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公开(公告)号：CN100429508C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200610151049.2
申请日：2006-11-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 掺磷非晶金刚石薄膜电极及其制备方法，它涉及一种非晶金刚石薄膜电极及其制备方法。它为了解决非晶金刚石薄膜导电性能差，内应力大，与基底粘结力差的问题。通过以下步骤实现：(一)基底清洗；(二)离子刻蚀；(三)通掺杂气体；(四)利用过滤阴极真空电弧沉积系统进行薄膜沉积；(五)导线连接；(六)电化学处理，得到掺磷非晶金刚石薄膜电极。掺磷非晶金刚石薄膜电极与MEMS体系相容，适于制成大面积电极用于污水处理，也适于制成微电极用于体内在线检测，并且具有经济、适用、易于产业化的特点。
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公开(公告)号：CN1963484A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610151049.2
申请日：2006-11-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 掺磷非晶金刚石薄膜电极及其制备方法，它涉及一种非晶金刚石薄膜电极及其制备方法。它为了解决非晶金刚石薄膜导电性能差，内应力大，与基底粘结力差的问题。通过以下步骤实现：(一)基底清洗；(二)离子刻蚀；(三)通掺杂气体；(四)利用过滤阴极真空电弧沉积系统进行薄膜沉积；(五)导线连接；(六)电化学处理，得到掺磷非晶金刚石薄膜电极。掺磷非晶金刚石薄膜电极与MEMS体系相容，适于制成大面积电极用于污水处理，也适于制成微电极用于体内在线检测，并且具有经济、适用、易于产业化的特点。
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公开(公告)号：CN1667435A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510009896.0
申请日：2005-04-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02B1/10
Abstract: 本发明涉及一种光学增透膜的设计方法。遗传算法优化增透膜系自动设计方法通过如下步骤实现：确定所设计的增透膜系的层数、各膜层折射率范围和厚度范围、基底材料、入射角和增透波段；在每个膜层的折射率数值范围内各取一个等差数列M1、M2…Mi；在每个膜层的厚度数值范围内各取一个等差数列N1、N2…Ni；然后依次分别从M1～Mi和N1～Ni内取一个数值组合成一个数组作为一个膜系个体；根据顺序计算该膜系个体的透过率；判断该透过率是否达到优选值；如没有达到的则把透过率超过优选值一定比例的膜系个体确定为适值个体，利用遗传算法对适值个体进行基因交叉和基因变异，从而产生若干组新个体重新计算评价。它克服了传统的设计方法容易陷入局部极值的缺陷。
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