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公开(公告)号：CN110868073B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910790131.7
申请日：2019-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出一种基于多绕组变压器耦合的串联SiC MOSFET驱动电路，所述驱动电路主要由变压器、储能电容以及推挽电路组成。其中变压器起到对串联SiC MOSFET的栅源极电压之间的关系进行约束，保证串联的每个SiC MOSET的驱动电压同步增加和降低，防止出现驱动电压不同步而产生开通关断瞬间的动态电压不均衡的问题；储能电容和推挽结构都是用以保证SiC MOSFET的开通瞬间具有足够的驱动电流，实现SiC MOSFET的快速的开通；同时在关断瞬间为栅源极电压构造泄放回路，保证在较短的时间内实现驱动电压的下降。
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公开(公告)号：CN108173258B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810130001.6
申请日：2018-02-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种三端口变换器的虚拟电感和虚拟电容功率分配方法，涉及一种三端口变换器接入直流微电网后的功率分配技术，为了实现混合储能系统通过三端口变换器接入直流微电网后的功率合理分配。本发明是在储能单元中，直流母线电压稳定的同时，利用三端口变换器低压侧实时电流反馈值形成虚拟电感和虚拟电容；虚拟电感与下垂控制结合后，通过恒压控制作为移相控制的一个输入端；虚拟电容与下垂控制结合后，通过恒压控制后，再次与超级电容电压恢复控制相结合作为移相控制的另一个输入端；移相控制的输出端分别作用于三端口变换器中的开关管Q1至开关管Q12，达到混合储能功率的合理分配。有益效果为实现了功率的合理分配。本发明适用于直流混合储能系统。
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公开(公告)号：CN110350552B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910554404.8
申请日：2019-06-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出一种应用于直流微电网的下垂控制快速二次补偿方法，针对稳定直流母线电压与实现并联变换器均流两个控制目标在二次补偿控制中分别设定电压辅助调节器和电流辅助调节器，采用动态一致算法实时跟踪电流电压变化量，再利用有限时间控制策略得到电压辅助调节器输出量和电流辅助调节器输出量，最后将电压辅助调节器输出量与电流辅助调节器输出量代入求导后的下垂方程，再经过积分得到经过二次补偿后的下垂控制电压参考值，使得各并联变换器输出电压在有限时间内收敛至参考值的同时实现各变换器之间的高精度均流。本发明可在有限时间内使系统快速实现母线电压偏差恢复且完成系统内并联变换器的高精度均流，加快了系统中电压、电流偏差的收敛速度。
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公开(公告)号：CN110350552A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910554404.8
申请日：2019-06-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出一种应用于直流微电网的下垂控制快速二次补偿方法，针对稳定直流母线电压与实现并联变换器均流两个控制目标在二次补偿控制中分别设定电压辅助调节器和电流辅助调节器，采用动态一致算法实时跟踪电流电压变化量，再利用有限时间控制策略得到电压辅助调节器输出量和电流辅助调节器输出量，最后将电压辅助调节器输出量与电流辅助调节器输出量代入求导后的下垂方程，再经过积分得到经过二次补偿后的下垂控制电压参考值，使得各并联变换器输出电压在有限时间内收敛至参考值的同时实现各变换器之间的高精度均流。本发明可在有限时间内使系统快速实现母线电压偏差恢复且完成系统内并联变换器的高精度均流，加快了系统中电压、电流偏差的收敛速度。
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公开(公告)号：CN117458835A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311333657.5
申请日：2023-10-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02M1/08 , H02M1/088 , H02M1/00 , H02M7/5387
Abstract: 本发明提出一种基于准闭环的SiC MOSFET自适应有源栅极驱动方法，所述方法分析了自调节有源栅极驱动电路的实现方案，提出了准闭环控制方案，采用上一开关周期的反馈控制本周期的有源驱动信号，放宽了对硬件的固有延迟要求。分析了电流采样方案的合理性，对负载电流直接采样代替采集四个开关管的电流，减化电路设计。给出了查找表方案，该方案可以最大限度地节省成本和放宽对硬件的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110868073A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910790131.7
