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公开(公告)号：CN117151012A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311312876.5
申请日：2023-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/39 , G06F18/214 , G06N20/00 , G06F119/02
Abstract: 本发明的一种肖特基势垒二极管可靠性的预测方法，涉及肖特基势垒二极管可靠性建模并通过建模获得可靠性预测的方法。目的是为了克服现有肖特基势垒二极管的可靠性预测方法复杂度高，计算效率低，模型可解释性也较差的问题，具体步骤如下：步骤一、将需预测可靠性的肖特基势垒二极管的预计工作时长输入至训练好的可靠性预测模型，得到肖特基势垒二极管的可靠性参数预测值；步骤二、将可靠性参数预测值与预设的可靠性参数阈值比较，在可靠性参数预测值小于可靠性参数阈值时，判断肖特基势垒二极管在预计工作时长后为可靠。
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公开(公告)号：CN118095182A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410177294.9
申请日：2024-02-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/373 , G06N3/0455 , G06N3/086 , G06N3/0985 , G06F119/02
Abstract: 一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法，属于功率MOSFET可靠性建模技术领域，本发明为解决现有采用深度学习模型对功率器件进行可靠性预测中存在手动调整模型超参数，导致工作效率低的问题。它包括：S1、采集传感器的数据作为初始数据，对初始数据进行数据处理；S2、采用遗传算法对Transformer模型的超参数进行优化，构建GA‑Transformer模型；S3、将S1获取的数据输送至S2获取的GA‑Transformer模型中，依据性能指标评估预测的准确性，并对剩余使用寿命RUL进行预测，输出可靠性预测结果。本发明用于功率MOSFET可靠性预测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118095182B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410177294.9
申请日：2024-02-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/373 , G06N3/0455 , G06N3/086 , G06N3/0985 , G06F119/02
Abstract: 一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法，属于功率MOSFET可靠性建模技术领域，本发明为解决现有采用深度学习模型对功率器件进行可靠性预测中存在手动调整模型超参数，导致工作效率低的问题。它包括：S1、采集传感器的数据作为初始数据，对初始数据进行数据处理；S2、采用遗传算法对Transformer模型的超参数进行优化，构建GA‑Transformer模型；S3、将S1获取的数据输送至S2获取的GA‑Transformer模型中，依据性能指标评估预测的准确性，并对剩余使用寿命RUL进行预测，输出可靠性预测结果。本发明用于功率MOSFET可靠性预测。
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公开(公告)号：CN118211482A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410400889.6
申请日：2024-04-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/27 , G06F17/18 , G06N3/006 , G06F119/02
Abstract: 一种电子元器件的可靠性预测系统，属于电子元器件寿命预测技术领域。为解决现有电子元器件可靠性预测方法效率低、灵活性差、复杂模型难以计算的问题。包括：数据处理模块在Web界面上进行测试数据上传；元器件模型选择模块根据可靠性预测目标选择不同的元器件退化模型，基于测试数据进行构建；可靠性模型构建模块采用麻雀优化算法对元器件退化模型的参数进行优化，采用交互式设置算法对搜索个体数目和搜索迭代次数构建迭代搜索最小化模型，通过迭代搜索最小化模型与实际数据之间的差进行参数拟合的求解，构建获得可靠性模型；可靠性预测模块利用对数正态累计分布函数进行寿命周期预测，获得元器件的可靠性预测结果。用于电子元器件可靠性预测。
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公开(公告)号：CN118858867A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410829095.1
申请日：2024-06-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种电子元器件的功率循环测试系统及其测试方法，属于电子元器件的性能测试技术领域，为解决现有电子元器件检测过程中功率循环测试技术存在缺陷的问题，它包括：数据采集模块，以设定采样频率实时或定点采集电子元器件的电性能参数；环境模拟模块，模拟电应力条件以实现功率循环；自动控制模块，通过预设测试参数，动态调整电子元器件的运行状态，当电子元器件的实际参数达到预设测试参数范围时，停止测试；数据处理显示模块，用于显示数据采集模块的电性能参数，还用于对定点采集的电性能参数进行数据提取，并对测试过程中电性能参数的数据变化进行显示。用于实现多个电子元器件在不同的测试条件下进行实时检测。
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公开(公告)号：CN117172183A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311312872.7
申请日：2023-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/39 , G06F18/214 , G06F119/02
Abstract: 本发明的一种IGBT可靠性的预测方法，涉及IGBT可靠性建模并通过建模获得可靠性预测的方法。目的是为了克服现有IGBT可靠性预测方法建模困难、特征提取限制，模型可解释性也较差的问题，具体步骤如下：步骤一、将需预测可靠性的IGBT的预计工作时长输入至训练好的可靠性预测模型，得到IGBT的集电极‑发射极关断瞬时峰值电压预测值；步骤二、将集电极‑发射极关断瞬时峰值电压预测值与预设的可集电极‑发射极关断瞬时峰值电压阈值比较，在集电极‑发射极关断瞬时峰值电压预测值小于集电极‑发射极关断瞬时峰值电压阈值时，判断IGBT在预计工作时长后状态可靠。
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公开(公告)号：CN117291135A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311317217.0
申请日：2023-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/39 , G06F18/214 , G06N20/00 , G06F119/02 , G06F119/06
Abstract: 本发明的一种功率MOSFET可靠性的建模方法，涉及功率MOSFET可靠性建模并通过建模获得可靠性预测的方法。目的是为了克服现有MOSFET可靠性建模方法复杂度高，计算效率低，模型可解释性也较差的问题，具体步骤如下：步骤一、通过结构参数建立模拟的功率场效应管MOSFET；结构参数包括功率MOSFET的沟道长度、沟道宽度和氧化层厚度；步骤二、对功率MOSFET进行仿真，获取功率MOSFET的漂移阈值电压实际值；步骤三、建立初始预测模型；将结构参数作为初始预测模型的输入参数，漂移阈值电压实际值作为初始预测模型的输出参数，对初始预测模型进行训练、验证和测试，得到可靠性预测模型。
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