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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101215184A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710144954.X
申请日：2007-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/08 , C04B35/584 , C04B35/645
Abstract: 一种泡沫氮化硅陶瓷的制备方法，它涉及一种氮化硅陶瓷的制备方法。它解决现有技术中泡沫氮化硅陶瓷制备工艺复杂、成本高、材料压缩强度低、热导率高，及很难大范围控制气孔率的问题。制备方法：将氮化硅悬浮液和凝胶剂混合，所得混合液再和粉煤灰空心微珠混合，得悬浮粘液，悬浮粘液注模，经室温下凝固脱模干燥后的坯体在保护气氛下烧结，即得泡沫氮化硅陶瓷。本发明用粉煤灰空心微珠为造孔剂和助烧剂原料成本低廉，工艺简单，粉煤灰空心微珠还能促使材料热导率的下降，耐热性能好，增大材料压缩强度，能够大范围控制气孔率。
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公开(公告)号：CN101531538A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910071698.5
申请日：2009-04-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/584 , C04B35/597 , C04B41/87
Abstract: 多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷复合材料的近净尺寸制备方法，它涉及复合材料的近净尺寸制备方法。本发明解决了Si3N4在烧结过程中陶瓷坯体的收缩率较大的问题。方法如下：制备多孔氮化硅生坯；生坯预烧结；浸渍、凝胶化、干燥；烧结，即得多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷复合材料。本发明方法制得的多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷复合材料在达到力学性能要求的同时，减小了烧结时坯体的收缩率。本发明方法工艺简单、成本低、重复性好。
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公开(公告)号：CN100582059C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200710144954.X
申请日：2007-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/08 , C04B35/584 , C04B35/645
Abstract: 一种泡沫氮化硅陶瓷的制备方法，它涉及一种氮化硅陶瓷的制备方法。它解决现有技术中泡沫氮化硅陶瓷制备工艺复杂、成本高、材料压缩强度低、热导率高，及很难大范围控制气孔率的问题。制备方法：将氮化硅悬浮液和凝胶剂混合，所得混合液再和粉煤灰空心微珠混合，得悬浮粘液，悬浮粘液注模，经室温下凝固脱模干燥后的坯体在保护气氛下烧结，即得泡沫氮化硅陶瓷。本发明用粉煤灰空心微珠为造孔剂和助烧剂原料成本低廉，工艺简单，粉煤灰空心微珠还能促使材料热导率的下降，耐热性能好，增大材料压缩强度，能够大范围控制气孔率。
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公开(公告)号：CN101215183A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710144953.5
申请日：2007-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/08 , C04B35/584 , C04B35/645
Abstract: 一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法，它涉及一种氮化硅陶瓷的制备方法。它解决现有技术中多孔氮化硅陶瓷制备工艺复杂、成本高、材料强度低、热导率高，很难制备大的闭合气孔和规则形状气孔的材料，及氮化不完全的残留问题。制备方法：将复合氮化硅粉和粉煤灰空心微珠混合，得混合粉体，混合粉体经干压成形后冷等静压，然后将冷等静压后所得坯体在保护气氛下烧结。本发明用粉煤灰空心微珠为造孔剂和助烧剂原料成本低廉，且省去了烧除造孔剂的过程，工艺简单，粉煤灰空心微珠还能促使材料热导率的下降，耐热性能好，同时避免了产生残留的问题，增大材料强度，能够制备大的闭合气孔和规则形状气孔。
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公开(公告)号：CN101531538B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910071698.5
申请日：2009-04-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/584 , C04B35/597 , C04B41/87
Abstract: 多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷复合材料的近净尺寸制备方法，它涉及复合材料的近净尺寸制备方法。本发明解决了Si3N4在烧结过程中陶瓷坯体的收缩率较大的问题。方法如下：制备多孔氮化硅生坯；生坯预烧结；浸渍、凝胶化、干燥；烧结，即得多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷复合材料。本发明方法制得的多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷复合材料在达到力学性能要求的同时，减小了烧结时坯体的收缩率。本发明方法工艺简单、成本低、重复性好。
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