高温陶瓷材料领域。特别涉及到超高温陶瓷材料的结构和抗烧蚀性能。本发明将ZrB2粉末和金属碳化物粉末分别按摩尔比为1:1~20:1进行称量混料;通过湿磨法对原料进行颗粒细化,将湿磨的浆料进行离心、干燥和模压成型,并在高压条件下进行烧结致密化,烧结压力为2~4GPa,烧结温度为750~950℃,最终制备出高致密ZrB2‑ZrC超高温陶瓷材料。本发明提出的ZrB2基超高温陶瓷的高压制备方法具有工艺简便、高效的优点,能够显著降低材料的烧结温度,减少制备工艺中高温所需的时间。有效提升陶瓷材料的致密度,提高超高温陶瓷的抗热烧蚀性能。

    可实现近带边紫外发光的p型二氧化锡薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN105420677B

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201510880868.X

    申请日:2015-12-03

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明涉及可实现近带边紫外发光的p型二氧化锡薄膜的制备方法。其特征是以金属锡(Sn)、金属锑(Sb)、氮气(N2)、氧气(O2)、硫粉(S)为原料,利用磁控溅射技术与硫气氛热处理技术,制备出具有高空穴浓度和近带边紫外发光的p型SnO2薄膜,其空穴载流子的浓度范围为1018cm‑3到1019cm‑3,室温紫外发光波长范围为380nm到390nm。本方法采用施主受主元素共掺杂技术和硫气氛热处理技术,提高受主在SnO2中的固溶度,并打破电子在SnO2导带底和价带顶跃迁的禁戒规则,实现近带边紫外发光,可用于制备宽带隙氧化物光电器件中的p型导电层。

    车载太阳能电池环针式阳光跟踪驱动系统

    公开(公告)号:CN103676978B

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201410006971.7

    申请日:2014-01-07

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的车载太阳能电池环针式阳光跟踪驱动系统,属于太阳能应用的技术领域。结构有太阳能电池板、锁存器、译码器、单片机、方位和仰角驱动装置、环针式传感器(163);环针式传感器获得的太阳光信息经锁存器,再经译码器选通输入给单片机,由单片机控制方位和仰角驱动装置,使太阳能电池板跟踪太阳光提供电能。环针式传感器是在平面板(101)上分别由光敏二极管围成大环(102)、小环(105),相邻光敏二极管间有隔板(104);平面板正面和背面分别垂直安装端头有光敏二极管的长指针(115)和短指针(113)。本发明传感器质量轻、体积小、风阻小和结构简单;方位、仰角同步跟踪驱动,跟踪范围完全覆盖太阳的运行轨迹。

    车载太阳能电池环针式阳光跟踪驱动系统

    公开(公告)号:CN103676978A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201410006971.7

    申请日:2014-01-07

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的车载太阳能电池环针式阳光跟踪驱动系统,属于太阳能应用的技术领域。结构有太阳能电池板、锁存器、译码器、单片机、方位和仰角驱动装置、环针式传感器(163);环针式传感器获得的太阳光信息经锁存器,再经译码器选通输入给单片机,由单片机控制方位和仰角驱动装置,使太阳能电池板跟踪太阳光提供电能。环针式传感器是在平面板(101)上分别由光敏二极管围成大环(102)、小环(105),相邻光敏二极管间有隔板(104);平面板正面和背面分别垂直安装端头有光敏二极管的长指针(115)和短指针(113)。本发明传感器质量轻、体积小、风阻小和结构简单;方位、仰角同步跟踪驱动,跟踪范围完全覆盖太阳的运行轨迹。

    一种p型硫银共掺氧化锌薄膜的水热制备方法

    公开(公告)号:CN103159410A

    公开(公告)日:2013-06-19

    申请号:CN201310081464.5

    申请日:2013-03-14

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明提供的p型硫银共掺氧化锌薄膜的水热制备方法属于光电子半导体和纳米材料领域。以水为溶剂,硝酸锌或醋酸锌或硝酸锌和醋酸锌混合体为锌源,吡啶、正丁胺为碱源,四甲基硫脲为硫源,氯化银或硝酸银为银源,硝酸铵为调节剂,氮气或氩气为填充气;采用中低温水热合成技术,在预先制备有ZnO籽晶层的衬底上外延生长含有Ag和S的ZnO薄膜;然后用去离子水冲洗薄膜表面,并在120℃恒温箱中干燥10min,最终得到具有六方结构并沿c轴高度择优取向的p型硫银共掺氧化锌薄膜。本发明制备工艺简单,制备成本低廉,可重复制备出具有较好晶体质量和电学性能的p型硫银共掺氧化锌薄膜。

