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公开(公告)号：CN115659690B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211390603.8
申请日：2022-11-08
IPC: G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 一种曲面近零应力获取方法、装置、计算机及存储介质，涉及柔性电子力学设计领域。解决柔性电子基底微纳结构设计依赖于设计者的经验、周期长、基底加工成本高、通用性差的问题。方法包括：获取覆盖柔性电子皮肤的的目标基底和目标曲面；根据所述目标基底和目标曲面获取曲面的第一基本形式和曲面的法向量；根据曲面的第一基本形式判断曲面类型；根据曲面类型进行曲面划分，并采用空间映射对划分后的曲面完成曲面的零应力展开，获取曲面的近零应力，包括：构造不可展曲面的可展切曲面，获取曲面的近零应力；根据可展曲面进行柱面、锥面和自变量定义切面线曲面的划分，获取柱面、锥面和自变量定义切面线曲面的近零应力。应用于柔性电子皮肤领域。
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公开(公告)号：CN115795712A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211393187.7
申请日：2022-11-08
IPC: G06F30/17 , G06F30/23 , G06F111/04 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 一种柱面零应力展开的力学方法、装置、计算机及存储介质，涉及力学领域。解决了空间曲面良好贴覆的柔性电子基底微纳结构设计依赖于设计者的经验、周期长、基底加工成本高、通用性差的问题。所述方法包括：构建柱面零应力展开的力学模型；根据所述力学模型和位移场理论获取曲面的等距映射；根据所述曲面的等距映射设置边界条件；根据所述边界条件与曲面的等距映射进行求解，获取展开曲面的各项参数。根据所述曲面的等距映射设置边界条件包括：设置目标曲面的边界条件、上下表面的边界条件和x方向边界条件。本发明应用于柔性电子技术领域。
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公开(公告)号：CN115787094A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210955942.X
申请日：2022-08-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及一种辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，包括如下步骤：步骤一、以铋氧硒固体粉末为生长原材料，硒化铋片为辅助材料，生长时将所述生长原材料置于管式炉中心，辅助材料置于生长原材料上游，基底置于下游；步骤二、先向管式炉内通入初始气流量并对基底进行加热，移动炉子加热生长原材料，调节气流量，使用低流量进行形核，达到预设沉积温度后，再使用大气流量在所述沉积温度下保温生长，沉积完毕后，得到层状铋氧硒半导体薄膜。本发明提供的气流量调控硒化铋辅助生长法制备层状铋氧硒半导体薄膜的方法是一种可控制备大面积层状铋氧硒半导体薄膜的方法，在较低温下使用较低的气流量，可以减少形核，更利于生长。
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公开(公告)号：CN115659690A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211390603.8
申请日：2022-11-08
IPC: G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 一种曲面近零应力获取方法、装置、计算机及存储介质，涉及柔性电子力学设计领域。解决柔性电子基底微纳结构设计依赖于设计者的经验、周期长、基底加工成本高、通用性差的问题。方法包括：获取覆盖柔性电子皮肤的的目标基底和目标曲面；根据所述目标基底和目标曲面获取曲面的第一基本形式和曲面的法向量；根据曲面的第一基本形式判断曲面类型；根据曲面类型进行曲面划分，并采用空间映射对划分后的曲面完成曲面的零应力展开，获取曲面的近零应力，包括：构造不可展曲面的可展切曲面，获取曲面的近零应力；根据可展曲面进行柱面、锥面和自变量定义切面线曲面的划分，获取柱面、锥面和自变量定义切面线曲面的近零应力。应用于柔性电子皮肤领域。
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