申请日：2019-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出一种基于多绕组变压器耦合的串联SiC MOSFET驱动电路，所述驱动电路主要由变压器、储能电容以及推挽电路组成。其中变压器起到对串联SiC MOSFET的栅源极电压之间的关系进行约束，保证串联的每个SiC MOSET的驱动电压同步增加和降低，防止出现驱动电压不同步而产生开通关断瞬间的动态电压不均衡的问题；储能电容和推挽结构都是用以保证SiC MOSFET的开通瞬间具有足够的驱动电流，实现SiC MOSFET的快速的开通；同时在关断瞬间为栅源极电压构造泄放回路，保证在较短的时间内实现驱动电压的下降。
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公开(公告)号：CN108173258A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810130001.6
申请日：2018-02-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种三端口变换器的虚拟电感和虚拟电容功率分配方法，涉及一种三端口变换器接入直流微电网后的功率分配技术，为了实现混合储能系统通过三端口变换器接入直流微电网后的功率合理分配。本发明是在储能单元中，直流母线电压稳定的同时，利用三端口变换器低压侧实时电流反馈值形成虚拟电感和虚拟电容；虚拟电感与下垂控制结合后，通过恒压控制作为移相控制的一个输入端；虚拟电容与下垂控制结合后，通过恒压控制后，再次与超级电容电压恢复控制相结合作为移相控制的另一个输入端；移相控制的输出端分别作用于三端口变换器中的开关管Q1至开关管Q12，达到混合储能功率的合理分配。有益效果为实现了功率的合理分配。本发明适用于直流混合储能系统。
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公开(公告)号：CN115459338A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211093005.4
申请日：2022-09-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及交直流微电网领域，具体是基于三重移相加变频控制的交直流微网互联变换器控制方法。本发明解决了传统方案功率控制非线性，控制环节较难设计、设备功率密度低、稳压电解电容体积大、开关损耗严重的问题。该隔离型并网三相变换器由双有源桥变换器和全桥逆变器构成，通过三重移相调制方式增加了控制灵活度，实现了控制坐标对输出功率的线性控制，实现了更好的控制效果；将变换器直流侧稳压电解电容更换为一个体积更小的薄膜电容，在提高系统运行可靠性的同时减小了变换器的设计成本和硬件成本，提高了变换器功率密度；针对三相变换器后级全桥电路所设计的的33%PWM调制方式相比于传统PWM调制方式大幅减小了开关管损耗，提高系统运行效率。
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公开(公告)号：CN113381599B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110727256.2
申请日：2021-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种并联SiC MOSFET安全工作域计算方法。步骤1：确定MOSFET的安全工作域，安全工作域由导通电阻限制线RDSon、连续漏源极电流IM、功率损耗限制边界PM和最大漏源极击穿电压VDSS四条边界线组成；步骤2：计算步骤1的导通电阻限制线RDSon；步骤3：通过最大耗散功率PD和导通电阻计算步骤1的连续漏源IM；步骤4：基于步骤1到3，结合电流寄生电感确定并联结构SiC MOSFET的安全工作域。本发明用以解决电流不均衡分布对并联结构SiC MOSFET会损毁的问题。
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公开(公告)号：CN113381599A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110727256.2
申请日：2021-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种并联SiC MOSFET安全工作域计算方法。步骤1：确定MOSFET的安全工作域，安全工作域由导通电阻限制线RDSon、连续漏源极电流IM、功率损耗限制边界PM和最大漏源极击穿电压VDSS四条边界线组成；步骤2：计算步骤1的导通电阻限制线RDSon；步骤3：通过最大耗散功率PD和导通电阻计算步骤1的连续漏源IM；步骤4：基于步骤1到3，结合电流寄生电感确定并联结构SiC MOSFET的安全工作域。本发明用以解决电流不均衡分布对并联结构SiC MOSFET会损毁的问题。
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