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公开(公告)号：CN111650819A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010575583.6
申请日：2020-06-22
申请人： 中国科学院上海应用物理研究所 , 同济大学
摘要： 本发明涉及基于自溯源光栅的极紫外光刻胶质量检测装置和方法，方法包括以下步骤：1)利用原子光刻技术制备掩膜光栅；2)获取涂有待测极紫外光刻胶膜层的衬底；3)基于获取的掩膜光栅，对所述衬底进行双光栅干涉，获取待测光刻胶图形；4)根据自溯源特性，基于所述掩膜光栅的周期节距值，计算待测光刻胶图形的理论周期节距值，并以待测光刻胶图形的理论周期节距值为标尺，判断待测极紫外光刻胶的质量。与现有技术相比，本发明通过原子光刻技术制备掩膜光栅，具有测量学上周期节距的自溯源性，可以为EUV光刻胶测量数据提供直接的精准标尺，解决了测量设备所带来的实验误差，提高了极紫外光刻胶质量检测的精度。
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公开(公告)号：CN111650680B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010575620.3
申请日：2020-06-22
申请人： 同济大学 , 中国科学院上海应用物理研究所
IPC分类号： G02B5/18
摘要： 本发明涉及一种精确缩短节距值的自溯源光栅标准物质制备方法，该方法基于激光汇聚原子沉积技术和软X射线干涉光刻技术，制备百纳米尺度及以下的小节距溯源标准物质，包括以下步骤：1)获取掩膜版基板；2)采用激光汇聚原子沉积技术，在掩膜版基板上，沉积制备掩膜版；3)获取光刻胶样品，该光刻胶样品包括光刻胶和第二衬底；采用掩膜版，通过软X射线干涉光刻技术，对光刻胶进行曝光和显影，得到光刻胶光栅结构；4)将光刻胶光栅结构转移到第二衬底上，获取自溯源光栅标准物质。与现有技术相比，本发明制备的自溯源光栅标准物质具有高精度、溯源性和精确缩短节距值等优点。
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公开(公告)号：CN111650680A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010575620.3
申请日：2020-06-22
申请人： 同济大学 , 中国科学院上海应用物理研究所
IPC分类号： G02B5/18
摘要： 本发明涉及一种精确缩短节距值的自溯源光栅标准物质制备方法，该方法基于激光汇聚原子沉积技术和软X射线干涉光刻技术，制备百纳米尺度及以下的小节距溯源标准物质，包括以下步骤：1)获取掩膜版基板；2)采用激光汇聚原子沉积技术，在掩膜版基板上，沉积制备掩膜版；3)获取光刻胶样品，该光刻胶样品包括光刻胶和第二衬底；采用掩膜版，通过软X射线干涉光刻技术，对光刻胶进行曝光和显影，得到光刻胶光栅结构；4)将光刻胶光栅结构转移到第二衬底上，获取自溯源光栅标准物质。与现有技术相比，本发明制备的自溯源光栅标准物质具有高精度、溯源性和精确缩短节距值等优点。
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公开(公告)号：CN116500711B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202310400575.1
申请日：2023-04-14
申请人： 同济大学
摘要： 本发明涉及一种具备自溯源角度的二维光栅标准物质及其制备方法，该方法具体为：掩膜版基板的设计和加工，掩膜版基板上开有四个窗口(3)，四个相同大小的窗口(3)在掩膜版基板中间区域呈十字形对称分布；掩膜版的制造，采用激光汇聚原子沉积技术，在掩膜版基板上沉积原子光刻光栅；光刻胶光栅的制备，采用软X射线干涉光刻技术，曝光和显影光刻胶得到光刻胶图形；二维光栅标准物质的获取，经过刻蚀将光刻胶图形转移到第二衬底上。与现有技术相比，本发明制备的在亚200nm尺度内的二维自溯源光栅标准物质，不仅同时具备自溯源的长度标准与角度标准，而且可以向硅材料转移，具有准确性高、一致性好和兼容性强等优点。
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公开(公告)号：CN113777685B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202111002683.0
申请日：2021-08-30
申请人： 同济大学
IPC分类号： G02B5/18
摘要： 本发明涉及一种基于扫描原子光刻技术的大面积自溯源光栅制备方法，其特征在于，包括以下步骤：基于原子光刻技术，采用原子束和激光会聚驻波场的相互作用，在基板上进行局部自溯源光栅结构制备；使用道威棱镜控制所述激光会聚驻波场沿垂直于光栅沟槽方向扫描沉积区域，逐步实现沉积区域自溯源光栅全局覆盖，形成大面积自溯源光栅。与现有技术相比，本发明克服了由于汇聚能量密度降低导致的光栅边缘粗化等问题，具备操作简便，光栅面积扩展空间大的优点。
