公开(公告)号：CN101265085A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810036353.1

申请日：2008-04-21

申请人： 同济大学

发明人： 翟继卫 ,  张景基 ,  莫伟锋 ,  丁西亚

IPC分类号： C04B35/465 ,  C04B35/44 ,  C04B35/622

摘要： 本发明属于电子材料与器件技术领域，公开了一种介电可调的Ba1－xSrxTiO3－MgAl2O4两相复合微波陶瓷材料及其制备方法，该两相复合微波陶瓷材料由以下质量百分比的组分组成：Ba1－xSrxTiO3(x＝0.3－0.9)40.0wt.％～95.0wt.％；MgAl2O45.0wt.％～60.0wt.％。本发明提供的两相复合微波陶瓷材料，具有介电可调特性、微波频段下低介电损耗(高Q值)的特性，且可用于可调微波器件。

公开(公告)号：CN101567261B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200910046943.7

申请日：2009-03-03

申请人： 同济大学

发明人： 翟继卫 ,  莫伟锋 ,  张玲

IPC分类号： H01F41/14 ,  H01F1/00

摘要： 本发明涉及电子材料与器件领域，公开了一种铁酸钴磁性厚膜的制备方法，为将铁酸钴分散在溶剂中制成浓度均匀的悬浮液，然后在恒电场条件下经过电泳沉积制备而成。本发明制得的铁酸钴磁性厚膜具有较高的矫顽磁场和磁饱和强度，可应用于制备厚膜电容，移相器，而且具有设备简单、成本低、成膜快、组分易于控制的特点。

公开(公告)号：CN101514475A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910046944.1

申请日：2009-03-03

申请人： 同济大学

发明人： 翟继卫 ,  莫伟锋 ,  尚飞

IPC分类号： C25D13/02 ,  H01L43/12 ,  H01L43/10

摘要： 本发明涉及电子材料与器件领域，公开了一种锆钛酸铅-铁酸钴厚膜的制备方法，该方法的步骤包括：将Pb (Zr0.52Ti0.48)O3粉体和CoFe2O4粉体分散在溶剂中制成浓度均匀的悬浮液，然后在恒电场条件下经过电泳沉积制备而成。本发明制得的锆钛酸铅-铁酸钴厚膜具有良好的电性能和磁性能，可应用于制备厚膜传感器，位移器，具有设备简单，成本低、成膜快、组分易于调整等特点，可大规模制备膜材料。

公开(公告)号：CN101265085B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200810036353.1

申请日：2008-04-21

申请人： 同济大学

发明人： 翟继卫 ,  张景基 ,  莫伟锋 ,  丁西亚

IPC分类号： C04B35/465 ,  C04B35/44 ,  C04B35/622

摘要： 本发明属于电子材料与器件技术领域，公开了一种介电可调的Ba1-xSrxTiO3-MgAl2O4两相复合微波陶瓷材料及其制备方法，该两相复合微波陶瓷材料由以下质量百分比的组分组成：Ba1-xSrxTiO3(x＝0.3-0.9) 40.0wt.％～95.0wt.％；MgAl2O4 5.0wt.％～60.0wt.％。本发明提供的两相复合微波陶瓷材料，具有介电可调特性、微波频段下低介电损耗(高Q值)的特性，且可用于可调微波器件。

公开(公告)号：CN101567261A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910046943.7

申请日：2009-03-03

申请人： 同济大学

发明人： 翟继卫 ,  莫伟锋 ,  张玲

IPC分类号： H01F41/14 ,  H01F1/00

摘要： 本发明涉及电子材料与器件领域，公开了一种铁酸钴磁性厚膜的制备方法，为将铁酸钴分散在溶剂中制成浓度均匀的悬浮液，然后在恒电场条件下经过电泳沉积制备而成。本发明制得的铁酸钴磁性厚膜具有较高的矫顽磁场和磁饱和强度，可应用于制备厚膜电容，移相器，而且具有设备简单、成本低、成膜快、组分易于控制的特点。