公开(公告)号：CN117616148A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280045482.5

申请日：2022-06-28

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 林秉宽 ,  权相教 ,  金容玹 ,  金镇铉 ,  金弘殷 ,  朴日兴 ,  朴昶均 ,  白寅雨 ,  吴元柱 ,  李东奂 ,  李龙炫 ,  李俊锡 ,  曹胜铉 ,  许桢

IPC分类号： C23C16/448

摘要： 公开了一种原材料供应方法包括：在罐体中将原材料汽化，排出汽化的原材料，测量罐体的内部温度，利用此内部温度计算出计算温度以及通过已计算的温度将设置在罐体上的加热单元加热来补偿内部温度的变化以及应用至所述方法用于供应原材料的原材料供应设备。此原材料供应方法与设备可以稳定地供应汽化的原材料至处理空间。

公开(公告)号：CN117881815A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202280058035.3

申请日：2022-09-20

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 许桢 ,  朴日兴 ,  吴元柱 ,  李东奂 ,  李俊锡 ,  林秉宽 ,  曺胜铉

IPC分类号： C23C16/44 ,  H01L21/02

摘要： 提供了一种基板处理设备的清洁方法。基板处理设备的清洁方法包括：将基板装载至腔室中；将包含Zn、Ga、In或Sn中的至少一者的气体喷射至腔室中以于基板上沉积薄膜；将基板卸载至腔室的外部；将含溴的清洁气体喷射至腔室中；以及将通过沉积于除基板外的腔室内部的杂质与薄膜的沉积中的清洁气体之间的反应而产生的副产物排出。因此，根据示例性实施例，可在当相较于相关技术为相对低并且低于沉积工序温度的温度下清洁基板处理设备的内部。也就是说，具有薄膜形式的杂质，其沉积于安装于基板处理设备内部的组件或结构的表面上，可从表面分层而在低温下被清洁。

公开(公告)号：CN117413087A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202280039592.0

申请日：2022-06-03

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 金容玹 ,  朴日兴 ,  朴昶均 ,  吴元柱 ,  李东奂 ,  李龙炫 ,  李俊锡 ,  林秉宽

IPC分类号： C23C16/455

摘要： 提供了一种被执行以在基板上沉积薄膜的薄膜沉积方法。薄膜沉积方法包括将源气体与第一扩散气体一起供应至设置在处理空间中的基板上，并将反应气体与第二扩散气体一起供应至基板上并与源气体的供应连续进行。通过与彼此不同的路径将第一扩散气体与源气体以及第二扩散气体与反应气体供应至基板上。