    一种立方相纳米氮化锆的球磨制备方法

    公开(公告)号:CN100564248C

    公开(公告)日:2009-12-02

    申请号:CN200810050302.4

    申请日:2008-01-23

    Applicant: 吉林大学

    Inventor: 姚斌 孙岩

    Abstract: 本发明的一种立方相纳米氮化锆的球磨制备方法属于纳米材料的技术领域。以普通氮化锂和四氯化锆为原料,利用高能球磨技术完成氮化锂和四氯化锆化学反应,制备出包含立方结构氮化锆的反应产物。将球磨反应产物分别用无水乙醇,稀盐酸和去离子水洗涤除去氯化锂和过量的氮化锂。烘干沉淀物即可制成粒径为30~100nm的立方相纳米氮化锆粉体。本发明是以普通氮化锂粉体和四氯化锆粉体为原料制备产物纯度高的纳米氮化锆的方法,工艺简单,成本低廉,适合于大批量生产纳米氮化锆颗粒。

    一种铁氮纳米合金和铁氮-氮化硼纳米复合材料制备方法

    公开(公告)号:CN1069289C

    公开(公告)日:2001-08-08

    申请号:CN98126243.0

    申请日:1998-12-19

    Applicant: 吉林大学

    Inventor: 姚斌 苏文辉

    Abstract: 本发明属铁氮合金及其复合材料的制备方法。以Fe或FeO为铁源,固态h-BN为氮源,按体积比1∶(20~0.38)制成混料;将混料与不锈钢球按重量比1∶(5~20)放入球球磨罐中,在氩气保护下球磨(30~120)h,制得ε-FexN相纳米合金和ε-FexN/BN纳米复合材料。本发明与气体氮源的制备方法比较,设备成本低,原料来源充足,工艺条件易控,操作简便,生成批量大。产品ε-FexN合金与基体BN结合牢固、界面清洁,具有较大饱和磁化强度、矫顽力和高电阻率。

    一种铁氮纳米合金和铁氮-氮化硼纳米复合材料制备方法

    公开(公告)号:CN1229767A

    公开(公告)日:1999-09-29

    申请号:CN98126243.0

    申请日:1998-12-19

    Applicant: 吉林大学

    Inventor: 姚斌 苏文辉

    Abstract: 本发明属铁氮合金及其复合材料的制备方法。以Fe或FeO为铁源,固态h-BN为氮源,按体积比1∶(20~0.38)制成混料;将混料与不锈钢珠按重量比1∶(5~20)放入球球磨罐中,在氩气保护下球磨(30~120)h,制得ε-FexN相纳米合金和ε-FexN/BN纳米复合材料。本发明与气体氮源的制备方法比较,设备成本低,原料来源充足,工艺条件易控,操作简便,生成批量大。产品ε-FexN合金与基体BN结合牢固、界面清洁,具有较大饱和磁化强度、矫顽力和高电阻率。

    应用上转换材料提高铜锌锡硫硒太阳电池转换效率的方法

    公开(公告)号:CN108899395A

    公开(公告)日:2018-11-27

    申请号:CN201810749540.8

    申请日:2018-07-10

    Applicant: 吉林大学

    CPC classification number: H01L31/18 H01L31/0327

    Abstract: 本发明提供的应用上转换材料提高铜锌锡硫硒太阳电池转换效率的方法属于光电子半导体、稀土发光材料和太阳能电池领域。本发明的目的在于以DMSO为溶剂,醋酸铜为铜源,氯化锌为锌源,氯化亚锡为锡源,硫脲为硫源,乙醇胺为增稠剂,分散在DMSO中的主要激发波长为1530nm的氟铒钠(NaErF4)作为上转换材料;采用溶胶凝胶法,在预先直流溅射有金属Mo层的衬底上旋涂生长掺杂有上转换材料NaErF4的铜锌硒硫预制膜;然后在550℃下硒化15min,最后利用CZTSSe太阳电池传统工艺制备掺杂有NaErF4的CZTSSe太阳电池。本发明制备工艺简单,制备成本低廉,可重复制备出具有较高光电转化效率和可吸收可见光与1530nm近红外光的CZTSSe太阳电池。使有NaErF4掺杂的CZTSSe太阳电池转换效率由无掺杂的4.03%提高到7.098%。

    可实现近带边紫外发光的p型二氧化锡薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN105420677A

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201510880868.X

    申请日:2015-12-03

    Applicant: 吉林大学

    CPC classification number: C23C14/0036 C23C14/086 C23C14/5866

    Abstract: 本发明涉及可实现近带边紫外发光的p型二氧化锡薄膜的制备方法。其特征是以金属锡(Sn)、金属锑(Sb)、氮气(N2)、氧气(O2)、硫粉(S)为原料,利用磁控溅射技术与硫气氛热处理技术,制备出具有高空穴浓度和近带边紫外发光的p型SnO2薄膜,其空穴载流子的浓度范围为1018cm-3到1019cm-3,室温紫外发光波长范围为380nm到390nm。本方法采用施主受主元素共掺杂技术和硫气氛热处理技术,提高受主在SnO2中的固溶度,并打破电子在SnO2导带底和价带顶跃迁的禁戒规则,实现近带边紫外发光,可用于制备宽带隙氧化物光电器件中的p型导电层。

Patent Agency Ranking