-
公开(公告)号：CN101859725A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200910133903.6
申请日：2009-04-07
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/316
摘要： 本发明涉及一种通过改善浅沟槽绝缘结构的边缘形成晶片的方法，包括以下步骤：步骤1，提供一具有半导体衬底的晶片，该半导体衬底上方至少具有依次沉积的阻挡氧化层和氮化物层；步骤2，蚀刻形成浅沟槽绝缘结构，并对该浅沟槽绝缘结构进行填充，形成填充氧化层；步骤3，对该晶片进行化学机械剖光，平整填充氧化层；步骤4，去除氮化物层，并沉积第三氧化层；步骤5，沉积一层多晶体，而后利用干蚀刻的方式去除表面的多晶体；步骤6，在半导体衬底中植入离子形成阱区。本发明通过改善STI边缘缺陷的深度，减少了STI边缘的漏出程度，避免了栅氧化层在STI边缘处的厚度薄的现象，提高了所制成的晶片的性能。
-
公开(公告)号：CN101814454A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910007298.8
申请日：2009-02-24
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/316
摘要： 本发明提出了一种晶片结构的制造方法，包括以下步骤：提供一种具有半导体基底、阻挡层和介电层的结构；在上述结构上提供图案化的光阻；以该光阻为光罩层进行蚀刻，形成浅沟槽结构，而后去除该图案化的光阻；沉积第一氧化物层，该第一氧化物层覆盖包括浅沟槽结构的基底表面；再沉积一层氮化物层；在该结构的预定的低压区沉积一层光阻，而后以该光阻为光罩层蚀刻该结构的预定的高压区，去除预定的高压区的氮化物层，再去除光阻；在预定的高压区和预定的低压区生长第二氧化物层。本发明增加的一道工序，既可以提高STI线性氧化物层的厚度，解决高压区STI弯角氧化物变薄的问题，又不会遇到氮化硅黄光制程中产生的稳定性能力的问题。
-
公开(公告)号：CN101740512A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810179204.0
申请日：2008-11-27
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/8234
摘要： 本发明提供了一种改善的氮氧化硅去除的方法，包括以下步骤：步骤1，提供一半导体衬底；步骤2，在半导体衬底上设置浅沟槽隔离结构，区分半导体衬底中的有源区；步骤3，在半导体衬底上沉积介电层并去除部分介电层，使介电层仅位于有源区上方；步骤4，沉积多晶硅和氮氧化硅并去除其中的一部分，蚀刻后的多晶硅至少位于介电层上；步骤5，再沉积一层氧化物，而后蚀刻去除平坦部位的氧化物，保留多晶硅侧壁的氧化物；步骤6，去除氮氧化硅。本发明的有益效果为，可以仅多加一道步骤，可以在多晶体的两侧形成类似侧间隙壁的结构，从而有效的保护多晶体的外围不受SiON的蚀刻的影响，提高元件的性能。
-
公开(公告)号：CN102104040B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200910261618.2
申请日：2009-12-18
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/8232 , H01L21/762
摘要： 本发明提出了一种具有浅槽隔离结构(STI)的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括在硅基片上沉积的栅氧化层和SiN层，在晶片上蚀刻的凹槽，内衬氧化层，在栅氧化层的角落部分延长线下方的内衬SiN层，在内衬SiN层上方内衬氧化层外部的增厚的氧化物层，和高密度等离子体HDP层。由于有内衬SiN层对硅基片的保护作用，因此在进炉管生长增厚的氧化物层时，不会消耗内部的硅基片，能够保证主动区的特征尺寸CD不会变化。本可以通过采用增厚的氧化物层，可以提高栅氧化层角落部位氧化层的厚度。同时还不会造成现有的STI制造过程中电压漂移，和引起SiN黄光制程空间(photo window)容差变小的问题。
-
公开(公告)号：CN102104046A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910261620.X
申请日：2009-12-18
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L23/52 , H01L21/8247 , H01L21/28 , H01L21/768
摘要： 本发明提出了具有多层栅极结构的高压器件及其制造方法，该高压器件至少包括：下层多晶硅，上层多晶硅和在它们之间的氧化物-氮化物-氧化物叠层，以及在上层多晶硅上的阻挡层。由于在蚀刻时阻挡层与多晶硅之间具有高的选择比，因而能够防止上层多晶硅上方光阻变薄而导致上层多晶硅被破坏的现象。同时形成的阻挡层还能够在高压器件区域作为衬垫(spacer)，可以在一定程度上改善高压器件的击穿性能。
