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公开(公告)号：CN109292732B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201811402242.8
申请日：2018-11-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种具有等离子体聚焦性能的折线型纳米间隙及其制备方法，属于材料技术领域。本方法涉及到纳米切割技术、物理气相沉积技术、光刻技术、湿法刻蚀技术以及等离子体刻蚀技术。整个过程操作简便，过程低耗清洁，可控性高。通过控制湿法刻蚀的时间和条件，可以制备不同尖端角度的纳米折线；同时通过控制沉积间隔层的厚度，可以制备一系列不同尺寸的纳米间隙；通过控制尖端角度和纳米间隙的大小，从而实现不同程度的纳米聚焦以及尖端与间隙的耦合作用。这种简单、低成本、高效制备的纳微结构，同时具备尖端和间隙两种热点，具有更强的电磁场增强性能，可以更好的运用到新型的光学器件和电学器件等实际应用中。
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公开(公告)号：CN110426382A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910732547.3
申请日：2019-08-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种具有电磁场增强性能的异质纳米间隙结构及其制备方法，属于纳米间隙结构制备技术领域。本发明涉及到纳米切割技术、物理气相沉积技术、光刻技术。整个过程操作简便，低耗清洁，可控性高。通过控制沉积间隔层的厚度，可以制备一系列不同间隙尺寸的纳微结构；通过控制沉积不同属性的金属材料，可以制备异质纳微结构；通过先后转移两个环氧树脂薄片堆垛在同一基底上，可以制备三维异质纳微结构，从而实现三维异质纳米间隙结构的制备。这种简单高效、低成本制备的异质纳米间隙结构，使电磁场显著增强，可以在新型的光学器件和电学器件等实际应用中发挥特殊的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110329987B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201910638926.6
申请日：2019-07-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种具有电磁场增强性能的连续月牙型纳微结构及其制备方法，属于纳微结构制备技术领域。本发明采用纳米切割技术、物理气相沉积技术、胶体自组装技术以及等离子体刻蚀技术。整个过程操作简便，低耗清洁，可控性高。基于胶体刻蚀和纳米切割，可以制备不同形貌的连续月牙型纳微结构；同时结合多次金属沉积，控制沉积间隔层厚度，制备一系列不同间隙尺寸的连续月牙型纳米间隙结构；通过控制沉积的方向及沉积次数，从而实现连续对月牙型纳米线和连续对月牙型纳米间隙结构的制备。这种简单高效、低成本制备的连续月牙型纳微结构，具有更密集的热点，使电磁场显著增强，可以运用到新型的光学器件和电学器件等实际应用中。
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公开(公告)号：CN110329987A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910638926.6
申请日：2019-07-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种具有电磁场增强性能的连续月牙型纳微结构及其制备方法，属于纳微结构制备技术领域。本发明采用纳米切割技术、物理气相沉积技术、胶体自组装技术以及等离子体刻蚀技术。整个过程操作简便，低耗清洁，可控性高。基于胶体刻蚀和纳米切割，可以制备不同形貌的连续月牙型纳微结构；同时结合多次金属沉积，控制沉积间隔层厚度，制备一系列不同间隙尺寸的连续月牙型纳米间隙结构；通过控制沉积的方向及沉积次数，从而实现连续对月牙型纳米线和连续对月牙型纳米间隙结构的制备。这种简单高效、低成本制备的连续月牙型纳微结构，具有更密集的热点，使电磁场显著增强，可以运用到新型的光学器件和电学器件等实际应用中。
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公开(公告)号：CN109292732A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811402242.8
申请日：2018-11-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种具有等离子体聚焦性能的折线型纳米间隙及其制备方法，属于材料技术领域。本方法涉及到纳米切割技术、物理气相沉积技术、光刻技术、湿法刻蚀技术以及等离子体刻蚀技术。整个过程操作简便，过程低耗清洁，可控性高。通过控制湿法刻蚀的时间和条件，可以制备不同尖端角度的纳米折线；同时通过控制沉积间隔层的厚度，可以制备一系列不同尺寸的纳米间隙；通过控制尖端角度和纳米间隙的大小，从而实现不同程度的纳米聚焦以及尖端与间隙的耦合作用。这种简单、低成本、高效制备的纳微结构，同时具备尖端和间隙两种热点，具有更强的电磁场增强性能，可以更好的运用到新型的光学器件和电学器件等实际应用中。
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公开(公告)号：CN106199775B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610547064.2
申请日：2016-07-13
Applicant: 吉林大学
IPC: G02B1/11
Abstract: 一种具有宽频带、全方位减反射性质的多孔半球形阵列膜及其制备方法，属于材料科学技术领域。本发明利用掩模刻蚀方法、物理气相沉积方法、胶体自组装方法等，整个过程操作简便，过程低耗清洁，可控性高。通过控制刻蚀的时间和条件，可以制备不同孔径大小和深度的多孔半球形阵列，从而实现其减反射性质。本发明制备的多孔半球形阵列上有多孔层次结构，使样品表面随着入射光角度增加反射率减小，从而在弯曲的半球形表面上得到宽频带、全方位减反射等离子体薄膜。制备得到的层次等离子体结构，可以应用到光电器件、显示器件等实际应用中。
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公开(公告)号：CN106199775A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610547064.2
申请日：2016-07-13
Applicant: 吉林大学
IPC: G02B1/11
CPC classification number: G02B1/11
Abstract: 一种具有宽频带、全方位减反射性质的多孔半球形阵列膜及其制备方法，属于材料科学技术领域。本发明利用掩模刻蚀方法、物理气相沉积方法、胶体自组装方法等，整个过程操作简便，过程低耗清洁，可控性高。通过控制刻蚀的时间和条件，可以制备不同孔径大小和深度的多孔半球形阵列，从而实现其减反射性质。本发明制备的多孔半球形阵列上有多孔层次结构，使样品表面随着入射光角度增加反射率减小，从而在弯曲的半球形表面上得到宽频带、全方位减反射等离子体薄膜。制备得到的层次等离子体结构，可以应用到光电器件、显示器件等实际应用中。
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