公开(公告)号：CN100576573C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200810064841.3

申请日：2008-07-02

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  田桂 ,  代兵 ,  陈旺寿 ,  何小凤

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 半导体结为碳材料的太阳能电池及制备方法，它涉及太阳能电池及制备方法。它解决了现有制备成本高、原材料紧缺、技术不成熟、效率低和污染环境的问题。本发明的铝膜层(2)设在基底(1)的上表面上，掺氮四面体非晶碳n型薄膜层(3)设在铝膜层(2)的上表面上，四面体非晶碳i型薄膜层(4)设在n型薄膜层(3)的上表面上，掺硼四面体非晶碳p型窗口(5)设在i型薄膜层(4)的上表面上。方法为：一、在基底(1)的上表面上镀一铝膜层(2)；二、清洗、刻蚀；三、制备n型薄膜层(3)；四、制备i型薄膜层(4)；五、制备p型窗口(5)。本发明电池的材料资源广，化学性质稳定，电池的效率高；方法的成本低、技术成熟、对环境无污染。

公开(公告)号：CN101299444A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810064841.3

申请日：2008-07-02

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  田桂 ,  代兵 ,  陈旺寿 ,  何小凤

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 半导体结为碳材料的太阳能电池及制备方法，它涉及太阳能电池及制备方法。它解决了现有制备成本高、原材料紧缺、技术不成熟、效率低和污染环境的问题。本发明的铝膜层(2)设在基底(1)的上表面上，掺氮四面体非晶碳n型薄膜层(3)设在铝膜层(2)的上表面上，四面体非晶碳i型薄膜层(4)设在n型薄膜层(3)的上表面上，掺硼四面体非晶碳p型窗口(5)设在i型薄膜层(4)的上表面上。方法为一、在基底(1)的上表面上镀一铝膜层(2)；二、清洗、刻蚀；三、制备n型薄膜层(3)；四、制备i型薄膜层(4)；五、制备p型窗口(5)。本发明电池的材料资源广，化学性质稳定，电池的效率高；方法的成本低、技术成熟、对环境无污染。