公开(公告)号：CN115611651B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202211362609.4

申请日：2022-11-02

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 李淳 ,  周龙 ,  曹健 ,  明安冉 ,  边钰人 ,  张承浩 ,  杨博 ,  司晓庆 ,  亓钧雷

IPC分类号： B23K31/02 ,  C04B37/00

摘要： 一种电场辅助碳化硅陶瓷氧化的低温连接方法，它涉及一种碳化硅陶瓷的连接方法。本发明要解决现有常用陶瓷连接方法存在连接温度高、接头性能差及效率较低的问题。方法：一、将碳化硅陶瓷进行预处理；二、将待连接件置于连接炉上下压头中间，且待连接件上下表面均设置与外接电源相连接的电极；三、将连接炉升温至连接温度，在升高电压直至碳化硅陶瓷导通，然后调节电流保温。本发明用于电场辅助碳化硅陶瓷氧化的低温连接。

公开(公告)号：CN115611651A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211362609.4

申请日：2022-11-02

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 李淳 ,  周龙 ,  曹健 ,  明安冉 ,  边钰人 ,  张承浩 ,  杨博 ,  司晓庆 ,  亓钧雷

IPC分类号： C04B37/00

摘要： 一种电场辅助碳化硅陶瓷氧化的低温连接方法，它涉及一种碳化硅陶瓷的连接方法。本发明要解决现有常用陶瓷连接方法存在连接温度高、接头性能差及效率较低的问题。方法：一、将碳化硅陶瓷进行预处理；二、将待连接件置于连接炉上下压头中间，且待连接件上下表面均设置与外接电源相连接的电极；三、将连接炉升温至连接温度，在升高电压直至碳化硅陶瓷导通，然后调节电流保温。本发明用于电场辅助碳化硅陶瓷氧化的低温连接。