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公开(公告)号：CN113777685A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111002683.0
申请日：2021-08-30
申请人： 同济大学
IPC分类号： G02B5/18
摘要： 本发明涉及一种基于扫描原子光刻技术的大面积自溯源光栅制备方法，其特征在于，包括以下步骤：基于原子光刻技术，采用原子束和激光会聚驻波场的相互作用，在基板上进行局部自溯源光栅结构制备；使用道威棱镜控制所述激光会聚驻波场沿垂直于光栅沟槽方向扫描沉积区域，逐步实现沉积区域自溯源光栅全局覆盖，形成大面积自溯源光栅。与现有技术相比，本发明克服了由于汇聚能量密度降低导致的光栅边缘粗化等问题，具备操作简便，光栅面积扩展空间大的优点。
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公开(公告)号：CN108919397B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201810548512.X
申请日：2018-05-31
申请人： 同济大学
摘要： 本发明涉及一种用于实现分步沉积型二维原子光刻的装置，包括第一反射镜、第二反射镜和机械固定机构，第一反射镜和第二反射镜垂直粘合构成垂直反射镜组，所述机械固定机构包括第一结构件、第二结构件、第三结构件和第四结构件，第一结构件、第二结构件、第三结构件和第四结构件构成一可容纳垂直反射镜组的框架，且该框架留有用于穿过原子束和会聚光的空间。与现有技术相比，本发明将二维原子光刻栅格夹角溯源至垂直反射镜组的垂直夹角，确保了栅格结构的正交性，并控制二维原子光刻分步沉积过程中驻波场切光的平行性，确保了光刻栅格结构的一致性与均匀性，可实现分步沉积型原子光刻技术制备非正交性误差小于0.01度的二维原子光刻栅格结构。
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公开(公告)号：CN101303412A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810040207.6
申请日：2008-07-04
申请人： 同济大学
摘要： 本发明为一种预准直孔系结构及其实现监测原子束冷却效果的方法。该预准直孔系结构，包括一个主预准直孔和两个监测孔，其中的两个监测孔的尺寸相同并且对称的分布于主预准直孔的两侧，三个孔的中心位于同一直线上。在激光汇聚原子束沉积过程中，当穿过主预准直孔的原子被沉积基片阻挡时，可通过监测穿过两侧监测孔的原子在荧光探测区产生的荧光斑点冷却前后相对于原子束中轴的分布情况来间接的反映穿过主预准直孔原子束的冷却效果。本发明结构简单，调节方便，容易实现，而且可以有效地监测穿过主预准直孔原子束的冷却效果。
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公开(公告)号：CN118980860A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411168206.5
申请日：2024-08-23
IPC分类号： G01R23/14
摘要： 本发明公开了一种基于感生荧光效应的425nm波长基准构建方法及装置，涉及跃迁频率测量领域，装置包括，连续可调谐激光器，原子炉，铬原子束，光学频率梳，倍频光路，保偏光纤分束器，保偏光纤合束器，拍频检测光路，光电接收器以及频率计数器；连续可调谐激光器的输出端与保偏光纤分束器的输入端连接；光学频率梳的输出端与倍频光路连接；倍频光路和和保偏光纤分束器的第一输出端分别与光纤合束器的输入端连接；铬原子束经原子炉喷发与保偏光纤分束器的第二输出端发生作用；保偏光纤合束器的输出端与拍频检测光路的输入端连接；拍频检测光路的输出端通过光电接收器与频率计数器的输入端连接。本方法填补了蓝紫光波段波长基准的空白。
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公开(公告)号：CN118914596A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410993767.2
申请日：2024-07-24
申请人： 同济大学
摘要： 本发明公开了一种原子能级跃迁波长与硅晶面间距的比对测量方法，属于纳米计量溯源技术领域，包括如下步骤：S1、采用原子光刻技术制备掩膜光栅；S2、利用软X射线干涉光刻技术制备得到硅光栅；S3、基于原子能级跃迁波长计算硅光栅的理论周期值；S4、基于硅光栅的TEM图像，以硅晶面间距为基准标尺测量硅光栅的实际周期值；S5、通过比较硅光栅的理论周期值与实际周期值给出两种溯源传递方式的一致性评价。本发明采用上述的一种原子能级跃迁波长与硅晶面间距的比对测量方法，实现了原子能级跃迁波长与硅晶面间距的比对，比较了两种长度溯源链的准确性和一致性。
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