公开(公告)号：CN100576439C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200810050830.X

申请日：2008-06-16

Applicant: 吉林大学

Inventor： 吕男 ,  郝娟媛 ,  徐洪波 ,  王文涛 ,  高立国

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  G02B1/11

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及利用LB技术或自组装技术在单晶硅基底上形成有机分子单层膜图案，并以此单层膜图案为掩模，进行湿法刻蚀，在单晶硅表面形成具有亚波长锥形结构的表面，从而使单晶硅基底具有抗反射性能的方法。通过本专利所述法得到的材料表面，在400～2400nm波长的范围内，可以得到小于5%的反射率。该基底表面能有效地避免光的反射，提高光能利用率，降低不需要的反射干扰，提高传感灵敏度。本专利所述方法构筑抗反射结构具有成本低、工艺简单、产率高的特点，具有较强的实用性。这种具有亚波长锥形结构的表面有很好的抗反射性能，因此在太阳能电池、白光传感显示器、光电器件、光学镜片等方面具有极为重要的应用。

公开(公告)号：CN101299405A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810050830.X

申请日：2008-06-16

Applicant: 吉林大学

Inventor： 吕男 ,  郝娟媛 ,  徐洪波 ,  王文涛 ,  高立国

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  G02B1/11

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及利用LB技术或自组装技术在单晶硅基底上形成有机分子单层膜图案，并以此单层膜图案为掩模，进行湿法刻蚀，在单晶硅表面形成具有亚波长锥形结构的表面，从而使单晶硅基底具有抗反射性能的方法。通过本专利所述法得到的材料表面，在400～2400nm波长的范围内，可以得到小于5％的反射率。该基底表面能有效地避免光的反射，提高光能利用率，降低不需要的反射干扰，提高传感灵敏度。本专利所述方法构筑抗反射结构具有成本低、工艺简单、产率高的特点，具有较强的实用性。这种具有亚波长锥形结构的表面有很好的抗反射性能，因此在太阳能电池、白光传感显示器、光电器件、光学镜片等方面具有极为重要的应用。