太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN108431969B

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN201780001638.9

    申请日:2017-08-21

    摘要: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法,该方法包括:在半导体晶片的上表面上形成第一半导体层并且在半导体晶片的下表面上形成极性与第一半导体层的极性不同的第二半导体层的工序;在第一半导体层的上表面上形成第一透明导电层而使第一半导体层的一部分暴露于外部并且在第二半导体层的下表面上形成第二透明导电层而使第二半导体层的一部分暴露于外部的工序;以及第一透明导电层和第二透明导电层中的至少一者上的等离子处理工序,其中,等离子处理工序包括除去第一半导体层的暴露于外部的部分和第二半导体层的暴露于外部的部分的工序。

    基板处理设备及方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115362283A

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN202180026038.4

    申请日:2021-03-30

    摘要: 本发明提供了一种基板处理设备及方法,其可以在薄膜沉积于基板上之后有效地清理其中累积有副产物的腔体。此外,本发明提供了一种基板处理设备及方法,其可以在进行有机金属化学气相沉积之后有效地清理包含累积在腔体内部的金属的副产物。

    衬底处理装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114008739A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202080045507.2

    申请日:2020-06-11

    IPC分类号: H01J37/32

    摘要: 本发明涉及一种衬底处理装置,包括第一电极和第二电极,第一电极和第二电极的位置可以考虑热膨胀系数的差异而提前调整,使得即使在处理期间第一电极和第二电极出现热膨胀的情况下也防止通过第一电极和第二电极之间的接触所产生的短路。即使在第一电极和第二电极由于处理期间温度的上升而出现热膨胀的情况下,本发明的衬底处理装置也可以防止第一电极和第二电极之间的短路,并且可以在用于处理大衬底的衬底处理装置中维持薄膜的均匀性。

    衬底处理装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114008739B

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202080045507.2

    申请日:2020-06-11

    IPC分类号: H01J37/32

    摘要: 本发明涉及一种衬底处理装置,包括第一电极和第二电极,第一电极和第二电极的位置可以考虑热膨胀系数的差异而提前调整,使得即使在处理期间第一电极和第二电极出现热膨胀的情况下也防止通过第一电极和第二电极之间的接触所产生的短路。即使在第一电极和第二电极由于处理期间温度的上升而出现热膨胀的情况下,本发明的衬底处理装置也可以防止第一电极和第二电极之间的短路,并且可以在用于处理大衬底的衬底处理装置中维持薄膜的均匀性。

    基板的处理方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118805240A

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202380021410.1

    申请日:2023-02-20

    摘要: 本发明涉及一种形成有绝缘层以及电极层的基板的处理方法,以及一种基板的处理方法包括:使用包含氟(F)的工艺气体在基板上进行等离子体处理的等离子体处理步骤;将包含高介电系数材料(high‑k dielectric material)的源气体喷射到已经进行过等离子体处理步骤的基板上的选择性吸附步骤;以及将反应气体喷射到已经进行过选择性吸附步骤的基板上以将高介电系数层仅沉积到电极层上的选择性沉积步骤。