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公开(公告)号：CN1709700A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200510010047.7
申请日：2005-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B41J2/335
Abstract: 热敏打印头的非晶金刚石耐磨保护层及其制备方法，它涉及热敏打印机中使用的热敏打印头的耐磨保护层及其制备方法，它是为了解决现有热敏打印头耐磨保护层因膜质疏松硬度较低而导致耐磨性差、使用寿命短及现有的耐磨保护层的制备方法使耐磨保护层应力高、结合性差的问题。本发明利用过滤阴极真空电弧系统在热敏打印头的表面沉积有非晶金刚石薄膜，所述非晶金刚石薄膜的厚度为0.3～2μm；本发明的制备步骤包括：一、清洗；二、划线；三、刻蚀；四、沉积；五、后处理。本发明的非晶金刚石耐磨保护层具有表面光滑，摩擦系数低以及导热性好的优点，其制备方法采用能量下降梯度法沉积，使耐磨保护层应力低、结合性强，延长了热敏打印头的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1986870A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610151165.4
申请日：2006-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含有掺杂剂元素的石墨靶材的制备方法，它涉及一种石墨靶材的制备方法。它解决了目前传统方法制备的石墨靶材产生大量宏观粒子、降低了作为阴极电弧源所制得的非晶金刚石薄膜的质量以及高压石墨靶产生的等离子体束强度弱、熔覆效率低、易裂开以及电阻率高的问题。制备：(一)称取石墨粉末和掺杂剂元素粉末进行球磨；(二)真空干燥混合粉末；(三)抽出塑料橡胶套与钢性圆筒内壁间的空气；(四)灌粉；(五)预压，然后再冷等静压；(六)卸压；(七)烧结；(八)冷却，即得到含有掺杂剂元素的石墨靶材。本发明制备出的含有掺杂剂元素的石墨靶材质量密度达2.06g/cm3，内部残留的气体少，电弧斑点直径仅为1～5μm，而且电阻率≤7.8×10－5Ω·cm，所制成的含有掺杂剂元素的石墨靶电弧放电电流稳定。
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公开(公告)号：CN100451160C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610151165.4
申请日：2006-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含有掺杂剂元素的石墨靶材的制备方法，它涉及一种石墨靶材的制备方法。它解决了目前传统方法制备的石墨靶材产生大量宏观粒子、降低了作为阴极电弧源所制得的非晶金刚石薄膜的质量以及高压石墨靶产生的等离子体束强度弱、熔覆效率低、易裂开以及电阻率高的问题。制备：(一)称取石墨粉末和掺杂剂元素粉末进行球磨；(二)真空干燥混合粉末；(三)抽出塑料橡胶套与刚性圆筒内壁间的空气；(四)灌粉；(五)预压，然后再冷等静压；(六)卸压；(七)烧结；(八)冷却，即得到含有掺杂剂元素的石墨靶材。本发明制备出的含有掺杂剂元素的石墨靶材质量密度达2.06g/cm3，内部残留的气体少，电弧斑点直径仅为1～5μm，而且电阻率≤7.8×10-5Ω·cm，所制成的含有掺杂剂元素的石墨靶电弧放电电流稳定。
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公开(公告)号：CN100433371C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200710071698.6
申请日：2007-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/042 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层的a-Si:H太阳电池及制备方法，它涉及一种非晶硅太阳电池及其制备方法。它解决了现有p型非晶硅层太阳电池转化效率较低的问题。它的康宁玻璃的上端面与SnO2:F导电薄膜的下端面固定连接，SnO2:F导电薄膜的上端面与p-ta-C:B薄膜的下端面固定连接，p-ta-C:B薄膜的上端面与过渡p-a-Si:H(C)薄膜的下端面固定连接，过渡p-a-Si:H(C)薄膜的上端面与i-a-Si:H薄膜的下端面固定连接，i-a-Si:H薄膜的上端面与n-a-Si:H薄膜的下端面固定连接。本发明的方法按下列步骤进行：a.沉积SnO2:F导电膜，b.激光刻划，c.沉积p-ta-C:B薄膜，d.沉积过渡p-a-Si:H(C)薄膜、i-a-Si:H薄膜和n-a-Si:H薄膜，e.第一次硅刻划，f.蒸铝，g.第二次硅刻划。本发明具有提高电池的转化效率的优点。
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公开(公告)号：CN100404270C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200510010047.7
申请日：2005-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B41J2/335
Abstract: 热敏打印头的非晶金刚石耐磨保护层及其制备方法，它涉及热敏打印机中使用的热敏打印头的耐磨保护层及其制备方法，它是为了解决现有热敏打印头耐磨保护层因膜质疏松硬度较低而导致耐磨性差、使用寿命短及现有的耐磨保护层的制备方法使耐磨保护层应力高、结合性差的问题。本发明利用过滤阴极真空电弧系统在热敏打印头的表面沉积有非晶金刚石薄膜，所述非晶金刚石薄膜的厚度为0.3～2μm；本发明的制备步骤包括：一、清洗；二、划线；三、刻蚀；四、沉积；五、后处理。本发明的非晶金刚石耐磨保护层具有表面光滑，摩擦系数低以及导热性好的优点，其制备方法采用能量下降梯度法沉积，使耐磨保护层应力低、结合性强，延长了热敏打印头的使用寿命。
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公开(公告)号：CN101009337A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710071698.6
申请日：2007-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/042 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层的a－Si∶H太阳电池及其制备方法，它涉及一种非晶硅太阳电池及其制备方法。它解决了现有p型非晶硅层太阳电池转化效率较低的问题。它的康宁玻璃(1)的上端面与SnO2∶F导电薄膜(2)的下端面固定连接，SnO2∶F导电薄膜(2)的上端面与p－ta－C∶B薄膜(3)的下端面固定连接，p－ta－C∶B薄膜(3)的上端面与过渡p－a－Si∶H(C)薄膜(4)的下端面固定连接，过渡p－a－Si∶H(C)薄膜(4)的上端面与i－a－Si∶H薄膜(5)的下端面固定连接，i－a－Si∶H薄膜(5)的上端面与n－a－Si∶H薄膜(6)的下端面固定连接。本发明的方法按下列步骤进行：a.沉积SnO2∶F导电膜，b.激光刻划，c.沉积p－ta－C∶B薄膜，d.沉积过渡p－a－Si∶H(C)薄膜、i－a－Si∶H薄膜和n－a－Si∶H薄膜，e.第一次硅刻划，f.蒸铝，g.第二次硅刻划。本发明具有提高电池的转化效率的优点。
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