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公开(公告)号：CN100576573C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810064841.3
申请日：2008-07-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 半导体结为碳材料的太阳能电池及制备方法，它涉及太阳能电池及制备方法。它解决了现有制备成本高、原材料紧缺、技术不成熟、效率低和污染环境的问题。本发明的铝膜层(2)设在基底(1)的上表面上，掺氮四面体非晶碳n型薄膜层(3)设在铝膜层(2)的上表面上，四面体非晶碳i型薄膜层(4)设在n型薄膜层(3)的上表面上，掺硼四面体非晶碳p型窗口(5)设在i型薄膜层(4)的上表面上。方法为：一、在基底(1)的上表面上镀一铝膜层(2)；二、清洗、刻蚀；三、制备n型薄膜层(3)；四、制备i型薄膜层(4)；五、制备p型窗口(5)。本发明电池的材料资源广，化学性质稳定，电池的效率高；方法的成本低、技术成熟、对环境无污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101241197A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810064100.5
申请日：2008-03-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 具有除霜增透保护膜的锗窗口及其制备方法，它涉及锗红外光学窗口的制备方法。它解决了现有锗窗口结霜和红外线透过率低的问题。本发明在锗片(5)的上表面叠加有界面绝缘薄膜层(3)、发热电阻薄膜层(2)和外表面绝缘薄膜层(1)，电极(4)设在发热电阻薄膜层(2)外表面的左右两端上。方法为：1.预处理锗片并对锗片进行刻蚀；2.制备界面绝缘薄膜层(3)；3.制备发热电阻薄膜层(2)；4.制作电极；5.制备外表面绝缘薄膜层(1)，在发热电阻薄膜层(2)上面沉积非晶金刚石为外表面绝缘薄膜层(1)，取出锗片，即制备成具有除霜增透保护膜的锗窗口。本发明的锗窗口在3.1～4.0μm波段处透过率由原来的50％增加到65％，除霜效果好。
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公开(公告)号：CN101299444A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810064841.3
申请日：2008-07-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 半导体结为碳材料的太阳能电池及制备方法，它涉及太阳能电池及制备方法。它解决了现有制备成本高、原材料紧缺、技术不成熟、效率低和污染环境的问题。本发明的铝膜层(2)设在基底(1)的上表面上，掺氮四面体非晶碳n型薄膜层(3)设在铝膜层(2)的上表面上，四面体非晶碳i型薄膜层(4)设在n型薄膜层(3)的上表面上，掺硼四面体非晶碳p型窗口(5)设在i型薄膜层(4)的上表面上。方法为一、在基底(1)的上表面上镀一铝膜层(2)；二、清洗、刻蚀；三、制备n型薄膜层(3)；四、制备i型薄膜层(4)；五、制备p型窗口(5)。本发明电池的材料资源广，化学性质稳定，电池的效率高；方法的成本低、技术成熟、对环境无污染。
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公开(公告)号：CN100451160C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610151165.4
申请日：2006-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含有掺杂剂元素的石墨靶材的制备方法，它涉及一种石墨靶材的制备方法。它解决了目前传统方法制备的石墨靶材产生大量宏观粒子、降低了作为阴极电弧源所制得的非晶金刚石薄膜的质量以及高压石墨靶产生的等离子体束强度弱、熔覆效率低、易裂开以及电阻率高的问题。制备：(一)称取石墨粉末和掺杂剂元素粉末进行球磨；(二)真空干燥混合粉末；(三)抽出塑料橡胶套与刚性圆筒内壁间的空气；(四)灌粉；(五)预压，然后再冷等静压；(六)卸压；(七)烧结；(八)冷却，即得到含有掺杂剂元素的石墨靶材。本发明制备出的含有掺杂剂元素的石墨靶材质量密度达2.06g/cm3，内部残留的气体少，电弧斑点直径仅为1～5μm，而且电阻率≤7.8×10-5Ω·cm，所制成的含有掺杂剂元素的石墨靶电弧放电电流稳定。
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公开(公告)号：CN100580481C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810064100.5
申请日：2008-03-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 具有除霜增透保护膜的锗窗口及其制备方法，它涉及锗红外光学窗口的制备方法。它解决了现有锗窗口结霜和红外线透过率低的问题。本发明在锗片(5)的上表面叠加有界面绝缘薄膜层(3)、发热电阻薄膜层(2)和外表面绝缘薄膜层(1)，电极(4)设在发热电阻薄膜层(2)外表面的左右两端上。方法为：一、预处理锗片并对锗片进行刻蚀；二、制备界面绝缘薄膜层(3)；三、制备发热电阻薄膜层(2)；四、制作电极；五、制备外表面绝缘薄膜层(1)，在发热电阻薄膜层(2)上面沉积非晶金刚石为外表面绝缘薄膜层(1)，取出锗片，即制备成具有除霜增透保护膜的锗窗口。本发明的锗窗口在3.1～4.0μm波段处透过率由原来的50%增加到65%，除霜效果好。
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公开(公告)号：CN1986870A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610151165.4
申请日：2006-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含有掺杂剂元素的石墨靶材的制备方法，它涉及一种石墨靶材的制备方法。它解决了目前传统方法制备的石墨靶材产生大量宏观粒子、降低了作为阴极电弧源所制得的非晶金刚石薄膜的质量以及高压石墨靶产生的等离子体束强度弱、熔覆效率低、易裂开以及电阻率高的问题。制备：(一)称取石墨粉末和掺杂剂元素粉末进行球磨；(二)真空干燥混合粉末；(三)抽出塑料橡胶套与钢性圆筒内壁间的空气；(四)灌粉；(五)预压，然后再冷等静压；(六)卸压；(七)烧结；(八)冷却，即得到含有掺杂剂元素的石墨靶材。本发明制备出的含有掺杂剂元素的石墨靶材质量密度达2.06g/cm3，内部残留的气体少，电弧斑点直径仅为1～5μm，而且电阻率≤7.8×10－5Ω·cm，所制成的含有掺杂剂元素的石墨靶电弧放电电流稳定。
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