沉积反应基团的多光谱综合监测装置及方法

    公开(公告)号:CN118130375A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410220231.7

    申请日:2024-02-28

    摘要: 本发明属于等离子体光谱诊断测试领域,具体涉及沉积反应基团的多光谱综合监测装置及方法。将光谱监测装置进行组装与调试;开启机械泵,对PECVD腔室进行抽真空处理;通过气路向PECVD腔室内供入沉积气体SiH4/He,并开启射频电源,电子获得能量,与沉积气体发生碰撞产生活性粒子,沉积到硅基样片表面完镀膜;关闭射频电源;硅基样片在等离子体作用下已经在PECVD腔室完成镀膜沉积后,将其转移至成分监测腔室,以进行薄膜成分分析;空心阴极发射电子轰击已沉积的硅基样片,使用光纤探头监测硅基样品表面发光区域;将监测到的进入光谱仪分光后由探测器成像,由工控机读出数据。实现光谱监测方法对等离子增强化学气相沉积工艺中非晶氢化硅薄膜组分的监测。

    一种氟碳化合物等离子体基团空间分布监测装置及方法

    公开(公告)号:CN117423600B

    公开(公告)日:2024-04-23

    申请号:CN202311743393.0

    申请日:2023-12-19

    IPC分类号: H01J37/32 G01N21/25 G01N21/01

    摘要: 一种氟碳化合物等离子体基团空间分布监测装置及方法,涉及半导体工业等离子体光谱诊断测试技术领域,装置包括:包括真空腔室、光纤阵列、凸透镜、凹透镜、分光棱镜、两个反应镜、三个滤波片以及三个工业相机;所述光纤阵列、凸透镜、凹透镜以及分光棱镜同轴设置,所述光纤阵列的探测方向垂直于所述真空腔室内的等离子区域;两个所述反应镜分别设置于所述分光棱镜的两侧,第一反应镜、第一滤波片、第一工业相机同轴设置,所述分光棱镜、第二滤波片、第二工业相机同轴设置,第二反应镜、第三滤波片、第三工业相机同轴设置;该装置及方法可以同时获得氟碳化合物等离子体基团在等离子体区域空间位置的绝对浓度,具有原位、同时性、无侵扰的特点。

    等离子体腔室阵列成像监测装置及空间不均匀性校准方法

    公开(公告)号:CN117457467A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202311743459.6

    申请日:2023-12-19

    IPC分类号: H01J37/32

    摘要: 一种等离子体腔室阵列成像监测装置及空间不均匀性校准方法,涉及半导体刻蚀技术领域,解决的技术问题为“开发一种实时监测等离子体放电状态的装置,并对其空间不均匀性进行评估校准”,装置包括:腔室、第一成像监测模块和第二成像监测模块,所述第二成像监测模块与所述第一成像监测模块的轴线垂直;方法包括:通过所述等离子体腔室阵列成像监测装置采集积分光强;基于所述积分光强计算腔室内视线交点光强;通过所述视线交点光强与所述先验分布拟合求解最优分布系数,得到等离子体二维空间分布;评估所述等离子体二维空间分布的不均匀性并校准;该装置及方法通过设置两组相互垂直的光纤形成视线交点,对等离子体不均匀性进行精确的评估校准。

    一种等离子体侵蚀痕量产物在线监测装置及方法

    公开(公告)号:CN117420083A

    公开(公告)日:2024-01-19

    申请号:CN202311743392.6

    申请日:2023-12-19

    IPC分类号: G01N21/25 G01N21/01 G01N9/24

    摘要: 一种等离子体侵蚀痕量产物在线监测装置及方法,涉及等离子体光谱测试技术领域,解决的技术问题为“如何进行等离子体推进器工部件侵蚀痕量产物监测”,该装置包括金属屏蔽罩,以及设置于所述金属屏蔽罩内部的第一凸透镜、第一反射镜、分光棱镜、第二凸透镜、光栅以及第二反射镜,以及设置于所述金属屏蔽罩外部的光电倍增管和分析处理设备;所述金属屏蔽罩侧壁上固定有入射光狭缝和出射光狭缝,所述出射光狭缝与所述光电倍增管连接,所述光电倍增管与所述分析处理设备连接;该装置及方法设计了光谱仪设备对痕量产物谱线光强进行监测,建立痕量物质辐射谱线强度和光强信号波动关系,以获得痕量产物绝对密度,可靠性高,监测灵敏。

    一种氟碳化合物等离子体基团空间分布监测装置及方法

    公开(公告)号:CN117423600A

    公开(公告)日:2024-01-19

    申请号:CN202311743393.0

    申请日:2023-12-19

    IPC分类号: H01J37/32 G01N21/25 G01N21/01

    摘要: 一种氟碳化合物等离子体基团空间分布监测装置及方法,涉及半导体工业等离子体光谱诊断测试技术领域,装置包括:包括真空腔室、光纤阵列、凸透镜、凹透镜、分光棱镜、两个反应镜、三个滤波片以及三个工业相机;所述光纤阵列、凸透镜、凹透镜以及分光棱镜同轴设置,所述光纤阵列的探测方向垂直于所述真空腔室内的等离子区域;两个所述反应镜分别设置于所述分光棱镜的两侧,第一反应镜、第一滤波片、第一工业相机同轴设置,所述分光棱镜、第二滤波片、第二工业相机同轴设置,第二反应镜、第三滤波片、第三工业相机同轴设置;该装置及方法可以同时获得氟碳化合物等离子体基团在等离子体区域空间位置的绝对浓度,具有原位、同时性、无侵扰的特点。

    等离子体腔室阵列成像监测装置及空间不均匀性校准方法

    公开(公告)号:CN117457467B

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202311743459.6

    申请日:2023-12-19

    IPC分类号: H01J37/32

    摘要: 一种等离子体腔室阵列成像监测装置及空间不均匀性校准方法,涉及半导体刻蚀技术领域,解决的技术问题为“开发一种实时监测等离子体放电状态的装置,并对其空间不均匀性进行评估校准”,装置包括:腔室、第一成像监测模块和第二成像监测模块,所述第二成像监测模块与所述第一成像监测模块的轴线垂直;方法包括:通过所述等离子体腔室阵列成像监测装置采集积分光强;基于所述积分光强计算腔室内视线交点光强;通过所述视线交点光强与所述先验分布拟合求解最优分布系数,得到等离子体二维空间分布;评估所述等离子体二维空间分布的不均匀性并校准;该装置及方法通过设置两组相互垂直的光纤形成视线交点,对等离子体不均匀性进行精确的评估校准。