-
公开(公告)号：CN101728305A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810170593.0
申请日：2008-10-23
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/316
摘要： 本发明涉及一种改善STI凹槽的上角边缘厚度的方法，该方法针对现有的STI-HDP程式进行合理调整，增强其氩气流量或射频功率，调节其蚀刻与沉积之间的比率，有效地消减顶部的SiN线性结构，因而不可能形成磷酸蚀刻的缝隙，后续的酸洗过程也不会造成较深的凹槽，从而在制程的初期就避免了造成后续危险的一个重要因素。
-
公开(公告)号：CN101459144A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710199092.0
申请日：2007-12-12
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/8247
摘要： 本发明提供了一种从堆叠式栅极闪存中去除介质残余的方法，包括：第一步，提供一衬底，该衬底上有沟槽；第二步，在衬底上依次形成穿隧氧化层，浮置栅极层，栅间介电层；第三步，形成导体层，并对该导体层进行蚀刻，首先蚀刻形成闪存单元的外围电路，而后进行单元栅极的蚀刻。本发明的有益效果在于，仅调换光罩的顺序，便可以在不增加额外光罩的情况下将ONO残余彻底去除，显著改善合格率。
-
公开(公告)号：CN101859725B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200910133903.6
申请日：2009-04-07
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/316
摘要： 本发明涉及一种通过改善浅沟槽绝缘结构的边缘形成晶片的方法，包括以下步骤：步骤1，提供一具有半导体衬底的晶片，该半导体衬底上方至少具有依次沉积的阻挡氧化层和氮化物层；步骤2，蚀刻形成浅沟槽绝缘结构，并对该浅沟槽绝缘结构进行填充，形成填充氧化层；步骤3，对该晶片进行化学机械剖光，平整填充氧化层；步骤4，去除氮化物层，并沉积第三氧化层；步骤5，沉积一层多晶体，而后利用干蚀刻的方式去除表面的多晶体；步骤6，在半导体衬底中植入离子形成阱区。本发明通过改善STI边缘缺陷的深度，减少了STI边缘的漏出程度，避免了栅氧化层在STI边缘处的厚度薄的现象，提高了所制成的晶片的性能。
-
公开(公告)号：CN102104040A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910261618.2
申请日：2009-12-18
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/8232 , H01L21/762
摘要： 本发明提出了一种具有浅槽隔离结构(STI)的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括在硅基片上沉积的栅氧化层和SiN层，在晶片上蚀刻的凹槽，内衬氧化层，在栅氧化层的角落部分延长线下方的内衬SiN层，在内衬SiN层上方内衬氧化层外部的增厚的氧化物层，和高密度等离子体HDP层。由于有内衬SiN层对硅基片的保护作用，因此在进炉管生长增厚的氧化物层时，不会消耗内部的硅基片，能够保证主动区的特征尺寸CD不会变化。本可以通过采用增厚的氧化物层，可以提高栅氧化层角落部位氧化层的厚度。同时还不会造成现有的STI制造过程中电压漂移，和引起SiN黄光制程空间(photo window)容差变小的问题。
-
公开(公告)号：CN101819942A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200910126311.1
申请日：2009-02-26
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/3105 , H01L21/316
摘要： 本发明提出一种实现浅沟槽结构的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供半导体衬底，该半导体衬底中具有芯片所需的结构；蚀刻形成浅沟槽结构；沉积氧化物层；进行化学机械研磨，在半导体衬底上沉积氧化物；将进行了化学机械研磨的半导体衬底在高温下放入调温炉管，并通入氧气进行氧化反应，持续预定时间后取出。本发明可以改善浅沟槽转角栅氧化层的厚度，从而提高栅氧化层的品质。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
13 条记录 (耗时 0.036 秒)
