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公开(公告)号：CN115948798A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211424792.6
申请日：2022-11-14
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 本发明公开了一种晶圆级单晶石墨烯异质结及其直接生长方法，属于二维材料异质结制备技术领域。本发明解决了现有晶圆级单晶石墨烯/六方氮化硼/石墨烯异质结薄膜制备困难的问题。本发明采用化学气相沉积法，在单晶金属催化剂表面，先生长六方氮化硼，然后在其上表面和下表面分别生长石墨烯，形成单晶石墨烯/六方氮化硼/石墨烯异质结薄膜，且生长的六方氮化硼和石墨烯均为单晶结构，且层数从单层到多层均可以控制，石墨烯异质结尺寸由金属催化剂的尺寸决定，可达晶圆级。
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公开(公告)号：CN118332873A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410592120.9
申请日：2024-05-14
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G06F30/23 , G16C20/30 , G06F119/14
摘要： 本发明涉及半导体集成电路制造领域，更具体的说是一种应力作用下的异质结隧穿电流模拟研究方法，步骤S1：基于COMSOL仿真软件建立异质结薄膜复杂应力状态下的模型，仿真获取异质结薄膜内应力、应变信息；步骤S2：在Materials Studio软件中建立隧穿异质结多层晶体模型，调用CASTEP模块基于第一性原理对晶体模型进行几何优化；步骤S3：将COMSOL仿真软件获取的异质结薄膜内应力分布信息带入CASTEP模块中进行能带结构计算；步骤S4：获得隧穿势垒高度的数值大小，从而获取隧穿电流的改变。本发明将多种模拟计算方法结合，依次进行宏观力学分析和微观电子状态分析，解决了在复杂宏观应力状态下，现有方法无法实现异质结隧穿电流跨尺度模拟研究的技术难题。
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公开(公告)号：CN115683440B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202211444804.1
申请日：2022-11-18
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01L9/00
摘要： 本发明是一种高分辨力石墨烯异质结气压传感器。本发明涉及压力传感器设计技术领域，本发明利用石墨烯/六方氮化硼/石墨烯(G/h‑BN/G)垂直异质结薄膜作为承压隔膜，传感器衬底上具有微纳米级阵列化凹腔结构，在气压的作用下，可使G/h‑BN/G薄膜产生局域化内应力，G/h‑BN/G薄膜局域化内应力将改变垂直异质结薄膜的能带结构，使上下两层石墨烯之间的隧道电流产生变化，从而反映外部气压的变化。所述的石墨烯异质结气压传感器的原理是基于隧道效应的。所述的传石墨烯异质结气压感器隧道电流对异质结所受的内应力极度敏感，因此，可以实现传感器对气压高分辨力的检测。
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公开(公告)号：CN115683440A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211444804.1
申请日：2022-11-18
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01L9/00
摘要： 本发明是一种高分辨力石墨烯异质结气压传感器。本发明涉及压力传感器设计技术领域，本发明利用石墨烯/六方氮化硼/石墨烯(G/h‑BN/G)垂直异质结薄膜作为承压隔膜，传感器衬底上具有微纳米级阵列化凹腔结构，在气压的作用下，可使G/h‑BN/G薄膜产生局域化内应力，G/h‑BN/G薄膜局域化内应力将改变垂直异质结薄膜的能带结构，使上下两层石墨烯之间的隧道电流产生变化，从而反映外部气压的变化。所述的石墨烯异质结气压传感器的原理是基于隧道效应的。所述的传石墨烯异质结气压感器隧道电流对异质结所受的内应力极度敏感，因此，可以实现传感器对气压高分辨力的检测。
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